首先证明张量展开的一般公式,其次将张量展开的一般公式应用到Stark效应中。计算出电四极矩张量的哈密顿算符的矩阵元,并计算出原子在外电场中能级位移量,计算结果与曾给出的一种标准的计算方法的结果相一致

9.1功平衡法 9.2极值原理及上限法 9.3速度间断面及其速度特性 9.4 Johnson上限模式及应用 9.5 Aviztur上限模式及应用

通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体

采用SEM、EDS等手段研究了闪速燃烧合成的氮化硅铁及其原料FeSi75的组成、结构,并结合闪速燃烧合成工艺和热力学分析,揭示氮化硅铁中FexSi粒子的形成机理.结果表明:在以74μm的FeSi75氮化制备氮化硅铁过程中,金属硅和ξ(FeSi2.3)相中部分硅氮化为氮化硅,而氮化硅铁中FexSi粒子则来源于ξ相的氮化;当ξ相被氮化到其中的[Si]摩尔分数降低近25%时,[Si]的活度aSi趋于0,氮化趋于平衡,ξ相中不能被继续氮化的部分即为FexSi粒子,其Fe:Si原子比例大约为3:1;FexSi粒子的大小、均匀分布状况与ξ相颗粒粒径大小及分布状况有关

第八章输入/输出和中断程序设计 1.教学目的:掌握I/O程序设计,特别是实模式下的中断程序设计的方法 2.教学要求: ①掌握IO端口与端口地址及IO指令。 ②熟悉无条件传送、查询传送、中断传送和DMA传送的基本工作原理。 ③熟悉内部中断和外部中断,理解中断向量表的安排。 ④掌握中断请求、中断判优、中断响应、中断处理和中断返回五个过程的原理。 ⑤熟悉内部中断和外部中断,理解中断向量表的安排

以铝硅合金和球墨铸铁为研究对象,分别采用正常热处理、室温及高温下施加脉冲电流处理的方法,研究了脉冲电流对固态金属中非金属相形态的影响.结果表明:在脉冲电流处理下,铝硅合金中粗杆状共晶硅的粒化速度加快;球墨铸铁经脉冲电流处理后,原有石墨的直径没有明显增大,石墨的平均似圆度略有增加,组织中出现了新生的球状小石墨;在脉冲电流作用下非金属相周围位错的行为及原子的扩散是决定非金属相形态的主要原因

第一条编制原则 贯彻“多还旧账,少(不)欠新帐”的指导思想,遵循求真 务实、以人为本、突出重点、协调发展的原则,充分考虑淮河流 域水污染现状和经济发展水平,合理确定规划目标和指标,制定 可行的水污染防治方案,确保淮河流域集中式饮用水源地、跨省 界断面、城市重点水体水质改善,力争在规划期内达到国家环保 总局和四省人民政府签订的目标责任书的各项要求

• 掌握测量成果改化的原理和不改化的条件； • 掌握地面点之间方位角的测量原理、计算方法； • 理解地面点坐标换带的目的意义和作用等

第十讲行政责任 学习要求: 1、行政责任的概念、意义和历史发展情况。 2、掌握行政责任确定的原则和条件。 学习重点: 行政责任确定的原则和条件。 一、行政责任概述 (一)行政责任的概念 依法行政的重要内容之一,便是行政机关既是一个权力主体,同时也是一个责任主休。行政机关要为自己作出的任何行政行为负责,也就是要承担行政责任

研究了以天然石灰和天然粉石英为基本原料,添加2CaO·SiO2对合成硬硅钙石型硅酸钙保温材料的影响。结果表明,随着2CaO·SiO2加入量的逐渐增多,硬硅钙石型硅酸钙保温材料的烘干收缩率逐渐降低;当添加量由0上升到5%时,制品的烘干收缩率由2.19%降低到0.92%,制品由不合格变为合格;烘干收缩率降低的原因是2CaO·SiO2的加入促进了二次粒子形成