进行了西澳超细粒磁铁精矿分别配加国产磁铁精矿和巴西赤铁精矿制备氧化球团矿的实验研究.结果表明，以100%西澳超细磁铁精矿为原料制备氧化球团矿时，球团预热及焙烧性能较差，在预热温度为1050℃、预热时间20 min及焙烧温度1300℃、焙烧时间40 min的条件下，预热球团和焙烧球团矿抗压强度分别为每个502和2313 N.西澳超细粒磁铁精矿配加40%国产磁铁精矿或20%巴西赤铁精矿时，球团适宜预热温度由1050℃分别降低到950和975℃，适宜的焙烧温度由1300℃分别降低到1250和1280℃；而且焙烧球团矿的抗压强度分别提高到每个2746 N和每个2630 N.焙烧球团矿的微观结构研究表明：配加国产磁铁精矿后，焙烧球团矿中Fe2O3晶粒发育优良，晶粒间互联程度提高，晶粒粗大，孔隙率低，固结更加紧密.配加20%巴西赤铁精矿时，焙烧球团矿中Fe2O3晶粒基本连接成片，Fe2O3晶体发育良好.优化配矿是改善西澳超细粒磁铁精矿球团矿预热及焙烧性能的有效途径

1、什么是6o质量管理? 2、如何实施6o管理? 3、实施6o管理的经验和局限是什么? 4、6管理与其他管理方法、体系关系是什么?

第十七讲曲线积分 课后作业: 阅读:第五章第一节:曲线积分pp.142-151 预习:第五章第二节:Gren公式pp.152--158 作业:习题1:p152:2;3;4;7;8;9;10. 补充题 1.计算下列第一类曲线积分 (1)[(x+y)dl其中C为以0O,O,A(1,O),BO,1)为顶点的三角形的三条边。 [(x0+y3)d,其中C为星形线:xaos+=asnt(0s2m) (3)[(x2+y2+z2)dl,其中C为螺线

选用文献报道的14个渣系铁氧化物活度aFetO作为基础实验数据,验证了基于炉渣离子-分子共存理论(IMCT)所定义的铁氧化物综合质量作用浓度NFetO表征炉渣氧化性的可能性和精度.为了得到14个渣系的NFetO,建立了CaO-SiO2-MgO-FeO-Fe2O3-MnO-Al2O3-P2O5渣系的IMCT-Ni模型,其他13个渣系NFetO可由该渣系的IMCT-Ni模型经简化得到.结果表明,铁氧化物综合质量作用浓度NFetO不仅可像活度aFetO一样表征炉渣氧化性,而且比实测aFetO精度更高

1.1000k,101.325kpa时反应2SO3(g)=2O2(g)+o2(g)的Kc=3.54molm-3 (1)求此反应的Kp和Kx (2)求反应SO3(g)=SO2(g)+1/2O2(g)的Kp和Kx 2.已知457K,总压为101.325kPa时,NO2有5%按下式分解求此反应的

网络函数的频率特性 网络函数的频率特性也称网络的频率响应。若 将网络函数H(s)中的s改为j,那么就得到网络 的频率响应H(o)=A()∠q(),其中A(o)称幅频 特性,φ(o)称相频特性

采用先进电子显微术在原子尺度研究了(001)单晶SrTiO3衬底上生长的纳米复合薄膜0.65BiFcO3-0.35CoFe2O4的组织形态以及界面结构.BiFeO3(BFO)和CoFe2O4(CFO)两相在外延生长过程中自发相分离,形成自组织的复合纳米结构.磁性尖晶石CFO呈方块状均匀分布于铁电钙钛矿BFO基体中,并沿[001)1]方向外延生长,形成垂直的柱状纳米结构.两相具有简单的立方-立方取向关系,即[001]BFO//[001]CFO和(100)BFO//(100)CFO,且界面为{110}晶面.薄膜表面起伏不平,形成CFO{111}小刻面而BFO则为平整的(001)表面.能谱分析结果表明各相成分均匀分布并无明显的元素互扩散发生

主要为从事微电子材料抛光液与清洗剂的开发应用、生产以及销售。改进微电子产品生产工艺、提高其产品质量、降低其生产成本为目的。 生产产品主要包括： ➢ 以“FA/O 超大规模集成电路（ULSI）多层布线介质及铜布线化学机械全局平面化（CMP）纳米磨料抛光液”为代表的国际首例高技术产品； ➢ 以“FA/O 集成电路衬底硅片纳米磨料抛光液”、“FA/O 电子材料清洗剂、半导体材料切削液、倒角液、磨削液、活性剂”为代表的高技术更新换代产品。 产品主要应用于超大规模集成电路（ULSI）衬底半导体材料、半导体器件、正扩大应用于电视机玻壳，液晶显示屏、液晶显示屏基片玻璃、高档金属材料加工、蓝宝石、不锈钢模具及增加二次采油率等领域

第九章酸性岩类 一、概述 化学成分本类岩石的特点是SiO2含量高(>66%),一般66~78%,属 酸性过饱和岩石。碱质(K2O+Na2O)含量较高,约为7~8%Mgo、FeO、 CaO含量低

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)