第三章半导体二极管及其基本电路本章内容简介半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件，在电子电路有广泛的应用。本章在简要地介绍半导体的基本知识后，主要讨论了半导体器件的核心环节PN结。在此基础上，还将介绍半导体二极管的结构、工作原理特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。（一）主要内容?★半导体的基本知识★★PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电路（二）基本要求个?了解半导体材料的基本结构及PN结的形成★★掌握PN结的单向导电工作原理★★了解二极管（包括稳压管）的V-I特性及主要性能指标（三）教学要点：★★从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手，重点介绍PN结的单向导电工作原理、★二极管的V-I特性及主要性能指标
第三章 半导体二极管及其基本电路 本章内容简介 半导体二极管是由一个 PN 结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。 本章在简要地介绍半导体的基本知识后，主要讨论了半导体器件的核心环节—— PN 结。在此基础上，还将介绍半导体二极管的结构、工作原理,特性曲线、主要 参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管 和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。 （一）主要内容: 半导体的基本知识 PN 结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、模型及 应用电路 （二）基本要求: 了解半导体材料的基本结构及 PN 结的形成 掌握 PN 结的单向导电工作原理 了解二极管（包括稳压管）的 V-I 特性及主要性能指标 （三）教学要点： 从半导体材料的基本结构及 PN 结的形成入手，重点介绍 PN 结 的单向导电工作原理、 二极管的 V-I 特性及主要性能指标
2.1半导体的基本知识2.1.1半导体材料根据物体导电能力（电阻率）的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等：化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、（In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。半导体有以下特点：1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间2.半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。3.在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。2.1.2半导体的共价键结构在电子器件中，用得最多的半导体材料是硅和锗，它们的简化原子模型如下所示。硅和锗都是四价元素，在其最外层原子轨道上具有四个电子，称为价电子。由于原子呈中性，故在图中原子核用带圆圈的+4符号表示。半导体与金属和许多绝缘体一样，均具有晶体结构，它们的原子形成有排列，邻近原子之间由共价键联结，其晶体结构示意图如下所示。图中表示的是晶体的二维结构，实际上半导体晶体结构是三维的。0+4一两个电子的共价健硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构0+4Da+401+410>正高子核Laa+40a+4DPa2.1.3本征半导体本征半导体一一化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。空穴—共价键中的空位。电子空穴对一由热激发而产生的自由电子和空穴对。空穴的移动一一空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。本征激发在室温下，本征半导体共价键中的价电子获得足够的能量，挣脱共价键的束缚进入导带，成为自由电子，在晶体中产生电子空穴对的现象称为本征激发
2.1 半导体的基本知识 2.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性 能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半 导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓 （GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢 （In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。 半导体有以下特点： 1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。 2.1.2 半导体的共价键结构 在电子器件中，用得最多的半导体材料是硅和锗，它们的简化原子模型如下 所示。硅和锗都是四价元素，在其最外层原子轨道上具有四个电子，称为价电子。 由于原子呈中性，故在图中原子核用带圆圈的+4 符号表示。半导体与金属和许 多绝缘体一样，均具有晶体结构，它们的原子形成有排列，邻近原子之间由共价 键联结，其晶体结构示意图如下所示。图中表示的是晶体的二维结构，实际上半 导体晶体结构是三维的。 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 2.1.3 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。 空穴——共价键中的空位。 电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。 空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现 的。 本征激发 在室温下，本征半导体共价键中的价电子获得足够的能量，挣脱共价键的束 缚进入导带，成为自由电子，在晶体中产生电子-空穴对的现象称为本征激发
