填空题 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下 的正向压降约为0.7V:锗二极管的门槛电压约为0.1V,导通后在 较大电流下的正向压降约为0.2V。 2、二极管的正向电阻 小:反向电阻大 3、二极管的最主要特性是单向导电性 。PN结外加正向电压时, 扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是 单向导电性,稳压二极管在使用 时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入 个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究 在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称 为模拟 电子技术。 6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。PN具有具有 单向导电 特性。 7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型 值为0.7 伏:其门坎电压V约为0.5 伏。 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散 运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子 本征半导体的载流子为电子一空穴对。 10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电 子(N)半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性_,它的两个主要参数是反 映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电 压 12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流 下的正向压降约为0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变 化的稳态响应 15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为 甲米 7米 甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和 旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数 不变,三极管的B增加,则I增大,Im增大,U减小
填空题 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下 的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V,导通后在 较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻 小 ;反向电阻 大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。PN结外加正向电压时, 扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。 4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ,稳压二极管在使用 时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一 个 电阻 。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究 在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称 为 模拟 电子技术。 6、PN 结反向偏置时,PN 结的内电场 增强 。PN 具有 具有 单向导电 特性。 7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型 值为 0.7 伏;其门坎电压 Vth约为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。 9、P 型半导体的多子为 空穴 、N 型半导体的多子为 自由电子 、 本征半导体的载流子为 电子—空穴对 。 10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为 空穴(P) 半导体和 电 子(N) 半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ,它的两个主要参数是反 映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电 压 。 12、在常温下,硅二极管的开启电压约为 0.5 V,导通后在较大电流 下的正向压降约为 0.7 V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下, 输出随频率连续变 化的稳态响应 。 15、N 型半导体中的多数载流子是 电子 ,少数载流子是 空穴 。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是 耦合和 旁路 电容,影响高频信号放大的是 结 电容。 18、在 NPN 三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数 不变,三极管的β增加,则 IBQ 增大 ,ICQ 增大 ,UCEQ 减小
