FEATURE I Micro Nano Optics 对微纳光子学发展的一些战略思考 Strategical Thinking on Development of Micro- and Nano-Photonics 李淳飞 (哈尔滨工业大学理学院物理系,黑龙江哈尔滨1501 Li Chunfei ( Department of Physics, School of Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, heilongjiang 150001, China 摘要对比电子学和光子学的发展路线图,提出光子学及其2个发展阶段—微光子学和纳光子学的定义,并 介绍它们的主要研究内容。指出微光子技术主要是“以电控光”的技术,其关键器件是半导体激光器;纳光 子技术主要是“以光控光”的技术,其关键器件是全光开关。 关键词微米光子学;纳米光子学;半导体激光器;全光开关 Abstract The photonics has two developing phases: microphotonics and nanophotonics the definitions of them are point out, and their contents are introduced. The key devices for microphotonics are semiconductor lasers, which are controlling photons with electrons; the key devices for nanophotonics are all-optical switches, which are controlling photons with photons Key words microphotonics: nanophotonics; semiconductor lasers, all-optical switches 中图分类号TN201 1光子学的发展和内涵 过去的100年中,光子学的发展比电子学的发展 11电子学和光子学的发展路线图 慢得多,主要原因有两个:一是电子学的电源是相干 电子学与光子学的发展过程有很大的相似性,如图的,而光子学的相干光源(激光器)直至20世纪60年 1所示。电磁学和光学出生于同一个学科—物理学;代才发明两者相差200年,致使光子学的诞生比电 子学的诞生迟了半个世纪;二是电子学在1948年就 (宏观向纳米尺度(介观)的发展过程:即从微电子学到发明品体管,而光子学发展至今还没有“光晶体管”。 纳电子学和从微光子学到纳光子学的过程;21世纪以 后两者将并驾齐驱最终实现电子器件与光子器件的共进行数字化信息处理但不可能实现高带宽高并行 度的信息传输;光子学的传输带宽很大,但实现数字 集成,使人类进人纳米信息技术的新时代 化信息处理十分困难 存在这种差别的根本原因是电子和光子的特性 不同:电子带电,光子不带电。电子之间可以通过电场 相互关联,因此能够通过晶体管直接实现以弱电信号 电⊥教 子找术电子找 控制强电信号。而光子不带电,不可能直接实现“以光 控光”,只有通过非线性光学的方法,以强光改变介 的光学性质来实现对弱信号光的控制,因此很难实现 以弱光控制强光的“光晶体管”。 图1电子学和光子学发展的路线图比较 12光子学的定义和内涵 为区别建立在非相干光源基础上的传统光学,人 中国光学期刊网ww. opticsjournal. net15
专题报道微纳光学 们把以激光为光源的光学称为现代光学。激光是由状的载体”的技术,主要包含信息光子技术与能量光子 态相同的光子所组成,显示出激光的光子特性,因此技术两部分 现代光学的诞生就意味着光子学的诞生。从广义观点 表1微光子学与纳光子学的特点比较 来看,光子学是研究光子的产生、传输以及与物质相 微光子学 纳光子学 互作用规律的科学。可以说,凡是与光子行为有关的 空间尺寸1-1000ym宏观 1-1000nm(介观) 学科,包括现代光学微光子学(即光电子学)纳光子光场特性场(>衍射极限)近场(<行射极限 学等都应该属于光子学的研究范畴 激光产生后的10年间,现代光学的理论发展很 电磁理论 学科别名 光电子学 全光子学 快,迅速建立起激光物理学、非线性光学信息光学和 控光方法 以电控光 量子光学等分支学科。