基于第二相Ostwald熟化的相关理论,对5炉成分有细微差别的20CrMnTi渗碳齿轮钢中Ti(C,N)在930℃下的粗化规律进行了计算.结果表明,在930℃渗碳温度下分别保温1、2、4、8、16h,随着保温时间的延长,各炉钢中碳氮化钛颗粒均会发生一定程度的粗化,第二相的粗化速率系数m值越大,粗化行为越严重.在保温8h时,t时间后第二相的平均尺寸dt变化范围为2.64~16.2nm,最大偏差在13nm左右;保温16h时,dt变化范围为3.33~20.4nm,最大偏差约为17nm,表明Ostwald熟化作用对Ti(C,N)第二相颗粒尺寸的影响不大.对钉扎奥氏体晶界、阻止奥氏体晶粒长大起主要影响作用的是第二相颗粒的初始尺寸

2.5 视频压缩的国际标准 视频编解码器的框架与标准简介  MPEG-1(1993) & MPEG-2/H.262(1996)视频标准  MPEG-4 AVC/H.264(2003)视频标准  HEVC(2013)视频标准 2.6 不同应用场景下的其他编码思想 基于模型/对象的编码思想： MPEG-4(1999) 视频编码可伸缩性 & H.264 SVC 多视角编码

第一节 拟胆碱药 Cholinergic Drugs 第二节 抗胆碱药 Anticholinergic Drugs ◼ M受体拮抗剂 ◼ N受体拮抗剂 第三节 拟肾上腺素药 第四节 组织胺H1受体拮抗剂 Histamine H1 Receptor Antagonists 第五节 局部麻醉药 Local anesthetics ◼ H1受体拮抗剂 ◼ 临床应用 ◼ 分类及代表药 ◼ 马来酸氯苯那敏（结构，命名） ◼ 局部麻醉药 ◼ 分类及代表药 ◼ 基本骨架和构效关系 ◼ 普鲁卡因、利多卡因（结构，命名，稳定性，合成）

4.1 半导体三极管（BJT） 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.2 共射极放大电路 1. 电路组成 4. 简化电路及习惯画法 2. 简单工作原理 3. 放大电路的静态和动态 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 BJT的小信号建模 4.4.2 共射极放大电路的小信号模型分析 1. H参数的引出 2. H参数小信号模型 3. 模型的简化 4. H参数的确定 • 利用直流通路求Q点 • 画小信号等效电路 • 求放大电路动态指标 4.5 放大电路的工作点稳定问题 • 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 4.5.1 温度对工作点的影响 4.5.2 射极偏置电路 4.6 共集电极电路和共基极电路 • 电路分析 • 复合管 • 静态工作点 • 动态指标 • 三种组态的比较 4.6.1 共集电极电路 4.6.2 共基极电路 4.7 放大电路的频率响应 4.7.1 单时间常数RC电路的频率响应 4.7.2 单级放大电路的高频响应 • RC低通电路的频率响应 • RC高通电路的频率响应 4.7.4 单级放大电路的低频响应 4.7.4 多级放大电路的频率响应 • 多级放大电路的增益 • 多级放大电路的频率响应 • 低频等效电路 • 低频响应

 LHC and ATLAS detector.  Standard Model, Higgs Mechanism and its cross-section and branching ratio.  Show the most updated results of 2011+2012  H→γγ  H→ZZ→4l  H→WW  Combination of 2011+2012  Conclusion

赫克歇尔—俄林理论（H-O定理） 假设条件 H-O理论内容 H-O-S定理（要素均等化定理） 理论验证，里昂剔夫之谜 特定要素模型

采用套管法(PET)制备Bi系高温超导带材,进行了冷压工艺的优化研究。试验结果表明,Bi系带材所能承受的压力有一个限值,若超过这个限值后,密度虽可提高,但晶粒破碎严重Jc值反而降低。带材优化的冷压工艺参数是838℃/60h+冷压+838℃/60h冷压+838℃/60h.第1次压力为2GPa,第2次2.5GPa;冷压压下速率为1.5×10-4mm/s.同时研究还表明冷压的主要作用是提高带材的致密度和晶粒取向度,最终改善了带材的超导性能

一、流感病毒（Influenza Virus）的结构 二、流感病毒分型与变异 三、流感病毒致病性 四、流感病毒的遗传与进化 五、从禽流感H5N1到H1N1再到H7N9 六、如何研究病毒

体*本幸******极限俱乐部会员信息系统**幸*******幸****/ #include \stdio. h' *控制台O的头文件* #include \string. h /*字符串函数的头文件* #include \stdlib. h\ /+ exito函数的头文件*

研究了利用(KOH+K3(Fe (CN)6)+H2O和H2SO4+H2O2)两种溶液浸蚀硬质合金基体,分别选择性刻蚀WC和Co的表面预处理过程.在浸蚀过的硬质合金基体上,用强电流直流伸展电弧等离子体CVD法沉积金刚石薄膜涂层.结果表明,两步混合处理法不仅可以有效地去除硬质合金基体表面的钻,而且还显著粗化硬质合金基体表面,提高了金刚石薄膜的质量和涂层的附着力