《模拟电子技术》 模拟试卷 卷面总分：100分 答题时间：120分钟 三三1三2三3三4三3四五 六总分 分 得分☐ 一、判断题（在括号中填写√或×）（每题2分共10分） 1、光电二极管是将电信号变成光信号的器件。 2、BT为电压控制器件 3、差分式放大电路的共模抑制比越大，说明抑制零点漂移的能力越强。 (√) 4、在模拟集成电路中，广泛应用电流源作为有源负载。 (√) 5、有源滤波器的阶数越高，则滤波效果越好。 (√) 得分☐ 二、选择题（每题2分共10分） 1、测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA=9V,V-6V, V=62V,则B极应为(A). A.发射极 B.基极 C.集电极 2、晶体管放大电路的三种组态中，输入与输出波形相位相反的是(A)。 A.共发射极电路 B.共基极电路 C.共集电极电路 3、某场效应管的代表符号如下图所示，此管应为(C)。 A.P沟道增强型MOSFET B.P沟道FET C.N沟道增强型MOSFET 第1页共5页
第 1 页 共 5 页 《模拟电子技术》 模拟试卷 卷面总分：100 分 答题时间：120 分钟 题 号 一 二 三.1 三.2 三.3 三.4 三.5 四 五 六 总分 得 分 一、判断题（在括号中填写√或×）（每题 2 分共 10 分） 1、光电二极管是将电信号变成光信号的器件。 （ × ） 2、BJT 为电压控制器件。 （ × ） 3、差分式放大电路的共模抑制比越大，说明抑制零点漂移的能力越强。 （ √ ） 4、在模拟集成电路中，广泛应用电流源作为有源负载。 （ √ ） 5、有源滤波器的阶数越高，则滤波效果越好。 （ √ ） 二、选择题（每题 2 分共 10 分） 1、测得某放大电路中 BJT 的三个电极 A、B、C 的对地电位分别为 VA=9V，VB=6V， VC=6.2V，则 B 极应为（ A ）。 A. 发射极 B. 基极 C. 集电极 2、晶体管放大电路的三种组态中，输入与输出波形相位相反的是（ A ）。 A. 共发射极电路 B. 共基极电路 C. 共集电极电路 3、某场效应管的代表符号如下图所示，此管应为（ C ）。 A. P 沟道增强型 MOSFET B. P 沟道 JFET C. N 沟道增强型 MOSFET 得分 得分
4、为了稳定输出电流，增大输入电阻应采用(C)负反馈电路。 A.电压串联 B.电流并联 C.电流串联 5、甲乙类功率放大电路，BT的导通角(B) A.= B.<0<2 C.0=2m 得分☐ 三、计算题（每题16分共80分） 1、理想二极管电路如图所示，判断二极管是导通还是截止，并求出。及二极管 中的电流、h。 0十 3K27 6V 0 解：D1截止，D2导通. .(10分) V。=0V .(2分) I1=0A .(2分) I2=2mA .(2分) 第2页共5页
第 2 页 共 5 页 4、为了稳定输出电流，增大输入电阻应采用（ C ）负反馈电路。 A. 电压串联 B. 电流并联 C. 电流串联 5、甲乙类功率放大电路，BJT 的导通角（ B ） A.θ=π B.π<θ<2π C.θ=2π 三、计算题（每题 16 分共 80 分） 1、理想二极管电路如图所示，判断二极管是导通还是截止，并求出 Vo 及二极管 中的电流 I1、I2。 6V 3K 5V Vo 0V I1 I2 D1 D2 解：D1 截止，D2 导通 . .（10 分） Vo=0V . .（2 分） I1=0A . .（2 分） I2=2mA . .（2 分） 得分
2、放大电路如图所示。已知BT的B=50,Rb=300k2,R=4k2,Vcc=+12V, 所有电容足够大，求： (1)利用估算法（忽略Q),求出静态工作点Q: (2)求输入电阻ne: (3)画出小信号等效电路： (4)求出电压放大倍数Av。 12V R Ie=B1。=50×40uA=2mA 'a='ec-1R=12-2mA×4k2=4V 静态工作点为Q(40uA,2mA,4V) .(6分) (2) K*20a2+1+)26my (mA ≈2002+(1+P)26mV Ic(mA) .(2分) =8632 +0 0+ 0300K20Foe (3) .(4分) (4)A-7 -B-RR-15.87 (4分) 第3页共5页
