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纳米电子学以 一、微电子技术今后发展将受到的限制 二、量子电子器件 纳米电子器件的发展 三、单电子晶体管,单电子存储器,逻辑电路 四、分子电子学和分子电器件 五、原子电器件 六、纳米电器件的集成和量子计算机 七、微电子技术过去30年的发展

1. 半导体激光器工作原理 3. 量子阱半导体激光器 2. 异质结半导体激光器 4. 半导体激光器的谐振腔结构 5. 半导体激光器的特性

第一节 异质结及其能带图 第二节 异质结在半导体光电器件中的作用 第三节 异质结制备工艺与晶格匹配 第四节 超晶格与量子阱

《大学物理》 《大学物理实验 I》课程实验 《高等数学（代数、变换）》 《电工学》 《大学物理实验 II》课程实验 《自动控制技术》 《模拟电子技术》 《数字电子技术》 《单片机原理与应用》 《电子测量》 《电动力学》 《EDA 技术》 《工程制图与 CAD》 《网络原理与技术》 《量子力学》 《热力学与统计物理》 《传感器应用与实验》 《高级程序设计》 《电子产品生产组织与管理》 《可编程控制器（PLC）应用》 《工业计算机与工控组态技术》 《光机电一体化》 《电子线路设计》 《高频电子线路》 《光电新材料导论》 《电力系统基础》 《电力电子学》 《通信技术基础》 《数字信号处理》 《应用电子技术综合实验》课程实验 《机电产品装配工艺与技能实训》 《电子电路故障诊断》 《光伏应用技术》 《电子产品制造工艺》 《智能仪器与仪表》

利用量子化学的SCF-Xα-SW电子结构计算方法,计算得到了RE4Cr2O9(RE=La,Pr, Nd,Sm,Gd,Dy,Ho,Er)等体系的电子态密度分布、费米能和能隙宽度等电子结构参数,并结合 RECrO3导电陶瓷的导电特征,分析了导电性能和电子结构参数之间的关系.研究表明:随着RE原子序数的增加,其费米能附近的态密度依次增大,主要为f电子,非f电子数量逐渐减少,因此,参与导电的电子应与f电子无关.这是RECrO3导电陶瓷电导率随RE原子序数增大而下降的主要原因

N型半导体中的主要载流子是电子,同时也有少量的空穴载流子,电子被称为多数载流子一一多子。 空穴被称为少数载流子一一少子。 P型半导体中的主要载流子是空穴,同时也有少量的电子载流子,空穴被称为多数载流子一一多子。 电子被称为少数载流子一一少子。 在热平衡下,半导体中的杂质电子,或价带中的电子通过吸收热能,激发到导带中(载流子的产生), 同时电子又可以回落到价带中和空穴发生复合(载流子的复合),最后达到平衡时,载流子的产生率 和复合率相等,电子和空穴的浓度有了一定的分布

高等教育出版社：《物理学教程》教材电子教案（PPT课件，马文蔚第二版）第十六章 量子物理 16-8 多电子原子中电子分布

6.2功函数和接触势差 1.热电子发射和功函数 实验指出,热电子发射电流密度:j~e-W:功函数金属中,电子处于势阱高度为X(正离子的吸引),如图XCH006008所示,当电子从外界获得足够的能量,有可能脱离金属,产生热电子发射电流

1.半导体载流子的近似玻耳兹曼统计 半导体中的电子和金属中的电子一样服从费密一一狄拉克统计。在金属中,电子填充空带的部分形 成导带,相应的费密能级位于导带中。 对于掺杂不太多的半导体,在热平衡下,导带中有从施主能级激发到导带中的电子,价带中还有少量的空穴