第3章集成逻辑门 第3章集成逻辑门 3.1数字集成电路的分类 3.2TTL集成逻辑门 3.3MOS集成逻辑门 34集成门电路使用中的实际问题 BACK
第3章 集 成 逻 辑 门 第3章 集成逻辑门 3.1 数字集成电路的分类 3.2 TTL集成逻辑门 3.3 MOS集成逻辑门 3.4 集成门电路使用中的实际问题
第3章集成逻辑门 31数字集成电路的分类 数字集成电路按其内部有源器件的不同可以分为两大类 类为双极型晶体管集成电路,它主要有晶体管-晶体 管逻辑(TI- TransistorTransistor LogIc)、射极耦合逻辑 ( ECL-Emitter Coupled Logic)和集成注入逻辑(PL- ntegrated Injection Logic)等几种类型。 另一类为MOS( Metal oxide semiconductor)集成电路, 其有源器件采用金属一氧化物—半导体场效应管,它又可分 为NMOS、PMOS和CMOS等几种类型
第3章 集 成 逻 辑 门 3.1 数字集成电路的分类 数字集成电路按其内部有源器件的不同可以分为两大类。 一类为双极型晶体管集成电路，它主要有晶体管—晶体 管逻辑(TTL-Transistor Transistor Logic)、射极耦合逻辑 (ECL-Emitter Coupled Logic)和集成注入逻辑(I2L-Integrated Injection Logic)等几种类型。 另一类为MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路， 其有源器件采用金属—氧化物—半导体场效应管，它又可分 为NMOS、 PMOS和CMOS等几种类型
第3章集成逻辑门 目前数字系统中普遍使用TTL和CMOS集成电路。 TIL集成电路工作速度高、驱动能力强,但功耗大、集 成度低;MOS集成电路集成度高、功耗低。超大规模集 成电路基本上都是MOS集成电路,其缺点是工作速度略 低。目前已生产了 Bicmos器件,它由双极型晶体管电 路和MOS型集成电路构成,能够充分发挥两种电路的优 势,缺点是制造工艺复杂
第3章 集 成 逻 辑 门 目前数字系统中普遍使用TTL和CMOS集成电路。 TTL集成电路工作速度高、 驱动能力强，但功耗大、集 成度低； MOS集成电路集成度高、功耗低。超大规模集 成电路基本上都是MOS集成电路，其缺点是工作速度略 低。目前已生产了BiCMOS器件，它由双极型晶体管电 路和MOS型集成电路构成，能够充分发挥两种电路的优 势， 缺点是制造工艺复杂
第3章集成逻辑门 小规模集成电路( SSI-Small! Scale Integration),每片 组件内包含10~-100个元件(或10-20个等效门)。 中规模集成电路(MSI- Medium Scale Integration),每 片组件内含100-1000个元件(或20-100个等效门) 大规模集成电路( LSI-Large Scale Integration,每片 组件内含1000-10000个元件(或100-1000个等效门)。 超大规模集成电路( VLSI-Very Large Scale Integration, 每片组件内含10000个元件(或1000个以上等效门)
第3章 集 成 逻 辑 门 小规模集成电路(SSI-Small Scale Integration)， 每片 组件内包含10~100个元件(或10~20个等效门)。 中规模集成电路(MSI-Medium Scale Integration)，每 片组件内含100~1000个元件(或20~100个等效门)。 大规模集成电路(LSI-Large Scale Integration)， 每片 组件内含1000~100 000个元件(或100~1000个等效门)。 超大规模集成电路(VLSI-Very Large Scale Integration)， 每片组件内含100 000个元件(或1000个以上等效门)