不过当时的激光技术还较多地 以光控光 主要器件 使用尺寸较大的气体、固体液体和化学激光器。半导 半导体激光器 器全光开关器件 体激光器只是在低温下运转不能实用。这个时期相当主要系纷光通信:光子传输+电子交换 于电子学所处的真空管电子学阶段。 光计算:电子芯片+光子外设全光计算机 微电子学的诞生是从1960年发明半导体集成电 信息光子技术是以光子为信息载体的技术,其研 路开始。现代的电子计算机就是建立在集成电路芯片究内容包括光信息的产生、传输、处理、探测、显示、存 的基础上。在集成电路中,电子器件的尺寸是微米量储等。主要的技术有通信、计算、传感3个领域。 级的,故称微电子学 众所周之,信息技术是实现国民经济现代化的带 与微电子学对应的光子学是微光子学,它是从头技术。信息技术的发展正经历着4个发展阶段,如 1970年发明室温运转的半导体激光器、光纤以及其他表2所示。 集成光子器件以后发展起来的,这些器件是现代光纤 表2信息技术的4个发展阶段 通信的基础,其尺寸皆为微米数量级。在微米尺度范发展阶段起始年工作方式主要技术主要系统 围,光子特性表现得更为明显 随着21世纪科学的进步,微米尺寸的光子器件 信息技术1906以电控电电子管电话电报 电子管 将会发展成为纳米尺寸的器件,从而形成纳光子学。 分立电路无线电通信 从微米到纳米,不只是空间尺度在数量上的变化,其微电子 实是从“宏观”到“介观”的一次质的飞跃。 信息技术1948以电控电。超体电子计算机、 集成电路 电子通信 互联网 总之现代光学就是光子学。微光子学和纳光子微光子 学分别是微米和纳米尺度的光子学它们是光子学的信息技术1970以电控光半导体激光器光纤通信、 光纤技术微机、手机 两个发展阶段。 纳光子 微光子学的研究对象属于宏观范围,其光场称为信息技术20x以光控光 全光开关光计算机、 集成光路全光通信 远场(即传播场):纳光子学的研究对象属于介观范 在信息技术的不同发展阶段,信息的控制方式有 围,其光场称为近场(即倏逝场)。从控光技术来看微不同特点:在电子信息技术阶段(包括电子管信息技 光子学是“以电控光”的光子学,或称为光电子学其术和微电子信息技术阶段),是以电控制电;在微光子 核心技术是半导体激光器及其应用技术。在微光子学信息技术阶段(或光电子信息技术阶段),是以电控制 阶段不仅器件是光电混合的,应用系统也是光电混光在纳光子信息技术阶段,则是以光控制光。 合的。例如光纤通信系统,光信号的干线传输已经是 现在人类还处在微光子(或光电子)信息技术阶 全光的但是光信号的交换还是用电子技术。而纳光段。在信息技术的通信计算传感3个主要领城中, 子学的发展方向是“以光控光”的光子学,其核心技术其功能单元和主要部件都是光子技术和电子技术的 是全光开关器件及其应用技术。在纳光子学阶段,应 混合,见表3 用系统也将是全光的。例如全光通信的光交换器是由 能源光子技术是以光子为能量载体的技术。实质 全光开关组成光学数字计算机也是由全光开关组成上是将光子能量与其他各种能量进行相互转换的技 的。微光子学与纳光子学的区别见表1。 术,包括光能→热能、电能、热核能、化学能、生物能等 13光子技术的定义和内涵 的转换,以及电能→光能的转换。这些转换过程牵涉 光子技术可以定义为:“以光子作为信息与能量各种技术 116光与光电子学进展200910
FEATURE I Micro Nano Optics 表3光电子信息技术的光电混合特点 激光器调制器衰减器波分复用器 信息领域功能单元 技术种类 DWDM光纤 光纤放大镜 信号传输 光子技术 通信 通信系统 信号交换 电子交换器电子技术 计算机CPU硅电子芯片 电子技术 一位 计算机外设光盘、 输出/输入 光子技术 化合物单导体石英光质无纤光多」 图2光纤通信发射端的光子器件由不同材料构成 传感元件 光纤传感器 光子技术 传感 光纤网络 光纤通信的进一步发展是实现全光通信,如今的 信息处理解调器,电子开关电子技术 电子交换机需要换成光子交换机,这样光信号的交换 可以不经过光电转换直接在光域中完成,因此全光开 2微光子学技术 关器件的研究至关重要。但是低功耗、高速的全光开 微光子学从1970年起发展至今,已近40年。目关只有在纳光学和飞秒激光技术的条件下才能实现 前信息微光子技术的核心技术是光纤通信,而能量微22能源微光子技术的热点——光照明、太阳电池 光子技术的热点技术有半导体光照明、太阳电池等。