19、二极管的一个T作X域是截上 枸和 放大。集成 运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压V。三 1.2V,V=0.5V,V.=3.6V,试问该三极管是硅管管(材料), NPN型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60B和 20dB,则该放大电路总的对数增益为80dB, 总的电压放大倍数 为10000 22、 三极管实现放大作用的外部条件是: 发射结正偏、集电结反 偏 。某放大电路中的三极管,测得管脚电压V。=-1V,V=-3.2V, V。=-3.9V,这是硅 官(硅、猪), NPN 型,集电 极管脚是 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为:阻容(RC)耦合 耦合_和变压器耦合,其中直接耦合能够放大缓慢变化的信 号 24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的 负载 而前级的输出电阻可视为后级的 信号源的内阻。多级放大 电路总的通频带比其中每一级的通频带 要窄 25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12k2的负载电 阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为4kQ 26、为了保证三极管工作在放大区,要求: ①发射结 正向 偏置,集电结 反向 偏置。②对于NP N型二极管,应审V 27、放大器级间耦合方式主要有阻容(C)耦合、直接耦合和变 压器 耦合三大类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有 电压放大作用,共射 组态有电流放大作用, 共射和共集 组态有倒相作用:共集组态带负载能力强, 共集组 态向信号源索取的电流小, 共基 组态的频率响应好。 29、三极管放大电路的三种基本组态是共集 共基、 共 射 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦 合, 阻容耦合, 变压器耦合。 31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察 V和V1的波形,则V和V1的相位差为180°;当为共集电极电路时, 则V。和V,的相位差为0 32、放大器有两种不同性质的失真,分别是饱和失真和截止 失真
19、三极管的三个工作区域是 截止 , 饱和 , 放大 。集成 运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压 Va = 1.2V, Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是 硅管 管(材料), NPN 型的三极管,该管的集电极是 a、b、c 中的 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB 和 20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB,总的电压放大倍数 为 10000 。 22、 三极管实现放大作用的外部条件是: 发射结正偏、集电结反 偏 。某放大电路中的三极管,测得管脚电压 Va = -1V,Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是 硅 管(硅、锗), NPN 型,集电 极管脚是 a 。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为: 阻容(RC)耦合 、 直 接耦合 和_变压器耦合_,其中 直接耦合 能够放大缓慢变化的信 号。 24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的 负载 , 而前级的输出电阻可视为后级的 信号源的内阻 。多级放大 电路总的通频带比其中每一级的通频带 要窄 。 25、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接入 12kΩ的负载电 阻后,输出电压降为 3V,这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ 。 26、为了保证三极管工作在放大区,要求: ①发射结 正向 偏置,集电结 反向 偏置。②对于NP N型三极管,应使 VBC <0 。 27、放大器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和 变 压器 耦合三大类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有 电压放大作用,共射 组态有电流放大作用, 共射和共集 组态有倒相作用; 共集 组态带负载能力强, 共集 组 态向信号源索取的电流小, 共基 组态的频率响应好。 29、三极管放大电路的三种基本组态是 共集 、 共基 、 共 射 。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有 直接耦 合 , 阻容耦合 , 变压器耦合 。 31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察 VO和 VI的波形,则 VO和 VI的相位差为 1800 ;当为共集电极电路时, 则 VO和 VI的相位差为 0 。 32、放大器有两种不同性质的失真,分别是 饱和 失真和 截止 失真
33、晶体管工作在饱和区时,发射结a ,集电结a 工作在放 大区时,集电结b,发射结a。(填写a正偏,b反偏,c零偏) 34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大 输出电压与输入电压反相,可选用共射组态:希望输入电阻大、 输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。 35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大,热稳定性好 36、影响放大电路通频带下限频率£的是隔直电容和极间电 容 37、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结 保持反向偏置。 38、场效应管有共源 共册 共漏三种组态。 39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄 40、场效应管从结构上分成结型FET和MOSFET两大类型,它 属于电压控制型器件。 41、场效应管属于 电压控制电流 型器件,而双极型半导体 三极管则可以认为是电流控制电流 型器件 42、场效应管是电压控制电流器件 器件,只依靠多数载 流子 导电。 43、根据场效应管的输出特性,其工作情况可以分为可变电阻区 恒流区、 击穿区和截止区四个区域。 44、当栅源电压等于零时,增强型FET无导电沟道,结型ET的 沟道电阻最小 45、FET是电压控制器件,BJT是电流控制器件 46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为甲 类。 47、一个输出功率为10W的扩音机电路,若用乙类推挽功放,则应选 额定功耗至少应为2W 的功率管 只 48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为甲 类 为了消除交越失真常采用」 甲乙类 电路。 9、乙类功放的主要优点是效率高 ,但出现交越失真,克服 交越失真的方法是 采用甲乙类 50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫交越失 真 51、双电源互补对称功率放大电路(0CL)中V=8v,R=82,电路的 最大输出功率为4W,此时应选用最大功耗大于0.8_功率管。 52、差动放大电路中的长尾电阻R.或恒流管的作用是引人一个共 植负 反馈。 53、己知某差动放大电路A=100、Km60dB,则其A=0.1
