11.1.1(单项选择题)甲、乙两人射击,A、B分别表示甲、乙两人射中目标则事件AB表示() A.两人都没射中 B.至少一人没射中 C.两人都射中 D.至少一人射中 (难度:A;水平:a) 11.1.2(单项选择题)设A与B是相互独立的事件,已知P(A)=,P(B)=,则P(A+B)=() A.1 B. C

6.1.1(单项选择)若f(x)=1,则[dx=()(难度:A;水平:a) A.1 B.a-b C.b-a D.0 6.1.2(单项选择)∫f(x)dx(难度:A;水平:a) A.大于0B.小于0C.等于0D.不能确定

（一）理论课程 1《高等数学 A+(1)》 2《高等数学 A+(2)》 3《大学物理 A1》 4《线性代数 A》 5《复变函数与积分变换》 6《概率论与数理统计 C》 7《电路原理 A》 8《模拟电子电路》 9《数字电子电路》 10《电子技术基础实验》 11《微机原理及接口技术》 12《自动控制原理 A》 13《自控原理实验》 14《电工电子实习》 15《微机原理及接口技术课程设计》教学大纲 16《电机原理与拖动基础》 17《电气测量技术与传感器》 18《电力电子技术》 19《过程控制系统（校企）》 20《运动控制系统（校企）》 21《自动控制系统工程项目设计（企业）》课程设计教学大纲 22《运动控制系统（校企）》 23《现场总线技术》 24《电气制图及 CAD》 25《单片机应用及系统设计》 26《单片机系统设计综合项目实践》教学大纲 27《电气控制与 PLC》 28《计算机控制技术》 29《计算机控制技术课程设计》 30《电气控制技术与 PLC》课程设计教学大纲 31《现代控制理论》 32《自动控制导论》 （二）实验课程 33《大学物理 A1》 34《微机原理及接口技术》 35《电气测量技术与传感器》 36《电路原理 A》 37《电力电子技术》 38《过程控制系统（校企）》 39《运动控制系统》 40《计算机控制技术》 41《电气控制与 PLC》 （三）实践课程 42认知实习 43毕业实习 44毕业设计（论文）

2002-2003学年第一学期概率论与数理统计(A)重修课考试试卷答案 一填空题(本题满分15分,共有5道小题,每道小题3分)请将合适的答案填在每题的空中 1.某人连续三次购买体育彩票,设A1,A2,A3分别表示其第一、二、三次所买的彩票中奖的事 件,又设 B={不止一次中奖} 若用A1、A2、A3表示B,则有B=

5.3实对称矩阵的相似矩阵 目的:对于实对称矩阵A(A=A),求正交矩阵Q(QQ=E), 使得QAQ=A.此时,称A正交相似于对角矩阵A 1.实对称矩阵的特征值与特征向量的性质 定理6a=A→∈R. 证设Ax=x(x≠0),x=(51,52,5n),则有

在R3中,给定四个共面向量a1,a2,3,4,它们显 然是线性相关的,但它们中存在两个线性无关 的向量,而任一个向量都可由这两个线性无关 的向量线性表示(例如:a1,a2线性无关,a3,a4可 由a1,a2线性表示).此外它们中任意三个向量 是线性相关的,即它们中任一个线性无关的部 分组最多只含2个向量,数2就叫作这个向量组 的秩

where a subscribed element of a matrix is always read as arou, column. Here we confine the element to be real number a vector is a matrix with one row or one column. Therefore a row vector is Alxk and a column vector is AixI and commonly denoted as ak and ai,respec- tively. In the followings of this course, we follow conventional custom to say that a vector is a columnvector except for

选择两种(Ni-A、Ni-B)成分不同的Ni基合金粉末,在STB A22钢基体上用火焰喷焊技术制备两种喷焊层.XRD和SEM背散射电子实验结果表明,喷焊层内的基体都是Ni和Ni3Fe相,其中Ni-A的基体中含有少量Cu.在Ni-A、Ni-B的喷焊层内分布有大量富Cr硬质第二相,在Ni-A的喷焊层中,该相有两种形态,且含有较多Mo元素.在Ni-B的喷焊层中,第二相分布均匀,且无Mo元素.高温硬度实验表明,由于喷焊层中形成了富Cr硬质第二相,Ni-A、Ni-B喷焊层的硬度较高,而由于Ni-A第二相中含有较多Mo元素,Ni-A的高温硬度比Ni-B高,两种喷焊层的高温硬度均比基材常温时高70%以上

2一元高次代数方程的基础知识 1.2.1高等代数基本定理及其等价命题 1.高等代数基本定理 设K为数域。以K[x]表示系数在K上的以x为变元的一元多项式的全体。如果 f(x)=axn+a1x++an∈kx],(a≠0)则称n为f(x)的次数,记为 degf(x)。 定理(高等代数基本定理)C[x]的任一元素在C中必有零点。 命题设f(x)=axn+a1xn-++an(a≠0,n≥是上一个n次多项式, a是一个复数。则存在C上首项系数为a的n-1次多项式q(x),使得 f(x)=(x)(x-a)+ f(a) 证明对n作数学归纳法

利用循环伏安、交流阻抗谱和极化曲线研究了Acidithiobacillus ferrooxidans对软锰矿在模拟浸出溶液(9K基础培养基, A.ferrooxidans, Fe (Ⅲ), A.ferrooxidans+Fe (Ⅲ))中电化学腐蚀行为的影响; 利用模拟有菌/无菌浸出溶液中钝化膜的Mott-Schottky理论比较了有无细菌存在情况下形成的钝化膜的优劣性.结果表明, A.ferrooxidans促进MnO2/Mn2+氧化还原转化, 催化MnO2/Mn (OH)2电极反应; 加速软锰矿/溶液界面电子交换, 无铁存在时A.ferrooxidans使电荷转移内阻降低34%, 比含Fe (Ⅲ)无菌体系低11%;引起软锰矿电极极化, 增强其氧化活性; 加速MnO2向MnO·OH转化及其产物扩散.A.ferrooxidans与软锰矿作用更倾向于间接作用机理.在选取的各模拟电解液(pH值为2.0)中, 0.2~0.4 V区间内软锰矿形成耗尽层, 在模拟浸出溶液中形成的钝化膜都表现出p-n-p-n型半导体性能.在选取的0.2 V极化电位下, 无铁时引入A.ferrooxidans使膜中的施主/受主密度减少, 细菌含有多种基团参与半导体/溶液界面电子转移反应, 接受界面间自由电子或填充空穴, 促使软锰矿与溶液界面物质交换变频繁; 含铁溶液中加入A.ferrooxidans使得钝化膜受主/施主密度增大, A.ferrooxidans降低了膜的耐腐蚀性, 因而促进软锰矿浸出