2.2.1半导体光照明 21信息微光子技术的关键—光纤通信技术 人类经历过两次照明革命。第一次是20世纪从 光纤通信技术的重要性表现在 火到白炽灯和荧光灯的革命,第二次是21世纪使用 1)光纤通信以其高带宽和波分复用并行处理技半导体光源(LED)的革命。LED光源的优点是 术而大大优越于电子通信。由于掺饵光纤放大器1)高效节能:可以减少全球照明用电的50%和总 (EDFA)和密集波分复用器(DWDM)的发明,使光通耗电的10%; 信实现了“全光传输”; )降低成本:节约灯灯具、电费的开支达到每年 2)光纤通信的器件技术,如有源器件、无源器件2500亿美元; 以及光纤、光缆等已经被广泛应用于其他技术,如光 3)绿色环保:可以减少CO2和SO2的排放量达到 纤传感技术、生物、医学光子技术、军用光子技术等 3.5万吨; 3)光纤通信的系统技术也已经用于巨型计算机4长寿命:LED光源比白炽灯寿命长10倍:比荧 和光纤传感网络等; 4)光纤通信的发展前景是光网技术。现在只剩下光灯长5倍 将LED与传统电光源的发光效率和使用寿命比 解决“最后1公里”的问题。“光纤到户”的普及是当前 较,大功率的白炽灯、荧光灯和白光LED的发光效率 的迫切任务。 光纤到户的主要困难是成本问题。为什么光纤通 分别是15,70-100,200lm/;寿命分别是1,20,大于 信的成本会那么高?因为元器件的价格太高。根本原 100kWh。 因是光通信器件的材料不统一,因此不能像电子技术 于半导体光照明的重要性,世界发达国家都纷 那样实现集成化和自动化 纷制定国家发展规划,注入重金开发这项技术。如美 光纤通信元器件材料不统一的情况,只要看看信国的“下一代照明光源计划”、日本的“21世纪光计 号发射机部分就可见一般了如图2所示。激光器是划”、欧共体的“彩虹计划”等,我国也提出了“国家半 化合物半导体材料,调制器是石英材料,衰减器是磁导体照明工程计划”。 光材料,稳频器是石英光纤,波分复用器是多层介质222半导体太阳电 膜,光纤放大器是掺铒光纤加抽运激光器等。 当今世界能源紧张,而太阳能的储量大得惊人 为实现器件材料的统一,人们正研究在石英基底地球表面每年接收到的太阳辐射能量高达18 上实现光子-电子共集成。主要困难是:硅是间接带隙0kWhe太阳是人类可以利用的最丰富的能源,而 半导体材料而不能发光;石英非线性太弱不易做全光且是一种最洁净的能源,不存在运输问题可以就地 开关。这两个困难在纳米光子学条件下都有可能解开发。 决,如可采取纳米硅晶发光,可采用微环谐振器做低 利用太阳能的主要物理效应是光伏效应,而半导 功耗全光开关 体p-n结器件的光电转换效率最高,因此称这类光伏 中国光学期刊网ww. opticsjournal.net17
专题报道|微纳光学 器件为太阳电池。太阳电池按材料分类有多晶、单晶复合材料、有机化学纳米材料以及生物纳米材料等 硅太阳电池;硫化镉、硒铟铜、碲化镉、砷化镓、磷化铟 化合物太阳电池;有机薄膜太阳电池等叫。太阳电池产 品的年增长率达到50%。现在光伏发电提供的电能约 占全球电能的2%,预计2040年达到21%-26%。电池 的效率已发展到较高水平,其中单晶硅电池的效率约 25%,多晶硅电池的效率约20%。目前正在研究的纳米 太阳电池有量子阱纳米硅电池和二氧化钛电池等,具 有效率高(可达80%)和成本低的优点 图51nm油滴的远场(a)和近场(b)照片 321量子限制材料与器件 3纳光子学技术 量子限制是由具有不同禁带宽度的两种半导体材 纳光子技术的研究内容包括纳米测量、纳米材料交替生长而成。有量子阱量子线和量子点,分别在一 料纳米器件、纳米加工等。 维、二维、三维方向上限制载流子的运动如图6所示 3.1近场光学的测量技术 般是通过纳米探针将纳米结构的近场信息转 化为远场(传播场)信息的方法来实现对纳米结构的 量子肼 量子点 测量。纳米探针有两种:空心的光纤探针和实心的金 (一维限制二维限制 属探针,如图3所示 图6量子阱、量子线和量子点材料的量子限制作用 沿晶体生长方向周期性地生长多个量子阱,形成 金属镀膜 光纤探针 的 IngaAs/GaAs多量子阱(MQW),如图7所示。其中 )近场光 近场光 GaAs和 In GaAs具有不同的禁带宽度,分别形成势阱 和势垒。电子、空穴被束缚在势阱中 中照明—一信号 图3两种纳米探针。