电干热标发o.电干移走后·..本征激发产生的空穴-电子对空穴、电子导电机理由于共价键出现了空穴，在外加电场或其他的作用下，邻近价电子就可填补到这个空位上，而在这个电子原来的位置上又留下新的空位，以后其他电子双可转移到这个新的空位。这样就使共价键中出现一定的电荷迁移。空穴的移动方向和电子移动的方向是相反的。本征半导体中的自由电子和空穴数总是相等的。2.1.4杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。N型半导体掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。P型半导体一一掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。1.N型半导体因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子，由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。2.P型半导体因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子，由热激发形成。空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。3.杂质对半导体导电性的影响掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下T=300 K 室温下,本征硅的电子和空穴浓度：n=p=1.4×1010/cm
由于共价键出现了空穴，在外加电场或其他的作用下，邻近价电子就可填 补到这个空位上，而在这个电子原来的位置上又留下新的空位，以后其他电子 双可转移到这个新的空位。这样就使共价键中出现一定的电荷迁移。空穴的移 动方向和电子移动的方向是相反的。 本征半导体中的自由电子和空穴数总是相等的。 2.1.4 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显 著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质 半导体。 N 型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P 型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 1. N 型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形 成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 在 N 型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是 少数载流子, 由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为 正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。 2. P 型半导体 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中 留下一个空穴。 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数 载流子， 由热激发形成。空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价 杂质 因而也称为受主杂质。 3. 杂质对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下: T=300 K 室温下, 本征硅的电子和空穴浓度：n = p = 1.4×1010/cm3
掺杂后N型半导体中的自由电子浓度：n=5×1016/cm本征硅的原子浓度：4.96×1022/cm3以上三个浓度基本上依次相差106/cm3。小结：本节主要介绍了半导体、本征半导体和杂志半导体的基本知识。2.2PN结的形成及特性2.2.1PN结的形成：在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内电子很多而空穴很少，而P型区内空穴很多电子很少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。于是，有一些电子要从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，就是所谓的PN结。扩散越强，空间电荷区越宽。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。在出现了空间电荷区以后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区就形成了一个内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反它是阻正扩散的。另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄。