模拟电子技术复习资料总结 第一率半导体二极管 一半导体的基础知识 1半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、储G)。 2.特性一光敏、热敏和渗杂特性。 3本征半导体海的具有体结柏的半导体 4两种载流子一带有正、 负电 的可移动的空穴和电子统称为载流子， 5杂质半导体在本征半导体中渗入徽量杂质形成的半导体。体现的是半导体的渗杂特性。 P型半导体：在本征半导体中携入徽量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 N型半导体：在本征半导体中排入撒量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 载流子的浓度一多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关， 体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 转型一通过改变排杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结 *PN结的接触电位差-硅材料约为0.6-0.8V,储材料的为0.2-0.3V。 *PN结的单向导电性一正偏导通，反偏止。 8.PN结的伏安特性 imA 正向特性 4五0 RV 反向特性 二.半导体二极管 *单向导电性一一正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性一同PN结。 *正向导通压降-硅管0.6-0.7V,储管0.2-0.3V. 死区电压-硅管0.5V,错管0.1V。 3分析方法一将二极管断开，分析二极管两端电位的高低： 若V■>V(正偏)，二极管导通（短路） 若V<V(反偏，二极管截止（开路 1)图解分析法 Up=VDD-IpR 该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q
模拟电子技术复习资料总结 第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。 2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子 -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN 结 * PN 结的接触电位差-硅材料约为 0.6~0.8V，锗材料约为 0.2~0.3V。 * PN 结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。 8. PN 结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性-正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性-同ＰＮ结。 *正向导通压降-硅管 0.6~0.7V，锗管 0.2~0.3V。 *死区电压-硅管 0.5V，锗管 0.1V。 3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 <V 阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点 Q
(a)二极管电路 (b)图解分析 2)等效电略法 直流等效电略法 总的解题手段 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳>V阴（正偏，二极管导通（短路： 若V阳<V阴（反偏），二极管截止（开路）。 *三种模型 。H一 H (a)理想模型 (b)恒压源模型 (c)折线模型 徽变等效电路法 害 (d)小信号模型 三.稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性一正常工作时处在P、结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 车，m 稳压管的伏安特性 第二章§21三极管及其基本放大电路 一.三极管的结构、类型及特点 1类型-分为NPN和PNP两种。 2特点一基区很薄，且渗杂浓度最低：发射区渗杂浓度很高，与基区接触 面积较小巢电区渗杂浓度较高，与基区接触面积较大。 三极管的工作原理 1.三极管的三种基本组态
2) 等效电路法 ➢ 直流等效电路法 *总的解题手段-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 <V 阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 *三种模型 ➢ 微变等效电路法 三. 稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性-正常工作时处在 PN 结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 第二章§2-1 三极管及其基本放大电路 一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型-分为 NPN 和 PNP 两种。 2.特点-基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态
