▪ 羰基 a 位 H 的弱酸性及烯醇负离子的生成 ▪ 醛酮 a 位的氢-氘交换和卤代反应 ▪ 醛酮酯的a 位烷基化反应 ▪ 醛酮的羟醛缩合（Aldol缩合反应）

第一节 常用氧化剂 第二节 氧化反应

羧酸的化学性质 ◼ 羧酸的酸性 ◼ 羧基上羟基的取代（成酰卤、酸酐、酯和酰胺），酯化反应的机理 ◼ 羧酸a位的卤代、羧酸的还原、羧酸与金属有机试剂的反应、 羧酸的脱羧

◼ 醛酮的还原反应 ◼ 醛酮的氧化反应 ◼ a, b-不饱和醛酮与亲电试剂的1, 4-加成反应 ◼ a, b-不饱和醛酮与亲核试剂的 1, 2- 和1, 4-加成反应

⚫ 苯环上取代基对亲电反应的影响。取代基的分类，致活基和致钝基，邻对位定位基和间位定位基。 ⚫ 取代基对反应活性的影响及定位作用的理论解释。亲电取代中间体的稳定性分析。 ⚫ 双取代基的定位作用，位阻对定位的影响。 ⚫ 取代基的定位作用在合成中的应用。 ⚫ 苯环上的氧化和还原（重点：Birch还原反应）

§10.1 引言 §10.2 化学反应速率 §10.3 速率方程（动力学方程） §10.4 具有简单级数的反应 …… §10.6 几种典型的复杂反应 §10.7 速率常数与温度的关系 …… §10.9 链 反 应 §10.10 拟定反应历程的一般方法

化学反应体系 热力学基本方程 化学反应的方向与限度 为什么化学反应通常不能进行到底 化学反应亲和势

(4) 氧化反应 (5) 聚合反应 (6) α-氢原子的反应 (7) 炔烃的活泼氢反应

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

3.1 概述 3.2 单自由度弹性体系的地震反应分析 3.3 单自由度弹性体系的水平地震作用及其反应谱 3.4 多自由度弹性体系的地震反应的振型分解法 3.5 多自由度体系的水平地震作用 3.6 结构自振周期和振型计算 3.7 地基与结构的相互作用 3.10 结构的抗震验算