33、晶体管工作在饱和区时,发射结 a ,集电结 a ;工作在放 大区时,集电结 b ,发射结 a 。(填写 a 正偏,b 反偏,c 零偏) 34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、 输出电压与输入电压反相,可选用 共射 组态;希望输入电阻大、 输出电压与输入电压同相,可选用 共集 组态。 35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻 大 ,热稳定性 好 36、影响放大电路通频带下限频率 fL的是 隔直 电容和 极间 电 容。 37、三极管工作在放大区时,它的发射结保持 正向 偏置,集电结 保持 反向 偏置。 38、场效应管有 共源 、 共栅 、 共漏 三种组态。 39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带 窄 。 40、场效应管从结构上分成 结型 FET 和 MOSFET 两大类型,它 属于 电压 控制型器件。 41、场效应管属于 电压控制电流 型器件,而双极型半导体 三极管则可以认为是 电流控制电流 型器件。 42、场效应管是 电压控制电流器件 器件,只依靠 多数载 流子 导电。 43、根据场效应管的输出特性,其工作情况可以分为 可变电阻区 、 恒流区、 击穿区 和截止区四个区域。 44、当栅源电压等于零时,增强型 FET 无 导电沟道,结型 FET 的 沟道电阻 最小 。 45、FET 是 电压控制 器件,BJT 是 电流控制 器件。 46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为 甲 类 。 47、一个输出功率为 10W 的扩音机电路,若用乙类推挽功放,则应选 额定功耗至少应为 2W 的功率管 2 只。 48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为 甲 类 ,为了消除交越失真常采用 甲乙类 电路。 49、乙类功放的主要优点是 效率高 ,但出现交越失真,克服 交越失真的方法是 采用甲乙类 。 50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫 交越 失 真。 51、双电源互补对称功率放大电路(OCL)中 VCC=8v,RL=8Ω,电路的 最大输出功率为 4W ,此时应选用最大功耗大于 0.8W 功率管。 52、差动放大电路中的长尾电阻Re或恒流管的作用是引人一个 共 模负 反馈。 53、已知某差动放大电路 Ad=100、KCMR=60dB,则其 AC= 0.1
集成电路运算放大器一般由差分输入级、中间级、输出级 偏置电路 四部分组成。 54、差分式放大电路能放大直流和交流信号,它对差模信号 具有放大能力,它对共模信号具有抑制能力。 55、差动放大电路能够抑制零漂和共模输入信号 56、电路如图1所示,T1、Tz和T,的特性完全相同,则I2≈0.4 mA,I≈0.2mA,则R≈10 k0。 0+5V R.2k 图1 57、集成运放通常由输入级 、中间级:输出级、偏置级四 个部分组成。 58、正反馈是指反馈信号增强净输入信号;负反馈是指反馈 信号减弱净输入信号 59、电流并联负反馈能稳定电路的输出电流,同时使输入电阻 减小 60、负反馈对放大电路性能的改善体现在:提高 增益的稳定 减小 非线性失真 抑制 反馈环内噪声 护展航带 、改变输入电阻和输出电阻。 61、为了分别达到下列要求,应引人何种类型的反馈: ①降低电路对信号源索取的电流: 串联负反馈 ②当环境温度变化或换用不同B值的三极管时,要求放大电路的静态 工作点保持稳定: 直流品行溃 ③稳定输出电流: 电流负反馈 62、电压串联负反馈能稳定电路的输出电压 同时使输入电 阻 63、某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000,反馈系数F 0.01,则闭环放大倍数Ay≈ 100 64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是4+1=0 65、负反馈放大电路的四种基本类型是电压串联、电压并联、 电流串联、 电流并联 66、为稳定电路的输出信号,电路应采用 负 反馈。为了产生 一个正弦波信号,电路应采用正反馈
集成电路运算放大器一般由 差分输入级 、中间级、输出级、 偏置电路 四部分组成。 54、差分式放大电路能放大直流和交流信号,它对 差模信号 具有放大能力,它对 共模信号 具有抑制能力。 55、差动放大电路能够抑制 零漂 和 共模输入信号 。 56、电路如图 1 所示,T1、T2 和 T3 的特性完全相同,则 I2≈ 0.4 mA,I3≈0.2mA,则 R3≈ 10 kΩ。 57、集成运放通常由 输入级 、中间级;输出级、 偏置级 四 个部分组成。 58、正反馈是指 反馈信号增强净输入信号 ;负反馈是指 反馈 信号减弱净输入信号 。 59、电流并联负反馈能稳定电路的 输出电流 ,同时使输入电阻 减小 。 60、负反馈对放大电路性能的改善体现在:提高 增益的稳定 性 、减小 非线性失真 、抑制 反馈环内噪声 、 扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。 61、为了分别达到下列要求,应引人何种类型的反馈: ①降低电路对信号源索取的电流: 串联负反馈 。 ②当环境温度变化或换用不同 值的三极管时,要求放大电路的静态 工作点保持稳定: 直流负反馈 。 ③稳定输出电流: 电流负反馈 。 62、电压串联负反馈能稳定电路的 输出电压 ,同时使输入电 阻 大 。 63、某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000,反馈系数F= 0.01,则闭环放大倍数 f 100 。 64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 AF +1 = 0 。 65、负反馈放大电路的四种基本类型是 电压串联 、 电压并联 、 电流串联 、 电流并联 。 66、为稳定电路的输出信号,电路应采用 负 反馈。为了产生 一个正弦波信号,电路应采用 正 反馈。 图 1
