PC的编程工具有编程器和计算机辅助编程(CAD)编程器可直接安装在 PC的CPU上,对PC进行编程和调试,是PC应用最广泛的编程工具。特别是 PC未与上位计算机构成网络的情况下,必须用编程器作为编程工具计算机辅 助编程是当上位计算机与PC建立通信后在上位机上运行专用的编程软件,对 PC进行编程和调试

一、上海海关通关业务计算机及EDI应用介绍 上海是全国最大通关口岸之一。上海海关现在日处理进出口报关单1.2万份,征收关 税占全国海关1/4强,进出口货物年递增约30%上海海关全部通关业务均使用计算机 业。 上海海关在通关业务方面应用计算机管理,始于985年,从刚开始时的单独业务环节 处理程序发展成现在的能全面、系统地处理海关业务和采用ED技术的现代化的大型数据 处理系统。其发展过程大致已经历了三个阶段

一、水仙是石蒜科水仙属植物的统称。其中中国水仙在我国分布较广,四川、云南、上海、浙江、福建等地均有栽培,主要产地在上海崇明、浙江舟山、福建漳州。以漳州水仙最负盛名。 二、中国水仙淡装素雅、品性高洁,在碧绿挺秀的叶丛中点缀着玉白莹韵的花朵,黄金般的副冠着生在洁白的花瓣上,花又由翠葶扶持,显得端庄美丽,秀逸萧洒。在百合凋零的寒冬茁壮生长,蔚蔚葱葱。岁末厅堂摆上一盆水仙,满堂生辉,春意傲然,有\一盆玉蕊满堂春的生趣。人们称赞水仙冰肌玉骨不畏严寒。 三、水仙自古以来,被诗人墨客吟颂不绝。宋代以来诗、词、歌、赋有260多首。宋代黄庭坚吟咏水仙诗中有凌波仙子生尘袜,波上盈盈步微月“之句

采用扫描Kelvin探针测试技术,研究了300M钢、Aermet100钢与超高强不锈钢在黄曲霉、黑曲霉、球毛壳霉、绳状青霉和杂色曲霉组成的混合霉菌菌种作用下的腐蚀行为.通过扫描电镜结合能谱分析对霉菌在三种超高强钢上的生长进行了观察和分析.300M钢试样上霉菌呈现分散式堆积生长,数量逐渐增加;Aermet100钢试样上霉菌呈现分散式单个生长方式,数量逐渐增加;超高强不锈钢上霉菌呈现放射式网状生长方式,数量急剧增加,在钢表面形成一层生物膜.霉菌实验后,三种超高强钢表面都发生一定的腐蚀.300M钢腐蚀最严重,蚀坑宽而浅;Aermet100钢次之,蚀坑窄而深;超高强不锈钢的耐蚀性最好.扫描Kelvin探针测试结果表明,霉菌一定程度上能促进300M钢和Aermet100钢的腐蚀,而对超高强度不锈钢的腐蚀行为有一定抑制作用

2.5.1n阶方阵,对角矩阵,数量矩阵,单位矩阵,初等矩阵,对称、反对称、上三角、 下三角矩阵。 定义(数域K上的n阶方阵)数域K上的nn矩阵成为K上的n阶方阵,K上全 体n阶方阵所成的集合记作Mn(K)

对一类三维混沌系统的界进行了估计.首先运用参数法给出了该三维混沌系统在条件-1 ≤ c<0下两变量的一个上界估计定理并进行了证明,其次在两变量上界估计的基础上给出了该混沌系统三变量的一个上界估计定理并进行了证明;最后给出了具体参数下该三维混沌系统的上界估计值并进行了数值模拟

对我国某高硅低品位镍磁黄铁矿进行直接酸浸、焙烧——酸浸和细菌浸出比较,并考察硫酸用量及氧化亚铁硫杆菌对浸出率的影响.以稻壳为硫酸盐还原菌固定化载体构建连续上升流固定填充床反应器,以连续上升流方式处理浸出液.结果表明:焙烧使矿物发生烧结,镍被包裹,不利于浸出;细菌浸出Ni2+浸出率为92.16%,质量浓度可达973.22 mg·L-1·T·f.菌在矿物表面形成生物膜,直接与矿物发生作用使矿物溶解,将浸液中Fe2+氧化为Fe3+,Fe3+进一步溶解矿物·浸出液以2200~3600 mL·L-1·d-1的速率经过反应器,Ni2+以NiS的形式吸附于稻壳上,回收率在98%以上,使原矿中NiO质量分数由1.69%上升至稻壳中的11.84%.浸液中98%的Mg2+留在溶液中,利于金属分离

采用水热法,在磁控溅射铺膜后的ITO-基底(MST-基底)上制备出取向一致的SnO2纳米线阵列.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段对制备的纳米线阵列进行了表征.考察了不同的基底铺膜方式和退火温度对产物形貌、尺寸和取向性的影响.结果表明,不同的基底铺膜方法对产物的形貌和尺寸有较大的影响:在磁控溅射法铺膜的基底上生长出SnO2纳米线阵列;在旋涂法铺膜的基底上生长出SnO2纳米棒阵列;在未铺膜基底上生长出SnO2纳米颗粒薄膜.另外,退火温度对生长在磁控溅射铺膜基底上的产物的取向性有较大的影响,随着退火温度的升高,产物的取向性增强

本节讨论有理数域上多项式的可约性,以及如 何求Q上多项式的有理根,由于f(x)与qf(x)在 Q[x]上的可约性相同。因此讨论f(x)在Q上的可约 性可转化为求整系数多项式在Q上的可约性

经高温固溶处理后匀速冷却的Al-0.35%Si合金样品,晶界上可观察到富硅的析出相,析出量随着固溶处理温度的增加而增加。对于高温固溶处理,再在较低温度二次固溶处理不同时间后匀速冷却的样品,25min的晶界析出量最大;对于25min二次处理后直接水淬样品,晶界上可观察到1μm以上的析出相。实验结果表明,硅在铝界上存在着硅-空位复合体导致的非平衡偏聚