7-1 解： 当 d2 由 400mm 减小为 280mm 时，满足运输带速度提高到 0.42m/s 的要求。但 由于运输带速度的提高，在运输机载荷 F 不变的条件下，因为 P=Fv。即输出的功率 增大，就 V 带传动部分来说，小轮转速 n1 及 d1 不变，即带速不变，而传递的功率要 求增加，带上有效拉力也必须增加，则 V 带根数也要增加，故只改变 d2 是不行的

1 求图中环心O 处的磁场. 2 无限长直导线在P 处完成半径为R 的圆，当通以电流I 时，求圆心O 点的磁感强度大小

一 填空 单片机与普通计算机的不同之处在于其将（ ）（ ）和（ ）三部分集成于一块芯片上。 答：CPU、存储器、I/O 口 8051 与 8751 的区别是：答：内部程序存储器的类型不同 在 MCS－51 单片机中，如果采用 6MHz 晶振，1 个机器周期为（ ）。答：2us。 内部 RAM 中，位地址为 30H 的位，该位所在字节的字节地址为（ ）。答：26H 若 A 中的内容为 63H，那么，P 标志位的值为（ ）

采用交流阻抗技术对化学镀Ni-P合金的沉积过程进行原位测定,所获得的Nyquist阻抗图上出现感抗圈。综合交流抗击以及还原剂浓度影响研究结果,提出一个包括H2PO2-离子表面吸附步骤的化学镀镍电化学机理

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为满足新国家标准对铱标准样品的要求,研制出用于光谱分析的高纯铱基体.通过实验研究,确定了高纯铱基体研制的工艺流程为P204萃取除去贱金属阳离子→N235萃取除去以络合阴离子存在的贵金属杂质→H2还原除铑及其他金属杂质→732#树脂交换除去痕量的贱金属阳离子→NH4Cl沉淀铱、H2还原铱→HF除硅.研制出的铱基体纯度高达99.999%.实验研究全流程铱的直收率为61.99%,铱的总收率为95.26%

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选用文献报道的14个渣系铁氧化物活度aFetO作为基础实验数据,验证了基于炉渣离子-分子共存理论(IMCT)所定义的铁氧化物综合质量作用浓度NFetO表征炉渣氧化性的可能性和精度.为了得到14个渣系的NFetO,建立了CaO-SiO2-MgO-FeO-Fe2O3-MnO-Al2O3-P2O5渣系的IMCT-Ni模型,其他13个渣系NFetO可由该渣系的IMCT-Ni模型经简化得到.结果表明,铁氧化物综合质量作用浓度NFetO不仅可像活度aFetO一样表征炉渣氧化性,而且比实测aFetO精度更高