67、理想集成运算放大器的理想化条件是A,∞、R∞、 Ko 68、理想运算放大器的理想化条件中有A二无穷_,K=无穷 69、电流源电路的特点是,直流等效电阻小,交流等效电阻 70、电流源的特点是输出电流恒定,直流等效电阻小,交流 等效电阻 71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是虚断和 虚短 72、理想运算放大器,A=无穷大、R=无穷大、R。=0。 73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或正反馈状 74、如果有用信号频率高于1000Hz,可选用高通滤波器: 如果希望500Hz以下的有用信号,可选用低通滤波器。 75、选取频率高于1000Hz的信号时,可选用高通滤波器:抑制 50z的交流干扰时,可选用带阻滤波器;如果希望抑制500z 以下的信号,可选用高通滤波器。 76、有用信号频率高于1000,可选用高通_滤波器;希望抑制 50Hz的交流电源干扰,可选用带阻滤波器:如果希望只通过 500Hz到1kz的有用信号,可选用带通滤波器。 77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为:低通滤波器 高通滤 波器 ,带通滤波器及带阻滤波器。 78、集成运算放大器在线性状态和理想工作条件下,得出两 个重要结论,它们是:虚断和虚短 79、通用型集成运算放输入级大多采用差分放大电路, 输出级 大多采用共集电路。 80、正弦波振荡电路是由放大电路 反馈网络 、选频网 络、稳幅环节四个部分组成。 81、正弦波振荡电路产生振荡时,幅度平衡条件为_例= 相位平衡条件为中+中r=2nπ n=0、1、2.。 82、信号发生器原理是在电路负反馈时4F=-1,例如自激 电路。在正反馈时AF=1,例如文氏振荡电路。 83、石英晶体振荡器是LC振荡电路的特殊形式,因而振荡 频率具有很高的稳定性。 84、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是_-】 、其中 相位平衡条件是+4:=_2mπ,n为整数、为使电路起振,幅值条
67、理想集成运算放大器的理想化条件是 Aud= ∞ 、Rid= ∞ 、 KCMR= ∞ 、RO = 0 68、理想运算放大器的理想化条件中有 Avd= 无穷 ,KCMR= 无穷 。 69、电流源电路的特点是,直流等效电阻 小 ,交流等效电阻 大 。 70、电流源的特点是输出电流 恒定 ,直流等效电阻 小 ,交流 等效电阻 大 。 71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是 虚断 和 虚短 。 72、理想运算放大器,Ad= 无穷大 、Ri= 无穷大 、Ro= 0 。 73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 正反馈 状 态。 74、如果有用信号频率高于 1000Hz, 可选用 高通 滤波器; 如果希望 500 Hz 以下的有用信号,可选用 低通 滤波器。 75、选取频率高于 1000Hz 的信号时, 可选用 高通 滤波器;抑制 50 Hz 的交流干扰时,可选用 带阻 滤波器;如果希望抑制 500 Hz 以下的信号,可选用 高通 滤波器。 76、有用信号频率高于 1000Hz, 可选用 高通 滤波器;希望抑制 50 Hz 的交流电源干扰,可选用 带阻 滤波器;如果希望只通过 500Hz 到 1kHz 的有用信号,可选用 带通 滤波器。 77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为:低通滤波器、 高通滤 波器 、带通滤波器及 带阻滤波器 。 78、集成运算放大器在 线性 状态和 理想工作 条件下,得出两 个重要结论,它们是: 虚断 和 虚短 。 79、通用型集成运算放输入级大多采用 差分放大 电路, 输出级 大多采用 共集 电路。 80、正弦波振荡电路是由 放大电路 、 反馈网络 、选频网 络、 稳幅环节 四个部分组成。 81、正弦波振荡电路产生振荡时,幅度平衡条件为 AF = 1 , 相位平衡条件为 A + F = 2n n=0、1、2. 。 82、信号发生器原理是在电路负反馈时 • • AF = -1 ,例如 自激 电路。在正反馈时 • • AF = 1 ,例如 文氏 振荡电路。 83、石英晶体振荡器是 LC 振荡电路 的特殊形式,因而振荡 频率具有很高的稳定性。 84、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 AF = 1 、其中 相位平衡条件是 a + f = 2n ,n 为整数 、为使电路起振,幅值条
件是a>1 85、正弦波振荡电路必须由放大电路、反馈网络、选频网 终、稳幅环节四部分组成。 86、RC正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有:A,=3、F,=3 @=0=RC 87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是=1 p。+p,=2mrn为整数。 88、正弦波振荡电路起振的条件是a>1和Φ,+中,=21xn为整 数。 89、有用信号频率高于1000Hz,可选用高通滤波器。文氏 电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数A≥3,才能满足起 振条件。 90、为了稳定电路的输出信号,电路应采用交流负反馈。为了产 生一个正弦波信号,电路应采用正反馈。 91、直流电源是将电网电压的交流电转换成直流电的能量 转换电路。 92、三端集成稳压器7805输出电压+5V,7915输出电压-15V 93、直流电源一般由下列四部分组成,他们分别为:电源变压器、滤 波电路、 稳压 电路和整流 电路。稳压集成电路 W7810输出电压+10 V 94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路;半波整流电路 输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有 效值的0.45倍:全波整流电路输出的直流电压平均值等于输 入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的0.9_倍。 95、三端集成稳压器7915的输出电压为-15伏。 96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是输出取样电 97、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是调整管的的状 态不同 98、小功率稳压电源一般由电源变压器、整流电路、滤波 器、`类不等州头直总秋为颜幸大克 稳压电路等四部分构成。 100、串联反馈式稳压电路由调整管、比较放大、基准电
