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《概率论与数理统计》课程教学资源(教案讲义,理工类)第四章 随机变量的数字特征(4.3)协方差及相关系数
文档格式:DOC 文档大小:552.5KB 文档页数:7
第三节协方差及相关系数 对多维随机变量,随机变量的数学期望和方差只反了各自的平均值与偏离程度,并 没能反映随机变量之间的关系.本节将要讨论的协方差是反映随机变量之间依赖关系的一 个数字特征
《天气学原理》课程教学资源(PPT课件)第三章 气旋和反气旋(3.4)温带气旋与反气旋
文档格式:PPT 文档大小:145KB 文档页数:30
一、温带气旋与反气旋发展的物理因子 1,高空的温度槽脊落后与高度槽脊是斜压性强的发展
厦门大学:《中国哲学史》课程教学资源(PPT课件讲稿)第五编 近现代中国哲学(5.3)民主革命时期的理论探索
文档格式:PPT 文档大小:651KB 文档页数:108
戊戌变法的失败,使中国民族资产阶级认识 到,不能依靠满清当局进行自上而下的变革,要 想使中国走上独立富强的振兴之路,必须推翻满 清王朝,走民族与民主革命的道路。自此,中国 近代哲学进入反对改良,鼓吹反满革命的阶段。 哲学上,也开始对西方的进化论与西方文明的负 面性进行反思,提出质疑。在政治上,虽然以西 方的民主制度为共国的篮图,但无论是严复、章 太炎还是孙中山都认识到中国的民主革命有其自 身的特点,未来中国要建立符合本民族特点的政 治体制
铝镇静钢钙处理后氧化铝夹杂物变性动力学模型
文档格式:PDF 文档大小:670.93KB 文档页数:8
将Al2O3以及固态的钙铝酸盐均视为未反应核,确定铝离子在液态钙铝酸盐层的扩散是铝镇静钢钙处理后Al2O3夹杂物变性的限制性环节,由未反应核模型建立了Al2O3夹杂物变性的动力学模型,并且通过热力学分析计算了模型参数.模型结果显示:随着Al2O3夹杂物直径的增大,其完全变性为液态钙铝酸盐的时间大幅延长.钢液中Ca在一定范围内增加,不仅在热力学上有利于Al2O3变性,也使其变性速率迅速增大,但Ca超过一定值时对变性速率促进减弱.温度升高不利于Al2O3夹杂物变性反应,从而使变性的驱动力减小,对夹杂物变性促进作用不很明显.模型结果与工业试验和夹杂观察结果基本相符
厦门大学:《中国哲学史》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四编 宋元明清的中国哲学(4.6)明末清初儒家的历史反思与思想总结
文档格式:PPT 文档大小:723.5KB 文档页数:109
明王朝灭亡之后,一些志士仁人, 先是高举“反清复明”的政治旗帜进行 武装斗争,武装斗争失败之后,便开始 了对明朝灭亡的历史教训进行深痛的反 思。其中的代表人物是顾炎武、王夫之 和黄宗羲
厦门大学:《中国哲学史》课程教学资源(PPT课件讲稿)第二编 秦代至南北朝的中国哲学(2.8)范缜与魏晋南北朝的反宗教思潮
文档格式:PPT 文档大小:2.55MB 文档页数:46
从魏晋动荡的社 会背景之透视中了解当时的人生观、生死观,结合宗教 发展历史,明了意识形态领 域反宗教情绪兴起的原因, 认识当时反宗教思潮的理论着眼点;掌握范缜《神灭论》 的主要思想内容与理论意义、 现实意义
等温固定床多球团还原模型
文档格式:PDF 文档大小:1.16MB 文档页数:8
针对单个球团未反应核模型在研究多球反应体系中存在的局限性,首先基于单球团未反应核动力学模型,构建了等温固定床中多球体系下球团矿还原模型;然后通过引入无因次变量,得到方程的解析解,并且采用特征线法进行求解得到了方程的数值解;最后在中温管式炉中设计了等温固定床球团矿还原试验.实验结果与模型计算值有较好的吻合
《抗震设计》课程PPT教学课件(讲稿)第三章 地震作用和结构抗震验算——单自由度弹性体系的水平地震作用与抗震设计反应谱、多自由度弹性体系的地震反应分析
文档格式:PPT 文档大小:799.5KB 文档页数:30
一、单自由度体系的水平地震作用对于单自由度体系,把惯性力看作反映地震对结构体系影响的等效力,用它对结构进行抗震验算。 结构在地震持续过程中经受的最大地震作用为
高硫铁水变质处理新方法
文档格式:PDF 文档大小:1.04MB 文档页数:7
动用稀土氧化物固态渣饼作为脱硫剂和变质剂,借助吹氩搅拌对高硫(S=0.100%)过共晶铁水进行变质处理。实验在1450℃下进行30~45分钟得到了变质处理过程中铁水化学成分变化的规律和在过共晶铁水条件下试样中石墨形态和RE、CE含量之间的规律。结果表明在过共晶区当RE%≤(CE%-4.30%)/25时试样石墨形态为蠕虫状。当RE%≥(CE%-4.30%)/25时试样石墨形态为球状。对脱硫反应和稀土氧化还原反应进行了热力学计算和讨论,在实验条件下上述反应在热力学上均成立
西安交通大学:《半导体制造技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第十二章 淀积
文档格式:PPT 文档大小:1.8MB 文档页数:68
本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备,重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习,将能够: 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积(CVD)反应的8个基本步骤,包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制,解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统,解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性,给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质
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