(a)空心光纤探针;(b)实心金属探针 IngaAs层 基于纳米探针的纳米测量仪器有近场光学显微 镜和近场光学时间分辨光谱仪等。图4给出扫描近场 光学显微镜的工作原理图。图5给出1m油滴的近 场照片和远场照片比较 激发光 光纤耦合器 GRAs GaAs层 光纤耦合器 光纤探针 扫与反镜控制 物镜 图7(a) InGaAs/GaAs多量子阱结构;(b)能级结构图 滤波器 计算机 用此 In GaAs/GaAs多量子阱为有源层制成的垂 LPMT光电售增管 直腔表面发射激光器的结构如图8所示。其中一对 图4扫描近场光学显微镜的工作原理图 GaAs/ALAs分布反馈布拉格反射镜(DBR)组成光学 32纳米材料与器件 谐振腔。通过电极注入电流,激发出激光,从垂直输出 纳米材料的研究先从具有周期结构的无机纳米孔输出。 材料开始,主要有半导体量子限制材料、电介质光子图9给出ZnO量子线激光器的一个例子。anO量 晶体材料、金属膜等离子激元材料等。此外还有纳米子线具有六角形截面,长2-10m,直径20~160nm, 118颤光与兴田子等进展200910
FEATURE I Micro Nano Optics 在光激发下的受激辐射光沿中心轴的端口射出波长k关系)与半导体由薛定谔方程所确定的色散关系 为385nm (E-k关系)类似,也具有带隙结构,处于光子带隙内 D型接触 频率的光子会被光子晶体全反射。一维、二维和三维 输出光孔 p型排杂DBR 光子晶体对光子传播受限制的方向不同,类似于量子 具有电 限制效应,如图12所示。 MQW增益层(h-8m RAsAlAs 衬底 光子等 0.16 图8 In GEAR/GaAs多量子阱垂直腔表面发射激光器结构图 图12光子晶体的色散关系(-k关系) 若在光子晶体中引人缺陷,会在禁带中产生一个 图9(a)ZnO量子线;(b)六角形端面图 缺陷态如图183所示。具有缺陷态频率的光子将会局 图10给出制备InP量子点激光器的例子。先将 限在缺陷的位置不被快速衰减。 GaAs刻蚀成锥形,再在顶部外延生长InP形成量子 点,得到光致激光辐射,波长877rm1 光子带隙 陷态 图10在锥形GaAs(a)的顶部外延InP(b)形成 nP量子点激光器 3.22光子晶体材料与器件 图13光子带隙中的缺陷态 光子晶体是由两种不同折射率的材料周期性交 叠而成,有一维、二维和三维结构。一维的层状结构如 光子晶体中存在着两种缺陷:线状缺陷,光只能 同布拉格光栅;二维的有空气隙的圆柱体结构有如光 沿线缺陷的方向传播起着光波导的作用;点状缺陷 子晶体光纤;三维是由球形颗粒组成的蛋白石结构 光被封闭在一个全反射墙中,等价于一个微腔,如图 14所示叫。 如图11所示。 图14光子晶体的两种缺陷。(a)线缺陷;(b)点缺陷 光子晶体光纤和光子晶体波导器件正是利用了 图11光子晶体的一维,二维和三维结构 光子晶体的缺陷机制。图15给出了光子晶体光纤的 两种基本结构:基于带隙缺陷原理的空心光子晶体光 由 Maxwel方程确定的光子晶体的色散关系(-纤和基于全反射原理的实心光子晶体光纤 中国光学期刊网ww, opticsjournal.net19
专题报道|微纳光学 共振,即所谓表面等离子体激元效应。对光频波、金属 Au,Ag,A,C等产生的SP效应较强。 在光的激发下,在金属-电介质的界面上产生SP 效应的同时,光场与电磁场共振耦合,还会在界面 产生倏逝场该场在金属电介质的界面内传播,但 界面的垂直方向的电介质和金属内倏逝场呈指数衰 图15两种光子晶体光纤。(a)空心光子晶体光纤;减。这种光波的量子化称为等离子体激元极化子 b)实心光子晶体光纤 ( Surface Plasmons Polaritons,sPP),如图18可见 图16给出一个光子晶体全光开关的原理图。这在二维界面内传播的SP波是它的磁场分量,它平行 是在波导MZ千涉仪上加量子点相移器的触发开于界面,垂直于传播方向;SP波的两个电场分量组 关。开关能量小于1pJ,开关时间短于皮秒。 成的面与界面垂直。垂直于界面的电场分量渗透电介 质的距离为100m,渗透金属的距离为10nme 输出脉冲 光子品体延迟元件 控制脉冲 信号脉冲 控制脉冲 光子品体量子点非线性介质 电介质 金属 图16光子晶体/量子点M-Z全光开关原理 323表面等离子体激兄材料与器件 图18等离子体激元极化子波示意图 表面等离子体激元( Surface plasmons,SP)效应 利用SPP波的这些特性,可以制造纳米尺寸的光 可由以下实验得到,见图17。