件是 AF 1 。 85、正弦波振荡电路必须由 放大电路 、 反馈网络 、 选频网 络 、 稳幅环节 四部分组成。 86、RC 正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有: AV = 3 、FV = 3 1 、 = 0 = RC 1 。 87 、 正弦 波 自激 振荡 电 路振 荡的 平衡 条 件是 AF = 1 、 a + f = 2n n 为整数 。 88、正弦波振荡电路起振的条件是 AF 1 和 A + F = 2n n 为整 数。 89、有用信号频率高于 1000Hz, 可选用 高通 滤波器。文氏 电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数 Af≥3 ,才能满足起 振条件。 90、为了稳定电路的输出信号,电路应采用 交流负 反馈。为了产 生一个正弦波信号,电路应采用 正 反馈。 91、直流电源是将电网电压的 交流电 转换成 直流电 的能量 转换电路。 92、三端集成稳压器7805 输出电压 +5 V,7915 输出电压 -15 V。 93、直流电源一般由下列四部分组成,他们分别为:电源变压器、滤 波电路、 稳压 电路和 整流 电路。稳压集成电路 W7810 输出电压 +10 V。 94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路;半波整流电路 输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有 效值的 0.45 倍;全波整流电路输出的直流电压平均值等于输 入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的 0.9 倍。 95、三端集成稳压器 7915 的输出电压为 -15 伏。 96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 输出取样电 压 。 97、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 调整管的的状 态不同 。 98、小功率稳压电源一般由 电源变压器 、 整流电路 、 滤波 器 、 稳压电路 等四部分构成。 99、 幅度失真 和 相位失真 总称为频率失真。 100、串联反馈式稳压电路由 调整管 、 比较放大 、 基准电
压、取样环节四部分组成。 单项选择题 1、半导体二极管加正向电压时,有(A) A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、PN结正向偏置时,其内电场被(A) A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定 3、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于(A) A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 4、在本征半导体中掺入(A)构成P型半导体。 A、3价元素 B、4价元素 C、5价元素 D、6价元 5、PN结V一I特性的表达示为(A) A、io=1s(eo%-) B、io=Is(e-l)a C、o=Ieww-l D、n-eoy 6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带 (B) A、变宽 B、变窄 C、不变D、与各单级放大 电路无关 7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电 阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为(C) A、10k9B、2k2C、4k0D、3k2 8、三极管工作于放大状态的条件是(A)
压 、 取样环节 四部分组成。 单项选择题 1、半导体二极管加正向电压时,有( A ) A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、PN 结正向偏置时,其内电场被( A ) A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定 3、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于(A ) A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 4、在本征半导体中掺入( A )构成 P 型半导体。 A、3 价元素 B、4 价元素 C、5 价元素 D、6 价元 素 5、 PN 结 V—I 特性的表达示为( A ) A、 ( 1) / = − D VT v D S i I e B、 vD D S i = I (e −1) C、 1 / = − D VT v D S i I e D、 D VT v D i e / = 6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带 ( B ) A、变宽 B、变窄 C、不变 D、与各单级放大 电路无关 7、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接入 12kΩ的负载电 阻后,输出电压降为 3V,这说明放大电路的输出电阻为( C ) A、 10kΩ B、2kΩ C、4kΩ D、3kΩ 8、三极管工作于放大状态的条件是( A )
