搭建了双电弧集成冷丝复合焊接系统，研究了冷丝不同位置对焊接过程的影响机理，其中包括冷丝作用位置对其加热熔化作用及表面成形的影响。实验结果表明：冷丝从两引导焊丝正前方送入时，熔池前端对冷丝的加热熔化作用不充分，冷丝末端会顶触熔池底部，随着冷丝的持续送进和母材的向后移动，某一时刻冷丝回弹，焊丝末端的熔滴弹出落在母材表面形成大颗粒飞溅。当冷丝从侧面送入时，熔池一侧的温度较低，影响熔池金属的流动，导致最终的焊缝成形不对称分布。当冷丝从两引导焊丝正后方送入熔池时，冷丝始终插入熔池中，焊接过程稳定，是理想的冷丝作用位置。此外，随着冷丝送丝速度的增加，两种脉冲电流模式（同相和反相）下，熔敷率均随之增加，且相差不大。同相脉冲电流下电弧对冷丝的加热熔化作用最强烈，反相脉冲电流下次之，直流模式下最弱

为研究纳米隔热材料孔隙结构内部的气体热传输特性, 采用溶胶-凝胶工艺结合超临界干燥技术, 制备了一系列具有不同孔隙结构特征的样品, 通过热导率、氮气吸-脱附和真密度测试, 全面、准确获取了其孔隙结构信息, 并专门、系统研究了孔隙结构特征与气体热传输特性之间的关系.研究结果表明: 与气相贡献热导率相对应, 材料具有双尺度孔隙结构特征, 并且当大孔隙尺度不及小孔隙的10倍时, 可进一步等效为单尺度孔隙.考虑气固耦合传热的本征气相贡献热导率随孔隙尺度的增大而升高, 与气相热导率变化类似且成一定的比例关系, 孔隙尺度小于200 nm和大于500 nm时的比例系数分别为2.0和1.5, 200~500 nm时则为2.0~1.5.当大、小孔隙尺度的比值不超过10时, 或者这一比值为100~1000且大孔隙含量低于10%时, 气相贡献热导率随环境气压的降低依次呈现快速下降、缓慢下降和无变化三个阶段; 当这一比值超过3000时, 即使大孔隙含量很低(不超过10%), 气相贡献热导率也会依次呈现快速下降、缓慢下降、快速下降和无变化四个阶段

奥克斯需要不断改变自己而不仅仅是改变LOGO,这也是目前中国企业迫 切需要解决的问题。 2002年蒙牛乳业被评选为中国最具成长性企业之一,2003年奥克斯集团也 获此殊荣。毫无疑问,这两个企业是近几年中国企业舞台上令人瞩目的企业之 星。以后者为例,13年取得了跨越1000倍的超常规发展速度,产业扩张、资 本运作、国际化三大发展战略使得奥克斯以每年不低于50%的增长率在发展

一、宿根花卉的概念与范畴 宿根花卉(perennialplant)指地下部器官形态未变态成球状或块状的多年生草本观赏植物。 宿根花卉依耐寒力不同可分为耐寒性宿根花卉和不耐寒性宿根花卉。耐寒性宿根花卉一般原产温 带,性耐寒或半耐寒,可以露地栽培,此类在冬季有完全休眠的习性,其地上部的茎叶秋冬全部枯死, 地下部进入休眠,到春季气候转暖时,地下部着生的芽或根再萌发生长、开花,如芍药、鸢尾等;不 耐寒性宿根花卉大多原产温带的温暖地区及热带、亚热带耐寒力弱,在冬季温度不过低时停止生长 叶片保持常绿,呈半休眠状态,如鹤望兰、花烛、君子兰等

乳经分离后得到的含胀率高的部分称之 为稀奶油,稀奶油经成熟、搅拌、压炼 而制成的乳制品称为奶油( butter)。由 于制造方法不同,所用原料不同或生产 的地区不同,可分成不同种类。第一节奶油的种类及性质 第二节 乳品冷饮原料及添加剂

SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域

在前面介绍第四章内容时,我们有一个重要的假设前提,即不存在不确定因素,方案 评价时能得到完全信息。但是,未来实际发生的情况与事先的估算、预测很可能有相当大 的出入。为了提高经济评价的准确度和可信度,尽量避免和减少投资决策的失误,有必要 对投资方案做不确定性分析,为投资决策提供客观、科学的依据

第一节 三种基本渗流方式 第二节 单相不可压编液体的平面一维稳定渗流 第三节 单相不可压编液体的平面径向稳定渗流 第四节 油井的不完善性 第五节 稳定试井 第六节 单相流体滲流的微分方程

一、硬盘故障提示信息的含义 (1) Date error(数据错误) 从软盘或硬盘上读取的数据存在不可修复错误,磁盘上有坏扇区和坏的文件分配表。 (2)Hard disk configuration error(硬盘配置错误)硬盘配置不正确,跳线不对,硬盘参数设置不正确等