在一块玻璃棱镜上先镀波导及各种光子器件,如光耦合器M-Z干涉仪和高 上一层金属膜(如Ag),再覆盖一层电介质膜(如SO2灵敏度的传感器等。扫描近场光学显微镜的纳米金属 或PMMA),将P偏振光入射棱镜。改变入射角测量反探针就是利用了SPP效应。将金属薄膜与增益材料和 射光,在一特殊的角下可以获得最大的光吸收,这非线性材料相结合还能做有源器件和全光开关 是金属-电介质界面产生电磁场共振引起的吸收。因 将纳米光栅做在金属-电介质的边界上,可以定 为金属具有负折射率,在光激发下在界面处出现表面 向地激发SPP;反过来,利用光栅的散射作用,可将 电荷(自由电子)密度的周期性分布,引起电磁场的强SPP波转化为向外传输的光如图19所示,图中的电 介质为空气。 电介质 散射波 反射波 玻璃棱镜 个质 入射波 人射光 反射光 图19金属光栅对SPP波的散射和反射作用 SP效应可以应用于增强LED的发光效率。例如 在 InGaN/GaN量子阱材料的绿光LED的表面做 个银的光栅(周期500mm,槽深30mm),可加强 InGaN/GaN与SP电磁场的耦合,使光辐射加强 光效率提高近60%。 研究表明,金属实心或空心的颗粒在光的激发下 图17(a)产生表面等离子体激元的实验装置(b)反射率。会吸收光而且吸收光谱与颗粒的直径有关。如果在 角度曲线 太阳电池材料表面涂上一层适当尺寸的纳米金属颗 置光与光电子字进展200910
FEATURE I Micro& Nano Optics 粒(如Ag),或做一个光栅与DBR反射器等纳米结件,实验方面的论文比较少(除了少数与国外合作研 构,可以使器件对特定谱宽的光的吸收能力提高约究的论文),创新的思想无法得到自已的实验验证。微 2-8倍。 光子学方面的情况尚且如此在纳光子学方面,由于 图20给出了一个基于SP原理的全光开关原理对仪器、设备、工艺和技术的要求更高,与国外的差距 图。在衬底上镀有金属膜(Ag),并刻蚀了一块光棚,正在加大。 其上做一层非线性膜。在抽运光的作用下,非线性材 在光电子技术方面,国际经济的全球化和我国的 料的折射率发生变化,使信号光从不透射变成透射;改革开放形势,吸引着跨国公司将制造、加工基地向 见图20(a);光场分布图的数值模拟结果见图20(b)。我国转移,21世纪初光电子企业的大公司纷纷落户 我国。而且大量资金投向我国沿海经济发达地区(如 (a) 非线性材料Ag 广东、上海和京津地区)建立起一大批中外合资或独 信号光 资企业。但是这些国外企业或技术人员,控制着产业 透射的信号光 的高端技术,对我国实行技术垄断,使我国的光电子 抽运光 技术至今还处于“下游”,成为外向加工企业。大多数 光电子企业采用这样的生产模式:购买国外的芯片 进行器件封装,或者购买国外的器件进行系统组装。 目前我国光电子企业严重缺乏核心技术和自主知识 产权,无法抵御国际经济危机,面临着很大的风 p 为了加快我国的微纳光子学与相关光子技术的 发展,我国应该集中投入一部分资金,凝聚一批高水 平研究人才,在某些光电子企业集中的地区,依托光 子学研究有实力的单位,采用先进的管理模式,建设 图20基于SP效应的全光开关原理。(a)器件结构图; 我国的先进的微米、纳米加工制造中心和微米、纳米 b)数值模拟光场分布 光子学实验研究平台,开放为广大高校研究所和企 业的研究人员服务。只有这样才有可能在最短的时间 4发展我国微纳光子学的战略措施 内,使我国的光子学、光子技术以及光电子产业实现 与国际上科技发达的国家相比,目前我国微纳光跨越式的发展,赶超国际先进水平,为我国的经济建 子学的研究还不算落后,这从我国在微纳光子学领域设做出重大贡献。 发表的论文数量和投稿的杂志级别就可看出。但是我 稿日期:2009-08-20 国的光子学研究论文大部分是理论方面的,并且大多 作者简介:李淳飞,男,教授,博土生导师,主要研究方向为非线性 数是跟踪国外的。由于国内缺乏先进的科学实验平光学,光子器件等 台,特别是缺乏制备微纳光子学材料和器件的工艺条E- mail: cfichit edu.cn 参考文献【 1刘颂豪,李淳飞.