当漂移运动达到和扩散运动相等时，PN结便处于动态平衡状态。内电场促使少子漂移，阻止多子扩散。最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。2.2.2PN结的单向导电性当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。(1)PN结加正向电压时：在正向电压的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的多数载流子空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动，当P区空穴进入PN结后，就要和原来的一部分负离子中和，使P区的空间电荷量减少。同样，当N区电子进入PN结时，中和了部分正离子，使N区的空间电荷量减少，结果使PN结变窄，即耗尽区厚变薄，由于这时耗尽区中载流子增加，因而电阻减小。势垒降低使P区和N区中能越过这个势垒的多数载流子大大增加，形成扩散电流。在这种情况下，由少数载流了形成的漂移电流，其方向与扩散电流相反，和正向电流比较，其数值很小，可忽略不计。这时PN结内的电流由起支配地位的扩散电流所决定。在外电路上形成一个流入P区的电流，称为正向电流IF。当外加电压VF稍有变化（如O.1V），便能引起电流的显著变化，因此电流F是随外加
掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度：n = 5×1016/cm3 本征硅的原子浓度：4.96×1022/cm3 以上三个浓度基本上依次相差 106 /cm3 。 小结：本节主要介绍了半导体、本征半导体和杂志半导体的基本知识。 2.2 PN 结的形成及特性 2.2.1 PN 结的形成： 在 P 型半导体和 N 型半导体结合后，由于 N 型区内电子很多而空穴很少， 而 P 型区内空穴很多电子很少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差 别。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。于是，有一些 电子要从 N 型区向 P 型区扩散，也有一些空穴要从 P 型区向 N 型区扩散。它们 扩散的结果就使 P 区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子,N 区一边失去电 子，留下了带正电的杂质离子。半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。 这些不能移动的带电粒子在 P 和 N 区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷 区，就是所谓的 PN 结。扩散越强，空间电荷区越宽。在空间电荷区，由于缺少 多子，所以也称耗尽层。在出现了空间电荷区以后，由于正负电荷之间的相互作 用，在空间电荷区就形成了一个内电场，其方向是从带正电的 N 区指向带负电 的 P 区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反它是阻止扩散的。 另一方面，这个电场将使 N 区的少数载流子空穴向 P 区漂移，使 P 区的少数载 流子电子向 N 区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从 N 区漂 移到 P 区的空穴补充了原来交界面上 P 区所失去的空穴，从 P 区漂移到 N 区的 电子补充了原来交界面上 N 区所失去的电子，这就使空间电荷减少，因此，漂移 运动的结果是使空间电荷区变窄。当漂移运动达到和扩散运动相等时，PN 结便 处于动态平衡状态。内电场促使少子漂移，阻止多子扩散。最后,多子的扩散和 少子的漂移达到动态平衡。 2.2.2 PN 结的单向导电性 当外加电压使 PN 结中 P 区的电位高于 N 区的电位，称为加正向电压，简 称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (1) PN 结加正向电压时： 在正向电压的作用下，PN 结的平衡状态被打破，P 区中的多数载流子空穴和 N 区中的多数载流子电子都要向 PN 结移动，当 P 区空穴进入 PN 结后，就要和 原来的一部分负离子中和，使 P 区的空间电荷量减少。同样，当 N 区电子进入 PN 结时，中和了部分正离子，使 N 区的空间电荷量减少，结果使 PN 结变窄， 即耗尽区厚变薄，由于这时耗尽区中载流子增加，因而电阻减小。势垒降低使 P 区和 N 区中能越过这个势垒的多数载流子大大增加，形成扩散电流。在这种 情况下，由少数载流了形成的漂移电流，其方向与扩散电流相反，和正向电流 比较，其数值很小，可忽略不计。这时 PN 结内的电流由起支配地位的扩散电 流所决定。在外电路上形成一个流入 P 区的电流，称为正向电流 IF。当外加电 压 VF 稍有变化（如 O.1V），便能引起电流的显著变化，因此电流 IF 是随外加
