4半导体三极管及放大电路基础半导体BJT4.14.2共射级放大电路4.3图解分析法4.4小信号模型分析法4.5放大电路的工作点稳定问题4.6共集电极电路和共基极电路4.7放大电路的频率响应HOME
4.1 半导体BJT 4.2 共射级放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 放大电路的工作点稳定问题 4.6 共集电极电路和共基极电路 4.7 放大电路的频率响应 4 半导体三极管及放大电路基础
(BJT)半导体三极管4.1BJT的结构简介4.1.1BJT的电流分配与放大原理4.1.24.1.3BJT的特性曲线BJT的主要参数4.1.4中HOME
4.1.1 BJT的结构简介 4.1 半导体三极管（BJT） 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数
三极管的种类按照频率分，有高频管、低频管；按照功率分，有小、中、大功率管；按照半导体材料分，有硅管锗管等等。根据结构不同，三极管一般可分成两种类型：NPN型和PNP型HOMEBACKNEXT
三极管的种类： 按照频率分，有高频管、低频 管；按照功率分，有小、中、大功 率管；按照半导体材料分，有硅管、 锗管等等。 根据结构不同，三极管一般可 分成两种类型：NPN型和PNP型
4.1.1 BJT的结构简介半旦体一它有极管的结构集电极用C或c发射极表示两种类型的三极管三极管符号HOMEBACKNEXT
4.1.1 BJT的结构简介 半导体三极管的结构示意图如图03.1.01所示。它有 两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号
三极管的结构与符号：c集电极4bCeCO.中中N集电区集电结Pb.基区基极N发射结N发射区e发射极HOMEBACKNEXT
三极管的结构与符号：
c集电极CP集电区集电结Nb福基区基极发射结P发射区福ee发射极HOMEBACKNEXT
结构特点：·发射区的掺杂浓度最高·集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大：·基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低-NPN型-N管芯结构部面图HOMEBACKNEXT
结构特点： • 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且 掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图
4.1.2BJT的电流分配与放大原理米三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。1.内部载流子的传输过程NPN发射区：发射载流子收集载流子集电区：福基区：传送和控制载流子ICBO（以NPN为例）.h I,-In+IcBoIg=l-LBO1中州·1=1+1载流子的传输过程HOMENEXTBACK
4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 1. 内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通 过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 载流子的传输过程
(1)发射区向基区注入电子由于发射结外加正向电压，因此这时发射区的多数载流子电子不断通过发射结扩散到基区，形成发射极电流Ie，其方向与电子流动方向相反HOMENEXTBACK
（1）发射区向基区注入电子 由于发射结外加正向电压，因此 这时发射区的多数载流子电子不断通 过发射结扩散到基区，形成发射极电 流IE，其方向与电子流动方向相反
发射结集电结NPNJeJ.EIc>萍：复合电子流Vo+VccVo-VEEIBVeFVerHOMENEXTBACK