第 3 页 共 5 页 2、放大电路如图所示。已知 BJT 的 ß=50，R b=300k ，R c= 4k，VCC= +12V， 所有电容足够大，求： （1）利用估算法(忽略 VBEQ)，求出静态工作点 Q； （2）求输入电阻 rbe； （3）画出小信号等效电路； （4）求出电压放大倍数 AV。 解：（1） 40μA 300k 12V b CC BE BQ = − = R V V I I C = β I B = 50 40uA = 2mA VCE =VCC − I CR c =12−2mA4k = 4V 静态工作点为 Q（40A，2mA，4V） . . （6 分） （2） = + + + + 863 (mA) 26(mV) 200 (1 ) (mA) 26(mV) 200 (1 ) C E be I I r . . （2 分） (3) - + Vi 300K 4K - + r Vo be ib ib . . （4 分） （4） 115 87 be c L i o V . r ( R // R ) V V A = − = = − . . （4 分）
3、某放大电路的开环电压增益A=04,当它接成负反馈放大电路时，其闭环电 压增益A=50, (1)求反馈深度1+AF: (2)若A变化20%，问AF变化多少？ 解： A :A,=1+AF (4分) .1+AF=200 .(4分) 1 dA =0.1% .(8分) A 1+AF A 4、理想运算放大电路如图所示，已知V=6V,求V。的值。 L230K2 60K2 30K2 30K2 解根据虚断可知.则，-0k十0Ka=2.4分 根据“虚短”，可知==2V .(4分) 同时根据虚可知，即，故有物启治 .(4分) 得V。=3V .(4分》 第4页共5页
第 4 页 共 5 页 3、某放大电路的开环电压增益 A=104，当它接成负反馈放大电路时，其闭环电 压增益 AF=50， （1）求反馈深度 1+AF； （2）若 A 变化 20%，问 AF 变化多少？ 解： AF A AF + = 1 . . （4 分） 1+ AF = 200 . . （4 分） . % A dA A AF dA F F 0 1 1 1 = + = . . （8 分） 4、理想运算放大电路如图所示，已知 Vi=6V，求 Vo 的值。 - + 30K 60K 60K 30K Vi Vo I1 I2 解：根据“虚断”，可知 iP=0，则 V V K K K VP i 2 30 60 30 = + = . . （4 分） 根据“虚短”，可知 VN=VP=2V . . （4 分） 同时根据“虚短”，可知 iN=0，即 I1=I2，故有 − = − K V V K VN o N 60 30 0 . . （4 分） 得 Vo=3V . . （4 分）
5、正弦振荡电路如图所示，已知R1=2K2,R=10K2,C-0.1μF,R为热敏电阻 设运放A是理想的， (1)为满足振荡条件，试在图中用+、一标出运放A的同相端和反相端： (2)为能起振，R电阻应大于何值？ (3)求出该电路振荡频率6。 Vo 解 1)同相、反相端如图所标。 .(4分) (2)起振条件AP>1,即需满足Av>3 4=1+B>3 R Rf>2R1=4KQ .(6分) 3)6=2Rc2a1010x01x10160h .(6分) 第5页共5页
第 5 页 共 5 页 5、正弦振荡电路如图所示，已知 R1=2KΩ，R=10KΩ，C=0.1μF，Rf 为热敏电阻， 设运放 A 是理想的， （1） 为满足振荡条件，试在图中用+、-标出运放 A 的同相端和反相端； （2） 为能起振，Rf 电阻应大于何值？ （3） 求出该电路振荡频率 f0。 R1 R R C C VO A Rf - + 解： （1）同相、反相端如图所标。 . . （4 分） （2）起振条件 AF>1，即需满足 AV>3 1 3 1 = + R R A f V Rf >2R1=4KΩ . . （6 分） （3） 160 z 2 10 10 0 1 10 1 2 1 0 3 6 H RC . f = = − . . （6 分）