电压急速上升的。这时，正向的PN结表现为一个很小的电阻。在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。(2)PN结加反向电压时：在反向电压的作用下，P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结，使耗尽区厚度加宽，PN结的内电场加强。这一结果，一方面使P区和N区中的多数载流子就很难越过势垒，扩散电流趋近于零。另一方面，由于内电场的加强，使得N区和P区中的少数载流子更容易产生漂移运动。这样，此时流过PN结的电流由起支配地位的漂移电流所决定。漂移电流表现在外电路上有一个流入N区的反向电流IR。由于少数载流子是由本征激发产生的其浓度很小，所以IR是很微弱的，一般为微安数量级。当管子制成后，IR数值决定于温度，而几乎与外加电压VR无关。IR受温度的影响较大，在某些实际应用中，还必须予以考虑。PN结在反向偏置时，IR很小，PN结呈现一个很大的电阻，可认为它基本是不导电的。这时，反向的PN结表现为一个很大的电阻。PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。(3)PN结V-I 特性表达式i/mA1.0 0.5in=- 1s 0.50.5 1.001.0Up/VD=PN结的伏安特性在常温下（T=300K）V,==26mVq2.2.3PN结的反向击穿当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。反向击穿分为电击穿和热击穿，电击穿包括雪崩击穿和齐纳击。PN结热击穿后电流很大，电压又很高，消耗在结上的功率很大，容易使PN结发热,把PN结烧毁。热击穿一不可逆：电击穿一可逆当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间
26mV q kT VT = = 电压急速上升的。这时，正向的 PN 结表现为一个很小的电阻。在一定的温度 条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定 的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 (2) PN 结加反向电压时： 在反向电压的作用下，P 区中的空穴和 N 区中的电子都将进一步离开 PN 结， 使耗尽区厚度加宽，PN 结的内电场加强。这一结果，一方面使 P 区和 N 区中 的多数载流子就很难越过势垒，扩散电流趋近于零。另一方面，由于内电场的 加强，使得 N 区和 P 区中的少数载流子更容易产生漂移运动。这样，此时流过 PN 结的电流由起支配地位的漂移电流所决定。漂移电流表现在外电路上有一个 流入 N 区的反向电流 IR。由于少数载流子是由本征激发产生的其浓度很小，所 以 IR 是很微弱的，一般为微安数量级。当管子制成后，IR 数值决定于温度， 而几乎与外加电压 VR 无关。IR 受温度的影响较大，在某些实际应用中，还必 须予以考虑。PN 结在反向偏置时，IR 很小，PN 结呈现一个很大的电阻，可认 为它基本是不导电的。这时，反向的 PN 结表现为一个很大的电阻。 PN 结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN 结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN 结具有单向导电性。 (3) PN 结 V- I 特性表达式 在常温下（T=300K） 2.2.3 PN 结的反向击穿 当 PN 结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称 为 PN 结的反向击穿。反向击穿分为电击穿和热击穿，电击穿包括雪崩击穿和齐 纳击。PN 结热击穿后电流很大，电压又很高，消耗在结上的功率很大，容易使 PN 结发热,把 PN 结烧毁。 热击穿——不可逆；电击穿——可逆 当 PN 结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间 = ( −1) T D V V D S i I e PN 结的伏安特性 iD/mA 1.0 0.5 iD=–IS –1.0 –0.5 0 0.5 1.0 D/V
电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空六将不断地与晶体原子又发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞的可使共价键中的电子激发形成自由电子一空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，这样，反向电流剧增，PN结就发生雪崩击穿。在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存一个强电场，它能够破坏共价键，将束缚电子分离出来造成电子二空穴对，形成较大的反向电流。发生齐纳击穿需要的电场强度约为2×10V/cm，这只有在杂质浓度特别大的PN结中才能达到，因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度（即杂质离子）也大，因而空间电荷区很窄，电场强度可能很高。电击穿可被利用（如稳压管），而热击穿须尽量避免。2.2.4PN结的电容效应1）势垒电容CB：用来描述二极管势垒区的空间电荷随电压变化而产生的电容效应的。PN结的空间电荷随外加电压的变化而变化，当外加正向电压升高时，N区的电子和P区空穴进入耗尽区，相当于电子和空穴分别向CB“充电”，如图（a)所示。当外加电压降低时，又有电子和空穴离开耗尽区，好像电子和空穴从CB放电，如图（b)所示。CB是非线性电容，电路上CB与结电阻并联，在PN结反偏时其作用不能忽视，特别是在高频时，对电路的影响更大。(2）扩散电容CD：二极管正向导电时，多子扩散到对方区域后，在PN结边界上积累，并有一定的浓度分布。积累的电荷量随外加电压的变化而变化，当PN结正向电压加大时，正向电流随着加大，这就要有更多的载流子积累起来以满足电流加大的要求；而当正向电压减小时，正向电流减小，积累在P区的电子或N区的空穴就要相对减小，这样，就相应地要有载流子的“充入”和“放出”。因此，积累在P区的电子或N区的空穴随外加电压的变化就可PN结的扩散电容CD描述。扩散电容反映了在外加电压作用下载流子在扩散过程中积累的情况。(3)PN结的高频等效电路：由于PN结结电容（CB和CD）的存在，使其在高频运用时，必须考虑结电容的影响.PN结高频等效电路如下图所示，图中r表示电阻，C表示结电容，它包括势垒电容和扩散电容，其大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。当PN结处于正向偏置时，r为正向电阻，数值很小，而结电容较大（主要决定于扩散电容CD）。当PN结处于反向偏置时，r为反向电阻，其数值较大。结电容较小（主要决定于势垒电容CB）。小结：本节主要介绍了PN结的形成及基本特性。CI
