
十3半导体二极管及其基本电路半导体的基本知识3.13.2PN结的形成及特性3.3半导体二极管3.4二极管基本电路及其分析方法3.5特殊二极管HOME
3.1 半导体的基本知识 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性

米基尔霍夫方程组原因:(1)多个电阻的联接并非总可看作串、并联的组合:(2)当并联支路中有一条以上含源时,就无法用电阻的并联公式化简为一条支路。复杂电路:通常把不能用普通方法化简的电路叫做复杂电路。求解复杂电路的基本公式是基尔霍夫方程组HOME
基尔霍夫方程组 原因: (1)多个电阻的联接并非总可看作串、并联的组合; (2)当并联支路中有一条以上含源时,就无法用电 阻的并联公式化简为一条支路。 复杂电路:通常把不能用普通方法化简的电路 叫做复杂电路。 求解复杂电路的基本公式是基尔霍夫方程组

米基尔霍夫第一方程组节点:三条(及以上)支路的联接点叫节点(或结点)。基尔霍夫第一定律:流进直流电路任一节点的电流等于从该节点流出的电流。当电路共有n个节点时,只有n-1个节点方程是独立的。这n-1个独立方程构成基尔霍夫第一方程组。在列节点方程时,凡流入节点的电流都写在等式的一侧,凡从节点流出的电流都写在另一侧HOME
基尔霍夫第一方程组 基尔霍夫第一定律:流进直流电路任一节点的电 流等于从该节点流出的电流。 当电路共有n个节点时,只有n-1个节点方程是独 立的。这n-1个独立方程构成基尔霍夫第一方程组。 节点:三条(及以上)支路的联接点叫节点(或 结点)。 在列节点方程时,凡流入节点的电流都写在等式 的一侧,凡从节点流出的电流都写在另一侧

米基尔霍夫第一方程组求解复杂电路时,各支路电流往往是未知量,它们的方向事先并不知道,可以先给每个支路电流假设一个方向,这个假设的电流方向叫做电流的正方向并按照这一方向列出方程节点A:Iπ + I3 = I2即I2 Ii- I3 = 0凡流入节点的电流前写-号,凡从节点流出的电流前写+号。这里的流入和流出都是对电流的正方向而言,不问其实际方向如何。节点方程可写为(± Ii))=0HOME
基尔霍夫第一方程组 求解复杂电路时,各支路电流往往是未知量,它 们的方向事先并不知道,可以先给每个支路电流假设 一个方向,这个假设的电流方向叫做电流的正方向, 并按照这一方向列出方程。 I1 I2 I3 • A 节点A: I1 + I3 = I2 即 I2 – I1 - I3 = 0 凡流入节点的电流前写-号,凡从节点流出的电流 前写+号。这里的流入和流出都是对电流的正方向而 言,不问其实际方向如何。 节点方程可写为 ∑(± Ii )=0 i=1 k

米基尔霍夫第二方程组基尔霍夫第二方程是关于回路的方程回路:回路是电路中由若干支路组成的、满足如下两条件的部分:(1)自身闭合:(2)只要切断其中任一支路就不再闭合。回路方程可写为(士)=(士IR)正负号的规定:任意选定一个绕行回路的方向(叫做绕行方向),当绕行方向从负极进入电源时其电动势前写+号,否则写-号:当绕行方向与电阻的电流正方向相同时,该电阻的IR项前写+号,否则写-号。HOME
基尔霍夫第二方程组 基尔霍夫第二方程是关于回路的方程。 回路:回路是电路中由若干支路组成的、满足如 下两条件的部分: (1)自身闭合;(2)只要切断其 中任一支路就不再闭合 。 回路方程可写为 ∑(± ℇ )= ∑(± IR ) 正负号的规定:任意选定一个绕行回路的方向 (叫做绕行方向),当绕行方向从负极进入电源时, 其电动势前写+号,否则写-号;当绕行方向与电阻 的电流正方向相同时,该电阻的IR项前写+号,否则 写-号

米基尔霍夫第二方程组回路方程可写为(士)=(士IR)A回路1: &-&, = IR- I,R回路2:: E, = I,Rz+ IR3RR1R还有一个回路R,ARB,但这个回路的方程是不独立的82B它由回路1和回路2这两个方程推出。电路中所有独立的回路方程构成基尔霍夫第二方程组。一个完整电路的支路数b、节点数n和独立回路数m之间的关系为1 b= m+n-1 *HOME
基尔霍夫第二方程组 回路方程可写为 ∑(± ℇ )= ∑(± IR ) I3 ℇ1 I2 • A I1 ℇ2 • B R1 R2 R3 1 2 回路1: ℇ1- ℇ2 = I1 R1 – I2 R2 回路2: ℇ2 = I2 R2 + I3 R3 还有一个回路R1AR3B,但 这个回路的方程是不独立的, 它由回路1和回路2这两个方程 推出。 电路中所有独立的回路方程构成基尔霍夫第二 方程组。 一个完整电路的支路数b、节点数n和独立回路 数m之间的关系为 b = m+n-1

3.1半导体的基本知识半导体材料3.1.13.1.2半导体的共价键结构3.1.3本征半导体杂质半导体3.1.4HOME
3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体

3.1.1半导体材料根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等HOMEBACKNEXT
3.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分 导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称 为半导体

大半导体的特点1半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。2:半导体受外界光和热的刺激时其导电能力将会有显著变化。3.在纯净半导体中,加入微量的杂质其导电能力会急剧增强。HOMEBACKNEXT
半导体的特点 1.半导体的导电能力介于导体与绝 缘体之间。 2.半导体受外界光和热的刺激时, 其导电能力将会有显著变化。 3. 在纯净半导体中,加入微量的杂质, 其导电能力会急剧增强

半导体的共价键结构3.1.23硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构两个电子的共价键正离子核+2HOMEBACKNEXT
3.1.2 半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构