1、什么是6o质量管理? 2、如何实施6o管理? 3、实施6o管理的经验和局限是什么? 4、6管理与其他管理方法、体系关系是什么?

5.1 概 述 5.2 I/O软件的组成 5.3 I/O硬件特点 5.4 I/O控制技术 5.5 设备有关技术 5.6 设备分配与设备处理 5.7 磁盘存储器管理 5.8 典型外部设备

选用文献报道的14个渣系铁氧化物活度aFetO作为基础实验数据,验证了基于炉渣离子-分子共存理论(IMCT)所定义的铁氧化物综合质量作用浓度NFetO表征炉渣氧化性的可能性和精度.为了得到14个渣系的NFetO,建立了CaO-SiO2-MgO-FeO-Fe2O3-MnO-Al2O3-P2O5渣系的IMCT-Ni模型,其他13个渣系NFetO可由该渣系的IMCT-Ni模型经简化得到.结果表明,铁氧化物综合质量作用浓度NFetO不仅可像活度aFetO一样表征炉渣氧化性,而且比实测aFetO精度更高

1.1000k,101.325kpa时反应2SO3(g)=2O2(g)+o2(g)的Kc=3.54molm-3 (1)求此反应的Kp和Kx (2)求反应SO3(g)=SO2(g)+1/2O2(g)的Kp和Kx 2.已知457K,总压为101.325kPa时,NO2有5%按下式分解求此反应的

网络函数的频率特性 网络函数的频率特性也称网络的频率响应。若 将网络函数H(s)中的s改为j,那么就得到网络 的频率响应H(o)=A()∠q(),其中A(o)称幅频 特性,φ(o)称相频特性

采用先进电子显微术在原子尺度研究了(001)单晶SrTiO3衬底上生长的纳米复合薄膜0.65BiFcO3-0.35CoFe2O4的组织形态以及界面结构.BiFeO3(BFO)和CoFe2O4(CFO)两相在外延生长过程中自发相分离,形成自组织的复合纳米结构.磁性尖晶石CFO呈方块状均匀分布于铁电钙钛矿BFO基体中,并沿[001)1]方向外延生长,形成垂直的柱状纳米结构.两相具有简单的立方-立方取向关系,即[001]BFO//[001]CFO和(100)BFO//(100)CFO,且界面为{110}晶面.薄膜表面起伏不平,形成CFO{111}小刻面而BFO则为平整的(001)表面.能谱分析结果表明各相成分均匀分布并无明显的元素互扩散发生

主要为从事微电子材料抛光液与清洗剂的开发应用、生产以及销售。改进微电子产品生产工艺、提高其产品质量、降低其生产成本为目的。 生产产品主要包括： ➢ 以“FA/O 超大规模集成电路（ULSI）多层布线介质及铜布线化学机械全局平面化（CMP）纳米磨料抛光液”为代表的国际首例高技术产品； ➢ 以“FA/O 集成电路衬底硅片纳米磨料抛光液”、“FA/O 电子材料清洗剂、半导体材料切削液、倒角液、磨削液、活性剂”为代表的高技术更新换代产品。 产品主要应用于超大规模集成电路（ULSI）衬底半导体材料、半导体器件、正扩大应用于电视机玻壳，液晶显示屏、液晶显示屏基片玻璃、高档金属材料加工、蓝宝石、不锈钢模具及增加二次采油率等领域

第九章酸性岩类 一、概述 化学成分本类岩石的特点是SiO2含量高(>66%),一般66~78%,属 酸性过饱和岩石。碱质(K2O+Na2O)含量较高,约为7~8%Mgo、FeO、 CaO含量低

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

第11章羧酸和取代羧酸 11.1羧酸的结构 羧酸的官能团是羧基(-OOH) 羰基中C、O和羟基中O均为sp2杂化,C形成四电子三中心的pπ共轭体系(H)ROH在羧基中,既不存在典型的醛酮的羰基,也不存在典型的醇羟基,而是二者相互作用形成的统一体