电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子 和空六将不断地与晶体原子又发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这 样的碰撞的可使共价键中的电子激发形成自由电子–空穴对。新产生的电子和空 穴也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子–空穴对， 这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就 像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，这样，反向电流剧 增， PN 结就发生雪崩击穿。 在加有较高的反向电压下，PN 结空间电荷区中存一个强电场，它能够破坏 共价键，将束缚电子分离出来造成电子–空穴对，形成较大的反向电流。发生齐 纳击穿需要的电场强度约为 2×10V/cm，这只有在杂质浓度特别大的 PN 结中才 能达到，因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度（即杂质离子）也大，因而空 间电荷区很窄，电场强度可能很高。 电击穿可被利用（如稳压管），而热击穿须尽量避免。 2.2.4 PN 结的电容效应 (1) 势垒电容 CB：用来描述二极管势垒区的空间电荷随电压变化而产生的电容 效应的。PN 结的空间电荷随外加电压的变化而变化，当外加正向电压升高时， N 区的电子和 P 区空穴进入耗尽区，相当于电子和空穴分别向 CB“充电”，如图 （a)所示。当外加电压降低时，又有电子和空穴离开耗尽区，好像电子和空穴 从 CB 放电，如图（b)所示。CB 是非线性电容，电路上 CB 与结电阻并联，在 PN 结反偏时其作用不能忽视，特别是在高频时，对电路的影响更大。 (2) 扩散电容 CD：二极管正向导电时，多子扩散到对方区域后，在 PN 结边界 上积累，并有一定的浓度分布。积累的电荷量随外加电压的变化而变化，当 PN 结正向电压加大时，正向电流随着加大，这就要有更多的载流子积累起来以满 足电流加大的要求；而当正向电压减小时，正向电流减小，积累在 P 区的电子 或 N 区的空穴就要相对减小，这样，就相应地要有载流子的“充入”和“放出”。 因此，积累在 P 区的电子或 N 区的空穴随外加电压的变化就可 PN 结的扩散电 容 CD 描述。扩散电容反映了在外加电压作用下载流子在扩散过程中积累的情 况。 (3) PN 结的高频等效电路：由于 PN 结结电容（CB 和 CD）的存在，使其在高频 运用时，必须考虑结电容的影响.PN 结高频等效电路如下图所示，图中 r 表示电 阻，C 表示结电容，它包括势垒电容和扩散电容，其大小除了与本身结构和工艺 有关外，还与外加电压有关。当 PN 结处于正向偏置时，r 为正向电阻，数值很 小，而结电容较大（主要决定于扩散电容 CD）。当 PN 结处于反向偏置时，r 为 反向电阻，其数值较大。 结电容较小（主要决定于势垒电容 CB）。 小结：本节主要介绍了 PN 结的形成及基本特性
2.3半导体二极管2.3.1半导体二极管的结构在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。（1）点接触型二极管：PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(2）面接触型二极管：PN结面积大，用于工频大电流整流电路。立ig/mA2015@10520-604000.20.40.6D-10?2030403iVLAl(3）平面型二极管：往往用于集成电路制造艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。(4)二极管的代表符号2.3.2二极管的伏安特性(1）正向特性：正向特性表现为图中的①段。当正向电压较小，正向电流几乎为零。此工作区域称为死区。Vt称为门坎电压或死区电压（该电压硅管约为0.5V，锗管为0.2V)。当正向电压大于Vth时，内电场削弱，电流因而迅速增长.呈现的很小正向电阻。(2）反向特性：反向特性表现为如图中的②段。由于是少数载流形成反向饱和电流，所以其数值很小，当温度升高时，反向电流将随之急剧
2.3 半导体二极管 2.3.1 半导体二极管的结构 在 PN 结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触 型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管：PN 结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (2) 面接触型二极管：PN 结面积大，用于工频大电流整流电路。 (3) 平面型二极管：往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高 频整流和开关电路中。 (4) 二极管的代表符号 2.3.2 二极管的伏安特性 (1) 正向特性：正向特性表现为图中的①段。当正向电压较小，正向电流几乎为 零。此工作区域称为死区。Vth 称为门坎电压或死区电压（该电压硅管约为 0.5V， 锗管为 0.2V)。当正向电压大于 Vth 时，内电场削弱，电流因而迅速增长,呈现的 很小正向电阻。 (2) 反向特性：反向特性表现为如图中的②段。 由于是少数载流形成反向饱和电流，所以其数值很小，当温度升高时，反向电流 将随之急剧
