第1章晶体二极管
第1章 晶体二极管
*1晶体二极管:由PN结构成的电子器件 *2晶体二极管的主要特性:单向导电性 *3晶体二极管结构符号 E极 仁N 负极正极 负极 引线 引线 外壳PN结 (a)内部结构示意图 (b)电路符号
*1 晶体二极管:由PN结构成的电子器件.. *2 晶体二极管的主要特性:单向导电性. *3 晶体二极管结构.符号
1.1半导体的基础知识 半导体特性 *1导体.p108●cm 半导体10392cm<p<1082cm *2半导体的独特性质 1)掺杂性:ρ受‘掺杂’影响大 2)热敏性:p随温度上升而下降 3)光敏性:p随光照的增强而下降
1.1 半导体的基础知识 一、半导体特性 *1 导体. ρ108Ω•cm 半导体 10-3Ω•cm < ρ < 108Ω•cm *2 半导体的独特性质 1）掺杂性: ρ受‘掺杂’影响大 2）热敏性：ρ随温度上升而下降 3）光敏性：ρ随光照的增强而下降
*3导电性有差异的根本原因物质内部原子结构 原子核 电子 价电子 惯性核 +32 +4 价电子 (a)硅 (b)储 (c)惯性核模型 图1-1-1硅和锗的原子结构模型
*3 导电性有差异的根本原因:物质内部原子结构
1本征半导体 1)本征半导体 2)共价键 惯性核 9))共价键 9)价电子(( 图1-12硅和储共价键结构示意图
1 本征半导体 1) 本征半导体 2) 共价键
3)本征半导体的导电性 ①本征激发载流子 ②空 ③本征半导体两种载流子:自由电子空穴 ④电子空穴对 )复 空位 4)自由电子 图1-1-3空穴在晶格中的移动
3) 本征半导体的导电性 ①本征激发.载流子 ②空穴 ③本征半导体两种载流子:自由电子.空穴 ④电子-空穴对 ⑤复合
2、杂质半导体 多余电子成 为自由电子 *杂质半导体 1)N型半导体 施主杂质-(+5 ①多子-电子, 子空穴 n>>1 p ②施主杂质 图1-14N型半导体结构示意图 ③热平衡条件:np=n2 电中性条件:n=Na+p
2 、杂质半导体 * 杂质半导体 1)N型半导体 ①多子-电子, 少子-空穴 n>>p ②施主杂质 ③热平衡条件：n·p=ni 2 电中性条件：n=Nd+p
2)P型半导体 (+0)空穴 受主杂质 ①多子-空穴, 少子-电子, 图1-1-5P型半导体结构示意图 ②受主杂质 ③热平衡条件:np=n2 电中性条件:p=N+n
2）P型半导体 ①多子-空穴, 少子-电子， p>>n ②受主杂质 ③热平衡条件：n·p=ni 2 电中性条件：p=Na+n
12PN结 、PN结的基本原理 1PN结 1)PN结中载流子的运动→空间电荷区 空间电荷区 P+区 N区 ⊙9 内建电场E 图1-2-1空间电荷区的形成
一、 PN结的基本原理 1.PN结 1）PN结中载流子的运动→空间电荷区 1.2 PN结
*1漂移电流 *2扩散电流 *3动态平衡: 图1-22P+N结的内建电位差
*1 漂移电流 *2 扩散电流 *3动态平衡：