A、发射结正偏,集电结反偏 B、发射结正偏,集电结 正偏 C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结 反偏 9、三极管电流源电路的特点是() A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大 C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小 D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大 10、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V∝应当 (A) A、短路 B、开路 C、保留不变D、电流 源 11、带射极电阻R.的共射放大电路,在并联交流旁路电容C.后,其 电压放大倍数将(B) A、减小 B、增大 C、不变 D、变为 零 12、有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和 B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下, 测得A放大器的输出电压小,这说明A的(B) A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出 电阻小 13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与 低阻负载间接入(C) A、共射电路B、共基电路C、共集电路 D
A、发射结正偏,集电结反偏 B、发射结正偏,集电结 正偏 C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结 反偏 9、三极管电流源电路的特点是( ) A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大 C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小 D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大 10、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源 VCC 应当 ( A ) A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流 源 11、带射极电阻 Re的共射放大电路,在并联交流旁路电容 Ce 后,其 电压放大倍数将( B ) A、减小 B、增大 C、不变 D、变为 零 12、有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路 A 和 B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下, 测得 A 放大器的输出电压小,这说明 A 的( B ) A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出 电阻小 13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与 低阻负载间接入( C ) A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D
共集-共基串联电路 14、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示,当V6V,其电流 放大系数B为(B) ie(mA) 100uA 80uA 4 60uA 40uA VeE (V) 图1 A、B=100 B、B=50 C、B=150 D、B=25 15、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6Y、2.7V、2V,(见 图2所示)则此三极管为(D) 6 图2 A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 16、多级放大电路的级数越多,则其(A) A、放大倍数越大,而通频带越窄 B、放大倍数越大, 而通频带越宽 C、放大倍数越小,而通频带越宽 D、放大倍数越小, 而通频带越窄 17、当放大电路的电压增益为-20B时,说明它的电压放大倍数为
共集-共基串联电路 14、某 NPN 型三极管的输出特性曲线如图 1 所示,当 VCE=6V,其电流 放大系数β为( B ) A、 =100 B、 =50 C、 =150 D、 =25 15、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为 6V、2.7V、2V,(见 图 2 所示)则此三极管为( D ) A、PNP 型锗三极管 B、NPN 型锗三极管 C、PNP 型硅三极管 D、NPN 型硅三极管 16、多级放大电路的级数越多,则其( A ) A、放大倍数越大,而通频带越窄 B、放大倍数越大, 而通频带越宽 C、放大倍数越小,而通频带越宽 D、放大倍数越小, 而通频带越窄 17、当放大电路的电压增益为-20dB 时,说明它的电压放大倍数为 图 2 图 1
() A、20倍B、-20倍C、-10倍D、0.1倍 18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时,要求(A) A、独立信号源短路,负载开路B、独立信号源短路,负载短路 C、独立信号源开路,负载开路D、独立信号源开路,负载短路 19、场效应管放大电路的输入电阻,主要由(C)决定 A、管子类型 B、g C、偏置电路 D、 Vcs 20、场效应管的工作原理是(D) A、输入电流控制输出电流 B、输入电流控制输出电压 C、输入电压控制输出电压 D、输入电压控制输出电流 21、场效应管属于(A) A、单极性电压控制型器件 B、双极性电压控制型器件 C、单极性电流控制型器件 D、双极性电压控制型器件 22、如图3所示电路为(C) 图3 A、甲类OCL功率放大电路 B、乙类OCL功率放大电路 C、甲乙类0CL功率放大电路 D、甲乙类OL功率放大电路
( ) A、20 倍 B、-20 倍 C、-10 倍 D、0.1 倍 18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时,要求(A ) A、独立信号源短路,负载开路 B、独立信号源短路,负载短路 C、独立信号源开路,负载开路 D、独立信号源开路,负载短路 19、场效应管放大电路的输入电阻,主要由( C)决定 A、管子类型 B、gm C、偏置电路 D、 VGS 20、场效应管的工作原理是(D ) A、输入电流控制输出电流 B、输入电流控制输出电压 C、输入电压控制输出电压 D、输入电压控制输出电流 21、场效应管属于( A ) A、单极性电压控制型器件 B、双极性电压控制型器件 C、单极性电流控制型器件 D、双极性电压控制型器件 22、如图 3 所示电路为( C) A、甲类 OCL 功率放大电路 B、乙类 OCL 功率放大电路 C、甲乙类 OCL 功率放大电路 D、甲乙类 OTL 功率放大电路 图 3