1.引言(Introduction) 1.1局部均衡( Partial Equilibrium)与一般均衡(General Equilibrium) 一、局部均衡(Partial Equilibrium) 只考虑一个市场(single market)的情况(假设其他市场不变),对部门j 而言,当对该部们的产品x,的需求x(p)与该产品的供给x(p)相等时,即 x(p,)=x(p)时,这个市场就达到了均衡; 这种单个市场达到的均衡状态称为“局部均衡”(Partial Equi librium 那么是不是所有的市场能同时达到均衡呢?这就涉及到“一般均衡”(General Equilibrium)的概念了

本单元内容 ⚫ 栈、队列、数组、串的: –有关概念 –逻辑结构及特点 –存储结构 –有关操作 ⚫ 涉及章节：第1章的 1.3 栈和队列 (P32~P46) 1.4 串和数组 (P47~P55)

2-3.解：设事件 A 为女孩是大学生；设事件 B 为女孩身高 1.6 米以上，根据题意 可知 P(A)＝0.25 P(B)＝0.5 P(B/A)=0.75 “身高 1.6 米以上的某女孩是大学生”这消息表明是在 B 事件发生的条件 下，A 事件发生。所以其概率为P(A/B)

一、函数的形参为指针变量,指针变量作实参 二、预定义: 返回类型函数名1(参数类型*P1,参数类 型*P2 三、使用: 函数名1(P1,P2

9-1如图9-1所示,一条无穷长载流20A的直导线在P点被折成120°的钝角,设d=2cm,求P点的磁感应强度。 解:P点在OA延长线上,所以OA上的电流在P的磁感应强度为零

How p53 and Rb pathway function may be disrupted in cancer cells Components of the pathway which are found altered in human cancers are shown in red on the diagram above p53 and Rb themselves may be inactivated by gene mutation (loss of both copies or also as in familial retinoblastoma and Li-Fraumeni syndrome where there are inherited mutations in one copy of Rb or p53 gene respectively. Alternatively

教学内容： 1．芯片引脚定义、内部结构 2．I/O口（P0、P1、P2、P3）的结构与功能 3．存储器系统 4．MCS-51外部存储器连接 5．MCS-51外部存储器连接 6．复位电路、运行方式 2.1 内部结构和引脚功能 2.2 输入/输出(I/O)口 2.3 存储器系统 2.4 MCS-51外部存储器的连接 2.5 操作时序 2.6 复位及复位电路 2.7 节电运行状态和掉电运行状态

In the special case when E's are conditionally independent(though they all depend on the alternative, Ak), P(, E2..)= P(A... -)P() ()P) This is easy to do and can be done recursively

本文中以氨基乙酸为络合剂,在铜基上电沉积制取了光亮的Fe-Cr-P合金镀层。X衍射相分析表明,镀层呈非晶态结构。镀层中的Fe、Cr、P含量分别用比色法测定。在非晶态Fe-Cr-P合金电镀过程中,镀液pH值的变化对镀层组成有较大的影响,适宜的pH值范围为1.2~1.8。提高电镀液温度不利于Cr的析出,电镀时阴极过程处于电化学控制区域

本文用热力学原理分析了Si-Mn氧化物还原的热力学条件,并根据其热力学分析结果,对水雾化Si-Mn钢粉采用热塑性树脂涂层,在高纯氮气氛中进行脱氧的新工艺研究。使水雾文Si-Mn钢粉在1280℃,1330℃温度下保温120分钟后,其含氧量由3060P.P.M左右降至300P.P.M以下。同时测定了在还原脱氧过程中,不同的树脂用量与还原后钢粉中含氧量之间的关系。解决了含Si Mn等难还原元素水雾化钢粉非真空脱氧问题