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清华大学:《VLSI设计导论》实验一运算放大器实验
文档格式:DOC 文档大小:65.5KB 文档页数:5
一、实验目的 1.利用辅助设计工具 Myanalog中的工具 Sched和 Myspice实现一个预算 放大器电路并对其进行计算机模拟分析,了解其电路输入输出在不同工作频率 下的关系。 2.熟悉并初步掌握上述工具软件的使用方法
清华大学:《VLSI设计导论》第三章 器件设计技术
文档格式:DOC 文档大小:1.16MB 文档页数:14
第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用
清华大学:《VLSI设计导论》专题一SOC设计方法学
文档格式:PPT 文档大小:221.5KB 文档页数:55
一、片上系统SOC的优势 1、高性能 2、低功耗 3、体积小 4、重量轻 5、成本低
清华大学:《VLSI设计导论》第八章 全定制没计模式
文档格式:PPT 文档大小:640.5KB 文档页数:46
结构化设计是由Mead和 Conway首先提出来 的,其目的是让设计者能够直接参加芯片 设计以实现高性能系统。在结构化设计中 采用以下几方面的技术
清华大学:《VLSI设计导论》第六章 电路参数提取
文档格式:PPT 文档大小:536KB 文档页数:68
第一节信号传输延迟 数字电路的延迟由四部分组成: 门延迟 连线延迟 扇出延迟 大电容延迟 一、CMOS门延迟:
清华大学:《VLSI设计导论》第四章 逻辑设计技术
文档格式:PPT 文档大小:619KB 文档页数:47
第一节MOS管的串、并联特性 晶体管的驱动能力是用其导电因子β来表示的, β值越大,其驱动能力越强。多个管子的串、 并情况下,其等效导电因子应如何推导?
清华大学:《VLSI设计导论》第二章 集成电路工艺基础
文档格式:PPT 文档大小:256KB 文档页数:35
第一节引言 一、集成电路的制造需要非常复杂的技术,它主要由半导。 二、由于SOC的出现,给IC设计者提出了更高的要求,也
清华大学:《VLSI设计导论》MyAnalog Mychip Introduction
文档格式:PPT 文档大小:1.25MB 文档页数:49
Introduction Who are they? How to use them? A little example FAQ Spice
哈尔滨工业大学:《并行处理与体系结构》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一章 并行计算机模型(1.4)并行计算机的抽象模型
文档格式:PPT 文档大小:118KB 文档页数:71
并行计算机的理论模型是从物理模型 抽象的; 为开发并行算法提供了一种方便的框 架; 用这些模型可求得并行计算机的理论 性能界限; 可在芯片制作前估算芯片区的VLSI复 杂性和执行时间
西安交通大学:《电力电子变电技术》Power MOSFET Basics
文档格式:PDF 文档大小:69.01KB 文档页数:12
Oxide Oxide Metallization Contact processing techniques that are similar to those of today's VLSI circuits, although the device geometry, voltage and current ntSource
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