a发射极组态 b)共集电极组态 (共基极组 2.三极管内各极电流的分配 Ic=ICN+IcBo Ig=IBN+ICN=IB+Ic IB=IBN-ICBo *共发射极电流放大系数（表明三极管是电流控制器件 =盒 Ic=BIB +(1+B)ICBO=BIB+ICEO =BIB 式子lcE0=(1+pP)MCBo 称为穿透电流。 3.共射电路的特性曲线 “输入特性曲线-一同二极管 ()测试电路 (b)输入特性曲线 *输出特性曲线 (饱和管压降，用Us表示 放大区-一发射结正偏，集电结反偏。 截止区-一发射结反偏，集电结反偏。 4.温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动 温度升高co、Io、e以及B均增加。 三。低频小信号等效棋型（简化） 输出端交流短路时的输入电阻， 常用ne表示： 一输出端交流短路时的正向电流传输比， 常用B表示 )简化的H参数等效电路 四.基本放大电略组成及其原则 1.VT、cc、R、Re、C1、C2的作用。 2组成原则一能放大、不失真、能传输。 五。放大电路的图解分析法 1.直流通路与静态分析 *概念-直流电流通的回路。 *画法一电容视为开路。 基本放大电路的习惯画法
2. 三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。 3. 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线-同二极管。 * 输出特性曲线 (饱和管压降，用 UCES表示 放大区-发射结正偏，集电结反偏。 截止区-发射结反偏，集电结反偏。 4. 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高 ICBO、 ICEO 、 IC 以及 β 均增加。 三. 低频小信号等效模型（简化） hie-输出端交流短路时的输入电阻， 常用 rbe表示； hfe-输出端交流短路时的正向电流传输比， 常用 β 表示； 四. 基本放大电路组成及其原则 1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2 的作用。 2.组成原则-能放大、不失真、能传输。 五. 放大电路的图解分析法 1. 直流通路与静态分析 *概念-直流电流通的回路。 *画法-电容视为开路
*作用一确定静态工作点 直流负载线-由Vcc-IcRc+UCE确定的直线 电路参数对静态工作点的影响 (b)改变R 1)改变R。:Q点将沿直流负载线上下移动， 2)改变R。:Q点在I侧所在的那条输出特性曲线上移动。 3)改变VC:直流负载线平移，O点发生移动。 念 交液电流流通的回 *画法一电容视为短略，理想直流电压源视为短略。 *作用一分析信号被放大的过程。 交流负载线-连接O点和Vcc'点Vcc=UcEo+IcoRL的 直线。 3.静态工作点与非线性失真 e (mA) 直 交流 (b)输出特性图解法 ()输入特性图解 (1)截止失真 *产生原因-一Q点设置过低 “失真现象 N管削顶， PP管制底 *消除方法一减小Rb,提高。 (2)饱和失真 *产生原因-Q点设置过高 *失真现象一NPN管削底，PNP管削顶。 *消除方法-增大R、减小RC、增大Vc 4.放大器的动态范围 (I)Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 (2)范围 “当(UE0一Ucs)>(Vcc一UcEe)时，受截止失真限制，Uom=2UoM-2lCOR
*作用-确定静态工作点 *直流负载线-由 VCC=ICRC+UCE 确定的直线。 *电路参数对静态工作点的影响 1）改变 Rb ：Q 点将沿直流负载线上下移动。 2）改变 Rc ：Q 点在 IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。 3）改变 VCC：直流负载线平移，Q 点发生移动。 2. 交流通路与动态分析 *概念-交流电流流通的回路 *画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。 *作用-分析信号被放大的过程。 *交流负载线- 连接 Q 点和 V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的 直线。 3. 静态工作点与非线性失真 （1）截止失真 *产生原因-Q 点设置过低 *失真现象-NPN 管削顶，PNP 管削底。 *消除方法-减小 Rb，提高 Q。 （2） 饱和失真 *产生原因-Q 点设置过高 *失真现象-NPN 管削底，PNP 管削顶。 *消除方法-增大 Rb、减小 Rc、增大 VCC 。 4. 放大器的动态范围 （1） Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 （2）范围 *当（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’
le(mA) 交 ()输出特性图解法 (a)输入特性图解 当(Uce一Uc)BRC。 2放大电路的动态分析 2:111 (a)交流通路 (b)微变等效电路 *放大倍数 s Ri R风 Rs+Ri rbe 输入电阻 A-4 Rpllrbe *输出电阻 红=R R 七。分压式稳定工作点共射 放大电略的等效电路法 1.静态分析 稳定工作点放大器
