第1章 VLSI概论 第1部分 硅片逻辑 第2章 MOSFET逻辑设计 第3章 CMOS集成电路的物理结构 第4章 CMOS集成电路的制造 第5章 物理设计的基本要素 第2部分 从逻辑到电子电路 第6章 MOSFET的电气特性 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 第8章 高速CMOS逻辑电路设计 第9章 CMOS逻辑电路的高级技术 第3部分 VLSI系统设计 第10章 用Verilog硬件描述语言描述系统 第11章 常用的VLSI系统部件 第12章 CMOS VLSI引运算电路 第13章 存储器与可编程逻辑 第14章 系统级物理设计 第15章 VLSI时钟和系统设计 第16章 VLSI电路的可靠性与测试

1.1 全世界半导体市场 1.2 集成电路发展史 1.3 摩尔定律(Moore’s Law) 1.4 集成电路的分类 1.5 数字集成电路设计的挑战 1.6 集成电路设计方法

12.1 一位加法器电路 12.2 串行进位加法器 12.3 超前进位加法器 12.4 其他高速加法器 12.5 乘法器

11.1 多路选择器 11.2 二进制译码器 11.3 相等检测器和比较器 11.4 优先权编码器 11.5 移位和循环操作 11.6 锁存器 11.7 D触发器 11.8 寄存器 11.9 综合的作用

第七章中规模通用集成电路及其应用 集成电路由SSI发展到MSI、LSI和VLSI,使单个芯片 容纳的逻辑功能越来越强。 一般来说,在SSI中仅是基本器件(如逻辑门或触发器) 的集成,在MSI中已是逻辑部件(如译码器、寄存器等)的 集成,而在LSI和VLSI中则是一个数字子系统或整个数字 系统(如微处理器)的集成

5.1 基本概念 5.2 基本结构的版图 5.3 单元概念 5.4 FET的尺寸确定和单位晶体管 5.5 逻辑门的物理设计 5.6 设计层次化

7.1 CMOS反相器的直流特性 7.2 反相器的开关特性 7.3 功耗 7.4 DC特性：与非门和或非门 7.5 与非门和或非门的暂态响应 7.6 复合逻辑门的分析 7.7 逻辑门过渡特性设计 7.8 传输门和传输管 7.9 关于SPICE模拟

9.1 镜像电路 9.2 准nMOS电路 9.3 三态电路 9.4 时钟控制CMOS 9.5 动态CMOS逻辑电路 9.6 双轨逻辑电路

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