10.1 指针的基本概念 10.2 指向变量的指针变量 10.3 指向数组的指针变量 10.4 指向函数的指针变量和指针型函数 10.5 指针型数组和指向指针的指针变量 10.6 指向结构体的指针变量 10.7 动态存储分配

理解结构体的概念和它对于编程的重要性； 理解定义结构体类型和定义结构体变量的区别； 能够用“ .”和“->”分量运算符操作结构体变量和指向结构体的指针变量； 能够定义并使用结构体数组； 了解用typedef定义数据类型。 定义结构体类型变量的方法； 结构体变量的引用； 结构体变量的初始化； 结构体数组； 指向结构体类型数据的指针； 用指针处理链表； 用typedef定义类型

以纤维素为原料，通过在氮气氛下炭化和水蒸气活化得到纤维素基炭。采用热分析、傅里叶红外光谱、X射线衍射及低温N2吸附测试手段研究了纤维素的炭化和活化过程以及过程中炭微晶结构和比表面积的变化。纤维素分子结构中的C-OH、C-O-C、C-H等基团在280~380℃之间大量分解，380℃后少量裂解产生的小分子碎片或基团持续分解，同时碳元素发生结构重排，形成石墨微晶。炭化温度是影响纤维素基活性炭微晶结构及孔结构的关键因素，随炭化温度的升高，石墨微晶尺寸变大，孔结构得到发育，但活性炭的比表面积则呈先增加后下降趋势，当炭化温度为600℃时所得活性炭比表面积最大；炭化时间对炭微晶结构及比表面积的影响不显著；随着活化时间的延长，先是炭结构中的非微晶碳被氧化，比表面积及总孔容积变大，然后微晶碳被氧化，微晶结构被破坏，炭中部分微孔变成中孔或大孔，导致比表面积及总孔容积变小，当微晶间的非微晶碳被充分氧化而又不破坏原微晶结构时得到的炭孔隙最丰富

我们已经知道一元函数的导数是一个很重 要的概念，是研究函数的有力工具，它反映了该 点处函数随自变量变化的快慢程度。对于多元函 数同样需要讨论它的变化率问题。虽然多元函数 的自变量不止一个，但实际问题常常要求在其它 自变量不变的条件下，只考虑函数对其中一个自 变量的变化率，因此这种变化率依然是一元函数 的变化率问题，这就是偏导数概念，对此给出如 下定义

采用同时平衡和质量守恒原理对全液相常温常压法制备CuInSe2(CIS)粉体过程中Cu+-In3+-Se2--NH3-L2--Cl--H2O体系的热力学平衡进行分析,并绘制一系列的浓度对数lgc-pH值曲线.依据平衡图,发现溶液中[NH3]T的变化主要影响溶液中[Cu+]T在体系中的浓度变化,[L2-]T的变化主要影响的是体系中[In3+]T的浓度变化,而[Cl-]T的变化对[Cu+]T和[In3+]T的浓度变化均有影响,并可发现在pH7.0~8.5时沉淀率最高.依据Cu+-In3+-Se2--NH3-L2--Cl--H2O体系的同时平衡和质量守恒原理,采用全液相常温常压法,在pH7.0~8.5条件下制备出粒径在20~50nm且基本符合标准化学计量比的CIS纳米粉体

一、二维射影变换的特例 1、仿射变换 保持l∞：x3=0不变的射影变换叫做射影仿射变换, 形如 0, 0 (3.2) 3 3 3 3

一、一维射影变换 1、定义 一个一维基本形到自身的射影对应称为一维射影变换. 即若φ: [π] [π'], 且[π]=[π']. 则φ称为一维基本形[π]上的 一个射影变换. 注：为方便理解, 常把一个 一维基本型看作两个“重叠” 的一维基本形. 据Steiner作图法, 一个一维 射影变换可由3次透视对应得 到

第1章 绪论 1.1 什么是电力电子技术 1.2 电力电子技术的发展史 1.3 电力电子技术的应用 1.4 本教材的内容简介 第2章 电力电子器件 2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件——电力二极管 2.3 半控型器件——晶闸管 2.4 典型全控型器件 2.5 其他新型电力电子器件 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 第3章 直流斩波电路 3.1 基本斩波电路 3.2 复合斩波电路和多相多重斩波电路 第4章 逆变电路 4.1 换流方式 4.2 电压型逆变电路 4.3 电流型逆变电路 4.4 多重逆变电路和多电平逆变电路

3.1 概述 3.1.0 检测变送的重要性 3.1.1 测量误差 3.1.2 仪表性能指标 3.2 温度检测 3.2.1 温度检测方法 3.2.2 热电偶 3.2.3 热电阻 3.2.4 热电偶、热电阻的选用 3.3 流量检测 3.3.0 基本概念 3.3.1 流量检测的主要方法 3.3.2 速度式流量计（差压式流量传感器） 3.3.3 容积式流量计 3.3.4 质量流量计 3.3.5 流量仪表的选用 3.4 压力检测 3.4.1 压力单位及压力检测方法 3.4.2 常用压力检测仪表 3.4.3 压力表的选用 3.5 物位检测 3.8 变送器 3.8.0 概述 3.8.1 变送器的量程、零点迁移 3.8.2 温度变送器 3.8.3 差压变送器 3.8.4 智能变送器 3.9 现代传感器技术的发展

这里所指的平面应变状态，实际上是平面应力所对应的应变状态，它与弹性力学中所说 的平面应变状态不同。 由于最大应变往往发生于受力构件的表 面，而表面上的点一般都可按平面应变状态进 行分析