第3章集成逻辑门 目前常用的逻辑门和触发器属于SSI,常用的译码器、 数据选择器、加法器、计数器、移位寄存器等组件属 于MSI。常见的LSⅠ、ⅥLSI有只读存储器、随机存取存 储器、微处理器、单片微处理机、位片式微处理器、 高速乘法累加器、通用和专用数字信号处理器等。此外 还有专用集成电路ASIC,它分标准单元、门阵列和可 编程逻辑器件PLD。PLD是近十几年来迅速发展的新型 数字器件,目前应用十分广泛
第3章 集 成 逻 辑 门 目前常用的逻辑门和触发器属于SSI， 常用的译码器、 数据选择器、 加法器、 计数器、 移位寄存器等组件属 于MSI。 常见的LSI、 VLSI有只读存储器、 随机存取存 储器、 微处理器、 单片微处理机、 位片式微处理器、 高速乘法累加器、 通用和专用数字信号处理器等。 此外 还有专用集成电路ASIC， 它分标准单元、 门阵列和可 编程逻辑器件PLD。 PLD是近十几年来迅速发展的新型 数字器件， 目前应用十分广泛
第3章集成逻辑门 3.2TTL集成逻辑门 321TTL与非门的工作原理 CC R R, 3k 750 100 3k 2 A B C 360 0 图3-1典型T∏L与非门电路
第3章 集 成 逻 辑 门 3.2 TTL集成逻辑门 3.2.1 TTL与非门的工作原理 图 3-1 典型TTL与非门电路
第3章集成逻辑门 ①输入级。由多发射极管V和电阻R1组成,其作用 是对输入变量A、B、C实现逻辑与,所以它相当一个与门。 多射极管V1的结构如图3-2(a所示,其等效电路如图3 2(b)所示。设二极管V1~V4的正向管压降为0.7V,当输入 信号A、B、C中有一个或一个以上为低电平(0.3v)时, Up=1V,U=0.3V;当A、B、C全部为高电平(36V时, Up1=4.3V,U=3.6V。可见,仅当所有输入都为高时,输 出才为高,只要有一个输入为低,输出便是低,所以起到 了与门的作用
第3章 集 成 逻 辑 门 ① 输入级。由多发射极管V1和电阻R1组成，其作用 是对输入变量A、B、C实现逻辑与，所以它相当一个与门。 多射极管V1的结构如图3-2(a)所示，其等效电路如图3- 2(b)所示。设二极管V1~V4 的正向管压降为0.7 V，当输入 信号A、B、C中有一个或一个以上为低电平(0.3V)时， UP1 =1V，Uc =0.3V； 当A、B、C全部为高电平(3.6V)时， UP1 =4.3V，Uc =3.6V。可见，仅当所有输入都为高时，输 出才为高，只要有一个输入为低，输出便是低，所以起到 了与门的作用
第3章集成逻辑门一 N P型衬底 R B ABC (b) 图32》多射极晶体管的结构及其等效电路
第3章 集 成 逻 辑 门 图 3-2 多射极晶体管的结构及其等效电路 N N N N P P型衬底 e b c 3 e 2 e 1 (a) R1 b UCC e 1 e 2 e 3 c A B C R1 V1 V2 V3 e1 e 2 e3 c (b) A B C V4 P1 b UCC
第3章集成逻辑门 ②中间级。由V2、R2、R3组成,在V2的集电极与 发射极分别可以得到两个相位相反的电压,以满足输 出级的需要。 ③输出级。由V3、V4、V和R、R组成,这种电 路形式称推拉式电路,它不仅输岀阻抗低,带负载能 力强,而且可以提高工作速度
第3章 集 成 逻 辑 门 ② 中间级。由V2、R2、R3组成，在V2的集电极与 发射极分别可以得到两个相位相反的电压，以满足输 出级的需要。 ③ 输出级。由V3、V4、V5和R4、R5组成，这种电 路形式称推拉式电路，它不仅输出阻抗低，带负载能 力强， 而且可以提高工作速度
第3章集成逻辑门 1输入全部为高电位(36V 当输入端全部为高电位36V时,由于V1的基极电压 U最多不能超过2VUb1=Uk1+Uhe+Uhes),所以V所有 的发射结反偏;这时V1的集电结正偏,V1管的基极电流 b流向集电极并注入V2的基极, E.-U2,5-2.1 b ≈1h2 R
第3章 集 成 逻 辑 门 1. 输入全部为高电位(3.6V) 当输入端全部为高电位3.6V时，由于V1 Ub1最多不能超过2.1V(Ub1 =Ubc1+Ube2+Ube5 )，所以V1所有 的发射结反偏；这时V1的集电结正偏，V1管的基极电流 Ib1流向集电极并注入V2的基极， m A R E U I c b b 1 3 5 2.1 1 1 1 − = − =