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采用X射线光电子能谱(XPS)研究了带有两种纳米氧化层(NOL)Ta/Ni80Fe20/Ir19Mn81/Co90Fe10//NOL1//Co90Fe10/Cu/Co90Fe10//NOL2/Ta的镜面反射自旋阀薄膜的化学结构.研究结果表明:CoFe/NOL1和NOL2/Ta界面处发生了热力学有利的化学反应.CoFe磁性敏感层仍保持金属特性,部分氧化的CoFe和Ta发生界面反应,使得Ta覆盖层被氧化成Ta2O5,形成NOL2.由于仍存在部分金属CoFe,NOL1为不连续的氧化层,使得与IrMn层仍存在直接的交换耦合作用.在退火过程中,IrMn层中的Mn原子扩散到NOL1中;然而,由于NOL1和扩散的Mn原子发生界面反应,生成Mn的氧化物,从而阻止Mn原子的进一步扩散,使其偏聚在NOL1中
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利用循环伏安、X射线衍射以及X射线光电子能谱等方法研究了镍电极在熔融碳酸盐中的氧化行为以及温度、气氛对其氧化行为的影响
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采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积的方法成功地在Si(100)衬底上制备了Y2O3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XRP)对薄膜进行了表征.SEM分析结果显示,薄膜的颗粒为纳米级的,并且薄膜致密、平整.AFM分析结果表明,薄膜的粗糙度为11nm.由XPS分析可知,薄膜为基本上符合化学计量比的氧化物.附着力测试表明,Y2O3薄膜与Si衬底的附着力为4.2N.X射线衍射分析结果表明,沉积得到的Y2O3薄膜在热处理前为非晶结构,热处理之后薄膜具有立方晶体结构,并且沿(111)面择优生长
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磁性多层膜Ta/NiO/NiFe/Ta由磁控溅射方法制备.采用角分辨X射线光电子能谱(XPS)研究了反铁磁(Nio)/铁磁(NiFe)界面.结果表明,在NiO/NiFe界面发生了化学反应:NiO+Fe=Ni+ FeO和3NiO+2Fe-3Ni+Fe2O3,此反应深度约为1~1.5 nm.反应产物将影响NiO对NiFe的交换耦合
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1. 半导体激光器工作原理 3. 量子阱半导体激光器 2. 异质结半导体激光器 4. 半导体激光器的谐振腔结构 5. 半导体激光器的特性
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电子科技大学:《半导体光电子学 Semiconductor Optoelectronics》课程教学资源(课件讲稿)第一章 半导体物理基础
文档格式:PDF 文档大小:755.82KB 文档页数:23
电子科技大学:《半导体光电子学 Semiconductor Optoelectronics》课程教学资源(课件讲稿)第三章 半导体中的光现象
文档格式:PDF 文档大小:2.14MB 文档页数:43
电子科技大学:《半导体光电子学 Semiconductor Optoelectronics》课程教学资源(课件讲稿)第五章 半导体发光二极管
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电子科技大学:《半导体光电子学 Semiconductor Optoelectronics》课程教学资源(课件讲稿)第七章 半导体光调制器
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