以氧化铝溶胶为黏结剂、金属Fe为烧结助剂, 采用冷压-烧结制备出铝电解用Fe-TiB2/Al2O3复合阴极材料, 利用20A电解试验研究其电解性能; 利用能谱仪(EDS) 对电解试验前后的复合阴极材料进行了成分物相分析, 研究电解过程中各种元素迁移行为.研究结果表明: 金属Fe作为烧结助剂在烧结过程中能有效的填充骨料之间的空隙, 使该复合阴极材料的烧结致密度显著提高; 20 A电解试验过程电压稳定, 电流效率93. 2%, 原铝中铝元素质量分数为99. 47%, 杂质元素质量分数为0. 53%.在电解试验后, 铝液能有效润湿阴极表面, 表明Fe-TiB2/Al2O3复合阴极材料具有较理想的可润湿性; 从复合阴极电解后的能谱分析可知, 在电解过程中, 碱金属主要是通过液态电解质渗透进入阴极材料中, 随后又逐渐渗透进入黏结剂相中, 并在骨料之间氧化铝溶胶和金属烧结助剂均未能充分填充的空隙进行富集. K元素较Na元素对黏结相的渗透力更强; 与此同时, 阴极表面生成的Al通过复合材料的空隙进入阴极内部, 而Fe金属会利用材料内部的空隙反向扩散至铝液层中.在试验中, 阴极表面的铝液层的稳定存在是该阴极高效稳定运行的基础

通过透射电镜对Fe-25%Cr-6%Al-RE(富镧)合金氧化行为进行研究.结果表明:经1200℃恒温2h纯氧中氧化,合金中镧以六方La2O3微小颗粒沉淀在氧化膜中α-Al2O3晶粒的顶端及晶界上。它们阻碍铝向表面扩散,抑制氧化膜的侧向生长;在1200℃/室温之间热循环氧化历程.稀土组元加快了合金的内氧化。它们以氧化铝、氧化镧形式出现,在靠近氧化膜/金属界面,立方La2O3颗粒平行于晶界并在合金基体上沉积

在密闭容器中用蒸汽平衡法研究了1480℃～1590℃内,镍液中镁-氧反应平衡,以及1480℃下镍液中合金元素Fe、Al、Cr对镁的活度的影响。实验测得,1480～1580℃下:$\\log {K_{{\\rm{MgO}}}} = 0.50 + 1.27 \\times {10^4}/T;△G_{{\\rm{MgO}}}^{\\rm{o}} = 2.43 \\times {10^5} - 9.57T({\\rm{J/mol}});e_{\\rm{O}}^{{\\rm{Mg}}} = 1.10 \\times {10^3} - 2.19 \\times {10^6}/T$。1480℃下：$e_{{\\rm{Mg}}}^{{\\rm{Fe}}} = - 0.28;e_{{\\rm{Mg}}}^{{\\rm{Al}}} = - 0.51;e_{{\\rm{Mg}}}^{{\\rm{Cr}}} = 0.72$

第七章基性岩类 一、概述 本类岩石在化学成分上的特点是,SiO2含量低至中等(45 53%),CaO、Al2O3、FeO、MgO含量较高,尤其是前二者,Na2O 和K2O低。岩石主要由辉石和斜长石组成;可含少量橄榄石、角 闪石、黑云母、石英、碱性长石辉石多为单斜辉石(单斜晶系 )和紫苏辉石(斜方晶系),斜长石则为基性斜长石。岩石呈 深灰色或灰黑色,颜色一般较深,色率35~65,比重较大

It is described that the effectual way to construct phase diagrams is the combination of computer calculation with some critical measurements. Examples of application to the CuO-RE2O3 （RE. La, Y, Nd）, Na2B2O4, K2B2O4 and PrCl3-CaCl2-MgCl2 systems are given

第十七讲曲线积分 课后作业: 阅读:第五章第一节:曲线积分pp.142-151 预习:第五章第二节:Gren公式pp.152--158 作业:习题1:p152:2;3;4;7;8;9;10. 补充题 1.计算下列第一类曲线积分 (1)[(x+y)dl其中C为以0O,O,A(1,O),BO,1)为顶点的三角形的三条边。 [(x0+y3)d,其中C为星形线:xaos+=asnt(0s2m) (3)[(x2+y2+z2)dl,其中C为螺线

本文介绍了首次制成Caβ″—Al2O3陶瓷管的方法—粉末注模浇注法的工艺流程以及介质、粉末粒度、温度等因素对陶瓷管质量的影响。同时给出了陶瓷管的密度,利用伽伐电池测得的电化学性能以及用电化学方法测得的CaO在此电解质中的活度,为Caβ″-Al2O3陶瓷管的实际应用提供了基本数据

主要为从事微电子材料抛光液与清洗剂的开发应用、生产以及销售。改进微电子产品生产工艺、提高其产品质量、降低其生产成本为目的。 生产产品主要包括： ➢ 以“FA/O 超大规模集成电路（ULSI）多层布线介质及铜布线化学机械全局平面化（CMP）纳米磨料抛光液”为代表的国际首例高技术产品； ➢ 以“FA/O 集成电路衬底硅片纳米磨料抛光液”、“FA/O 电子材料清洗剂、半导体材料切削液、倒角液、磨削液、活性剂”为代表的高技术更新换代产品。 产品主要应用于超大规模集成电路（ULSI）衬底半导体材料、半导体器件、正扩大应用于电视机玻壳，液晶显示屏、液晶显示屏基片玻璃、高档金属材料加工、蓝宝石、不锈钢模具及增加二次采油率等领域

第九章酸性岩类 一、概述 化学成分本类岩石的特点是SiO2含量高(>66%),一般66~78%,属 酸性过饱和岩石。碱质(K2O+Na2O)含量较高,约为7~8%Mgo、FeO、 CaO含量低

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)