1. 电场强度 2. 真空中静电场方程 3. 电位与等位面 4. 介质极化 5. 介质中的静电场方程 6. 两种介质的边界条件 7. 介质与导体的边界条件 8. 电容 9. 电场能量 10. 电场力

一、重要概念 阳极、阴极，正极、负极，原电池，电解池，电导 L，电导率，(无限稀释时)摩尔电导 率，迁移数 t，可逆电池，电池的电动势 E，电池反应的写法，分解电压，标准电极电位、 电极的类型、析出电位，电极极化，过电位，电极反应的次序

 1 库仑定律和电场强度  2 真空中的高斯定理  3 电位  4 介质极化与高斯定理的一般形式  5 静电场的基本方程和边界条件  6 电容  7 静电场的能量

为了获得大反应电流,全钒氧化还原液流电池使用聚丙烯腈基碳毡为电极活性材料.在空气中热处理碳毡可以增加其表面含氧官能团浓度,改善碳毡的亲水性,降低反应过电位.实验表明:电池的过电位主要由正极反应造成;热处理正极碳毡可以大大降低电池极化内阻,负极碳毡热处理后降低了析氢过电位,从而降低了电池的电流效率;正极使用热处理后的碳毡,负极使用未经处理的原毡,可以获得更好的电池能量效率

§9-1 电解池、原电池和法拉第定律 §9-2 电解质溶液的导电性质 §9-3 电解质溶液的热力学性质 §9-4 强电解质离子互吸的Debye-Huckel理论 §9-5 可逆电池 §9-6 可逆电池的热力学 §9-7 电池反应的 Nernst 方程 §9-8 电池电动势 §9-9 浓差电池 §9-10 液接电位 §9-11 不可逆电化学过程——极化作用

1.概念：转座子；基因转变；负干涉；共转换；极化子 2.同源重组、位点专一重组和异常重组的异同。 3.同源重组的过程(Holliday Model) 4.RecA蛋白在细菌同源重组中的作用；

研究了小电流镀铜封孔对阳极氧化AZ31镁合金耐蚀性能的影响.AZ31镁合金阳极氧化后,在传统的镀铜液中进行阴极小电流处理.SEM、EDS和XRD分析结果表明,阴极小电流处理后,在阳极氧化膜的多孔层中发生了铜的沉积.在质量分数为3.5%NaCl水溶液中测试的极化曲线表明,AZ31镁合金阳极氧化后进行小电流镀铜处理,可以提高自腐蚀电位,降低自腐蚀电流密度,使耐蚀性能得到显著提高

提出同时利用聚苯胺的导电性、化学与电化学稳定性对金属进行防腐保护的设想。探索用电化学方法在不锈钢阳极上,从酸性苯胺溶液中合成致密的导电聚苯胺膜的条件。通过极化曲线测量得知,在3%NaCl和0.5mol/1H2SO4溶液中其腐蚀电位均为正值(相对于饱和甘汞电极),比不锈钢基体正移了约(0.2～0.7)V,腐蚀电流比304不锈钢或一般碳钢约小3个数量级。当电位达到0.65V(在3%NaCl溶液中)或0.9V在0.5mol/1H2SO4中),聚苯胺膜会因过氧化而溶解脱落。在1mol/1HCl溶液中,聚苯胺膜不能改善样品的耐腐蚀性能

用极化曲线法研究了四氯化钛电解的阴极过程。找出了工艺试验中电解过程初期电流效率低的主要原因,并用控制阴极电位或带隔膜的小电解对极化曲线的结果作了验证。此外,还利用工艺试验数据作电量平衡估算验证了极化曲线的结果。结果表明,我国四氯化钛电解工艺试验电流效率低的主要原因是现有工艺制度下阴极筐的电位接近或达到钠的析出电位,处于钛与低价钠和钠共同析出的状态。阴极筐外表面析出的低价钠和钠由于反复的二次反应而降低电效约30～40%。其次,低价钛窜出到阳极区进行二次反应的结果,在较正常的操作条件下约降低电效5～15%。试验还表明,没有隔膜的敝口四氯化钛电解,若控制阴极电位在析钛区,也能获得较高的电流效率

利用循环伏安、交流阻抗谱和极化曲线研究了Acidithiobacillus ferrooxidans对软锰矿在模拟浸出溶液(9K基础培养基, A.ferrooxidans, Fe (Ⅲ), A.ferrooxidans+Fe (Ⅲ))中电化学腐蚀行为的影响; 利用模拟有菌/无菌浸出溶液中钝化膜的Mott-Schottky理论比较了有无细菌存在情况下形成的钝化膜的优劣性.结果表明, A.ferrooxidans促进MnO2/Mn2+氧化还原转化, 催化MnO2/Mn (OH)2电极反应; 加速软锰矿/溶液界面电子交换, 无铁存在时A.ferrooxidans使电荷转移内阻降低34%, 比含Fe (Ⅲ)无菌体系低11%;引起软锰矿电极极化, 增强其氧化活性; 加速MnO2向MnO·OH转化及其产物扩散.A.ferrooxidans与软锰矿作用更倾向于间接作用机理.在选取的各模拟电解液(pH值为2.0)中, 0.2~0.4 V区间内软锰矿形成耗尽层, 在模拟浸出溶液中形成的钝化膜都表现出p-n-p-n型半导体性能.在选取的0.2 V极化电位下, 无铁时引入A.ferrooxidans使膜中的施主/受主密度减少, 细菌含有多种基团参与半导体/溶液界面电子转移反应, 接受界面间自由电子或填充空穴, 促使软锰矿与溶液界面物质交换变频繁; 含铁溶液中加入A.ferrooxidans使得钝化膜受主/施主密度增大, A.ferrooxidans降低了膜的耐腐蚀性, 因而促进软锰矿浸出