光子学技术和应用M]广州:广东科技出版社,2006 2 Paras N. Prasad, Nanopntorics(M). U. S: John wiley Sons, 2004 3 K. Tajima. All-optical switch with switch-off time unrestricted by carrier lifetime [ J]. Jpm. J. Appl. Phys 1993, 32 746~D749 4 M. L. Brongersma, P. G. Kik, Surface Plasmon Nanophotonics[M]. Berlin: Springer, 200 5 Changjun Mini et al.. All-optical switching in subwavelength metallic grating structure containing nonlinear optical materials [J], Opt. Lett., 2008, 38(8): 869-871 光学期刊网www.opticsjournal.net
对微纳光子学发展的一些战略思考 旧万数据 文献链接 作者 作者单位: 哈尔滨工业大学,理学院物理系,黑龙江,哈尔滨,15000 激光与光电子学进展sTcp 英文刊名: aser optoelectronics progress 年,卷(期) 2009,46(10) 引用次数: 1.刘颂豪李淳飞.光子学技术和应用].广州:广东科技出版社,2006 2. Paras N Prasad. Nanopntonics [M] U. S: John Wiley Sons, 2004 3. K Tajima All-optical switch with switch-off tilde unrestricted by carrier lifetime[J. Jpn. J Appl. Phys., 1993, 32: L1746--L1749 1. M L Brongersma, P G Kik Surface Plasmon Nanophotonics [M. Berlin: Springer, 2007 5. Chang jun Mini et al.. All-optical switching in subwavelength metallic grating structure containing nonlinear optical materials [J, Opt Lett., 2008, 33(8): 869-871 相似文就(0条 本文链接http://d.g.wanfangdata.comcn/periodiCal_jgygdzxjz200910003.aspx 下载时间:2010年2月22日
对微纳光子学发展的一些战略思考 作者： 李淳飞 作者单位： 哈尔滨工业大学,理学院物理系,黑龙江,哈尔滨,150001 刊名： 激光与光电子学进展 英文刊名： LASER & OPTOELECTRONICS PROGRESS 年，卷(期)： 2009，46(10) 引用次数： 0次 参考文献(5条) 1.刘颂豪,李淳飞.光子学技术和应用[M].广州:广东科技出版社,2006 2.Paras N.Prasad.Nanopntonics[M].U.S.:John Wiley & Sons,2004 3.K.Tajima.All-optical switch with switch-off tilde unrestricted by carrier lifetime[J].Jpn.J.Appl.Phys.,1993,32:L1746～L1749 4.M.L.Brongersma,P.G.Kik.Surface Plasmon Nanophotonics[M].Berlin:Springer,2007 5.Changjun Mini et al..All-optical switching in subwavelength metallic grating structure containing nonlinear optical materials[J],Opt.Lett.,2008,33(8):869～871 相似文献(0条) 本文链接：http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_jgygdzxjz200910003.aspx 下载时间：2010年2月22日