增加。(3）反向击穿特性：反向击穿特性对应于图中③段，当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，二极管的反向击穿。其原因和PN击穿相同。2.3.3二极管的参数（1）最大整流电流IF；(2）反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM(3）反向电流IR；（4）正向压降VF；（5）极间电容CB小结：本节主要介绍了二极管的结构和伏安特性
增加。 (3) 反向击穿特性：反向击穿特性对应于图中 ③段，当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，二极管的反向击穿。其原 因和 PN 击穿相同。 2.3.3 二极管的参数 (1) 最大整流电流 IF； (2) 反向击穿电压 VBR 和最大反向工作电压 VRM (3) 反向电流 IR；(4) 正向压降 VF；(5) 极间电容 CB 小结：本节主要介绍了二极管的结构和伏安特性
2.4二极管基本电路及其分析方法1B莫26(mV)1-3I,(mA)DnnAi析Au1)(2) VDDun0Up号 Vop (a)9VDDVDD(a)ipipBip+AiAun曲0.Pin+(b)(b)2.4.3折线模型图24.4小信号模型I特性Dp(b）代表符号A(a)VaUD）V-up特性（b）代表符号aVDrp②使用恒压降模型得小信号模型1折线模型Vop-VD = 0.93mAVp =0.7VIp=R③使用折线模型得Vp-V =0.931mArp=0.2KQVp=Vh+rplp=0.69VIp =R+rD(2) VpD=1 V①使用理想模型得VDD =0.1mAVD=OVIp =R②使用恒压降模型得Vop-Vp = 0.03mAVp=0.7VIb=R③使用折线模型得Vpp-Vih =0.049mAVp =Vh +rplp =0.51VIp=R+rD2.限幅电路：例2.4.2已知：R=1KQ
2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.4.1 二极管 V- I 特性的建模 在小信号模型中： 2.4.2 应用举例 1. 二极管的静态工作情况分析 （1）VDD=10V 时（R=10KW） （2）VDD=1V 时（R=10KW） 解：（1）VDD=10V ① 使用理想模型得 ② 使用恒压降模型得 ③ 使用折线模型得 (2) VDD=1V ① 使用理想模型得 ② 使用恒压降模型得 ③ 使用折线模型得 2. 限幅电路：例 2.4.2 已知： R = 1K ( ) 26( ) I mA mV I V r D D T d = = mA R V v V I DD D = 0 D = =1 mA R V V v V I DD D D 0.7 D = 0.93 − = = mA v V r I V R r V V r K I D t h D D D D D t h D 0.2 D = 0.931 = + = 0.69 + − = = mA R V v V I DD D = 0 D = = 0.1 mA R V V v V I DD D D 0.7 D = 0.03 − = = mA v V r I V R r V V I D t h D D D DD t h D = 0.049 = + = 0.51 + − = 1. 理想模型 2. 恒压源模型 4. 小信号模型 3. 折线模型 + − D iD VDD + − D iD VDD VD + − D iD VDD rD Vth
RRn0DVa主UDoDoD?VREFEVREFT(a)(b)Uo/VUo/V99I'D斜率==0.17'p+R6F33302元oX9 U/V06斜率=1REF+Vth=3.5V2元(d)(c)at当v,≤3.5V时，V。=VrD当v>3.5V时，V。=3.5+(v, -3.5)R+rpVDD = 5VR=5KQ3.开关电路：例2.4.3已知：利用假定状态分析法知：v设DI导通，则：Vo=0V，D2截止，无矛盾。设D2导通，则：V=3V，Dl亦屏通，40V.承盾40故Vo=0V。D3V0VDD4.低稳压电路：例2.4.4已知：VDp=10V，R=10KQ变化若V则硅二极管输出电压变化多少？±V,DD0-o1oV~282则ra==0.93mAIp =DRIp28rd=±2.79mVAy=NV±1xDD10×103+28R+rdJR+Vo△VDDrd
3. 开关电路：例 2.4.3 已知： 利用假定状态分析法知： 设 D1 导通，则：vo = 0V，D2 截止，无矛盾。 设 D2 导通，则：vo = 3V，D1 亦导通，vo = 0V，矛盾。 故 vo = 0V。 4. 低压稳压电路：例 2.4.4 已知： 若 变化 ，则硅二极管输出电压变化多少？ O − + D (a) (b) VREF I − + R O − + Vth VREF I − + R rD O/V O/V t t 斜率 = 斜率 = = 0.17 rD rD+R VREF+Vth=3.5 V I /V (c) (d) 3.5 3.5 ( 3.5) 3.5 − + = + = i D D i o i o i v R r r v V v v V v v 当 时， 当 时， VDD =10V R =10K VDD 1V = = − = 0.93 28 D T d DD D D I V mA r R V V I 则 mV R r r v V d d o DD 2.79 10 10 28 28 1 3 = + = + = VDD = 5V R = 5K VDD 0V vo 3V D1 D2 VDD vo D Δvo Δ rd VDD R + - + -