*当（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2 （UCEQ－UCES）。 *当（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ ），放大器将有最大的不失真输出电压。 六. 放大电路的等效电路法 1. 静态分析 （1）静态工作点的近似估算 （2）Q 点在放大区的条件 欲使 Q 点不进入饱和区，应满足 RB＞βRc 。 2. 放大电路的动态分析 * 放大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻 七. 分压式稳定工作点共射 放大电路的等效电路法 1．静态分析
Ioe-en,l侧.tco/ Re UcEQ≈Vcc-IcQ(Re+Re) 2.动态分析 (a)直流通路 “电压放大倍数 R Ui rbe+(1+B)Re 在Re两端并一电解电容Ce后 微变等效电路 uA+元 rbe 输入电阻 Ri Rbil/Rb2//rbe+(1+p)Rel 在Re两增并一电解电容Ce后 Ri Rb1l/Rb2//r be 输出电阻 RO≈Re 八共集电极基本放大电略 1.静态分析 + IC0≈HBO UcEQ Vcc-IcoRe ()共集电极基本放大电路 2.动态分析 *电压放大倍数 1+)R *输入电阻 (b)H参数等效电路 R=rbe+(1+(ReR川 ·输出电阻
2．动态分析 *电压放大倍数 在 Re 两端并一电解电容 Ce 后 输入电阻 在 Re 两端并一电解电容 Ce 后 * 输出电阻 八. 共集电极基本放大电路 1．静态分析 2．动态分析 * 电压放大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻
IT 1+B 3.电路特点 ·电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。 ·输入电阻高，输出电阻低。 22场效应管及其基本放大电略 结型场效应管(JFET) 1结构示意图和电路符号 梦电沟道 (a)NFET结构及电路符号(b)P-JFET结构及电路符号 2.输出特性曲线 (可变电阻区、放大区、藏止区、击穿区) 相区 输出特性 转移特性曲线 一裁止电压 tomal(rs) #cs-OV 恤和区-2Y力 -3V =6N+6 】截止区 海小 s/y 输出特性 (b)转移特性 二.给缘播型场效应管(MOSFET) 分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种， 结构示意国和电路符号
3. 电路特点 * 电压放大倍数为正，且略小于 1，称为射极跟随器，简称射随器。 * 输入电阻高，输出电阻低。 §2-2 场效应管及其基本放大电路 一. 结型场效应管（ JFET ） 1.结构示意图和电路符号 2. 输出特性曲线 （可变电阻区、放大区、截止区、击穿区） 转移特性曲线 UP - 截止电压 二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET） 分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。 结构示意图和电路符号
P-EMO (a)EMO5结构及电路符号 (b)DMOS结构及电路符号 2.特性曲线 N-EMOS的输出特性曲线 Ues-6V is/mA 4V 3V (a)增强型输出特性()增强型转移特性 NEMOS P的特移特性0no2cs> 式中 所对应的值。 Y-DMOS的输出特性曲线 Ucs-0V (c)耗尽型输出特性()耗尽型转移特性 注意：M可正、可零、可负。转移特性曲线上加处的值是夹断电压，此曲线表示式与结型场效 应管一致， 三场效应管的主要参数 1漏极饱和电流DSS 2.夹断电压0， 3开启电压 4.直流输入电阻RS 5.低频跨导g如表明场效应管是电压控制暑件) 8m一Csls=带数 四.场效应管的小信号等效模型 a。+告a-ea Up E-M0S的跨导gm- UT UT 场效应管微变等效电路
2. 特性曲线 *N-EMOS 的输出特性曲线 * N-EMOS 的转移特性曲线 式中，IDO是 UGS=2UT时所对应的 iD 值。 * N-DMOS 的输出特性曲线 注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上 iD=0 处的值是夹断电压 UP，此曲线表示式与结型场效 应管一致。 三. 场效应管的主要参数 1.漏极饱和电流 IDSS 2.夹断电压 Up 3.开启电压 UT 4.直流输入电阻 RGS 5.低频跨导 gm (表明场效应管是电压控制器件) 四. 场效应管的小信号等效模型 E-MOS 的跨导 gm -
五.共源极基本放大电路 +YDD 1.自偏压式偏置放大电路 静态分析 UGSQ =-IDQRs Inoss (a)原理电路 UpsQ=VDD-IpQ(Rd+Rs) 动态分析 d 会 + ifg-io Ri 若带有C,则Au=8mR1 R, Ri-Rg RoRd (c)微变等效电路 2.分压式偏置放大电路 *静态分析 ta R on器该wo学r (a)原理电路 UDSQ =IDD-IDQ(Rd +Rs) ·动态分析 -8mR吃 店 g RA i.R 若源极带有c,则如8m配 (c)微变等效电路 Ri=Rg+Rgl//Rg2 Ro≈Rd 六共漏极基本放大电略 *静态分析 +V UGso-Ra+Ru ORe R. 。 ()电路组成
五. 共源极基本放大电路 1.自偏压式偏置放大电路 * 静态分析 动态分析 若带有 Cs，则 2.分压式偏置放大电路 * 静态分析 * 动态分析 若源极带有 Cs，则 六.共漏极基本放大电路 * 静态分析
Ra受f.r1=moR 动态分析 d=gn风.居=RWe即 (b)微变等效电路 风会=风品
或 ， * 动态分析