采用电化学阻抗测试技术(EIS)、Mott-Schottky方法对β相模型合金在Cl-溶液环境中形成的表面膜的稳定性和半导体特性进行研究.结果表明,Cl-浓度的增加,使β相表面膜形成和活化溶解的趋势均加剧,即表面膜的稳定性变差.原因在于Cl-浓度较低时,β相表面膜的半导体类型为P型,P型半导体膜是一种阳离子导体膜,Cl-很难通过迁移扩散的方式穿过表面膜.随着Cl-浓度的增大,β相表面膜的半导体类型转变为N型,N型半导体膜便于Cl-穿越膜层到达膜层底部,继续腐蚀金属并使表面膜发生破裂

在实验室模拟了含铌与无铌TRIP钢的连续退火工艺过程,通过金相显微技术(OM)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、背散射电子衍射技术(EBSD)、X射线衍射(XRD)和拉伸实验等检测手段研究了TRIP钢的组织性能,分析了TRIP钢中残余奥氏体稳定性的影响因素及强化机理.结果表明:在连续退火工艺条件下,Nb的存在细化了TRIP钢的微观组织,与未添加Nb的钢相比,添加Nb可以提高TRIP钢中残余奥氏体含量和残余奥氏体碳含量.含铌TRIP钢中残余奥氏体主要以团块状或薄膜状分布于铁素体与贝氏体晶界,极少部分以细小球状分布于铁素体晶内.含铌TRIP钢热轧后的主要析出物为Fe3C和(Nb,Ti)(C,N),退火后的主要析出物为(Nb,Ti)(C,N).细小含铌析出物的析出强化导致了随着退火温度的升高,屈服强度和抗拉强度升高

1.用(t)表示x(t),由卷积积分求得LTI系统的响应。 2.用8(n)表示x(n),由卷积和求得LTI系统的响应。 3.在对信号进行时域分解的情况下,研究LTI系统的性质

问题:如何定义n阶行列式? 一、二阶与三阶行列式的构造

利用系列截面法系统地研究了一种微合金化低碳钢奥氏体晶粒的空间及截面拓扑分布特性.实验建立了晶粒界面数F与其截面多边形边数均值$\\bar n$及边数平方均值${\\bar n^2}$之间的经验关系,并进一步研究了不同拓扑级别的三维晶粒的截面拓扑分布且与多种晶粒几何模型进行了比较分析

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求

10.1.1(单项选择)设级数∑(1-un)收敛,则 lim等于() n→ n= .1 B.0 C.+∞ D.不确定 (难度:A;水平:a) 10.1.2(单项选择)下列级数中,收敛的是() A.B.3 32 D +(];(难度:B;水平:bn

4.1向量及其运算 1.向量:n个数a1,a2,an构成的有序数组,记作a=(a1,a2,an), 称为n维行向量 a称为向量a的第i个分量 a;∈R称a为实向量(下面主要讨论实向量) a∈C称a为复向量

4.5线性方程组解的结构 a11a12 ain a21a22 a2n ,b= Lamt am2 .]xn 齐次方程组Ax=0 非齐次方程组Ax=b(b≠0) 结论:(1)[Ab→[ca],Ax=b与Cx=d同解 (2)Ax=0有非零解rank