一维紧束缚近似下,晶体中电子在恒定电场作用下的运动规律一维紧束缚近似下:E'(k)=-J-2J cos ka--第i个能带

在满足一定条件下将电子的运动近似当作经典粒子来处理,这样可以很方便地讨论 均匀电磁场中各种电导效应以及一般晶体中输运过程问题。 本节介绍电子在晶体中准经典运动的一些基本概念和规律

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

1. 结构因子与能隙关系 2. 典型的能带结构 3. 导电取决于电子填充情况 4. 导体、绝缘体解释 5. 能带计算方法的物理思想 6. 近自由电子近似——平面波方法 7. 举例——只取两个平面波

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

1.模型和微扰计算 一维自由电子近似模型:金属中电子受到粒子周期性势场的作用,如图XCH004001所示。假定周 期性势场的起伏较小。作为零级近似,可以用势场的平均值代替离子产生的势场:=V(x) 一一周期性势场的起量V(x)-=△V作为微扰来处理

第 1 章 绪论 第 2 章 锁相环型频率综合器概述 第 3 章 LC 压控振荡器与片上电感参数提取 第 4 章 恒定环路带宽的研究与实现 第 5 章 自动频率校正的研究与设计 第 6 章 分频器的研究与设计 第 7 章 环路仿真与芯片设计实例 第 8 章 总结与展望

第一章 前言 参考文献 第二章 电感电容压控振荡器 第三章 硅基片上螺旋电感 第四章 可变电容特性分析 第五章 相位噪声分析 第六章 压控振荡器的优化 第七章 相位噪声降低技术 第八章 设计实例 第九章 总结和展望

第一章 引言 第二章 片上电感的物理模型与特性分析 第三章 片上电感的优化设计 第四章 测试与分析 第五章 结论

通过分析水平气力输送系统悬挂式电子称量装置的固体物料输送量记录曲线,判定了输送状态的稳定性.进而提出了中细颗粒(ds ≤ 0.5mm)、高混合比(μs=30~150)、水平低速(ug<15m/s)输送临界速度的经验关联式