(1)晶体三极管组成: 两个结,三个区,三个极 (2)晶体三极管内部结构: 发射区进行高掺杂,多子浓度很高。 基区做得很薄,掺杂少,多子浓度很低 集电结面积大于发射结面积 E C E结 C结 B
(1).晶体三极管组成 : 两个结,三个区,三个极 (2) 晶体三极管内部结构: 发射区进行高掺杂,多子浓度很高。 基区做得很薄,掺杂少,多子浓度很低。 集电结面积大于发射结面积
*2晶体三极管的工作模式: 放大:发射结正偏,集电结反偏 饱和:发射结正偏,集电结正偏 截止:发射结反偏,集电结反偏 *晶体三极管的主要特性与工作模式有关
*2.晶体三极管的工作模式: 放大:发射结正偏,集电结反偏 饱和:发射结正偏,集电结正偏 截止:发射结反偏,集电结反偏 * 晶体三极管的主要特性与工作模式有关
2.1放大状态下晶体三极管的工作原理 1.内部载流子运动:满足内部和外部条件下,内部 载流子运动有三个过程 1)发射:LE=+lp 发射区多子电子通过阻挡层形成IN 基区多子空穴通过阻挡层形成Ip E一TENP~1EN IN:发射区电子→基区 Ip:基区空穴→发射区全部被发射区电 子复合掉
2.1 放大状态下晶体三极管的工作原理 1. 内部载流子运动:满足内部和外部条件下,内部 载流子运动有三个过程 1)发射:IE=IEN+IEP 发射区多子电子通过阻挡层形成 IEN 基区多子空穴通过阻挡层形成 IEP IE=IEN+IEP≈IEN IEN :发射区电子→基区 IEP :基区空穴→发射区:全部被发射区电 子复合掉
E EN EPEN EP R2 C CPCN2 CNI CNI CP CNICBO CN2 +IcBO CN Iox +I e CI BN BN B EP RI EN
R2+_+_ R1 I B · · · · N + PICN2 · · · · ICP N IEP · ICN1 IEN I CI E I C=ICP+ICN2+ICN1 = ICN1+ICBO = ICN+ICBO IE= IEN= ICN+IBN = I C+I B I E=IEN+IEP≈ IEN (IEN﹥﹥ IEP ) IBN
2)复合和扩散:发射区电子→基区 ①少数与空穴复合一lp ②大多数在基区中继续扩散到达靠近集电 结的一侧 CNI 3)收集: ①集电结反偏阻止集电区多子电子向基区 ②有利于基区扩散过来的电子收集到集电区 而形成ICN(LCN) 少子漂移电流IcBo(=cp+lcN2)
2) 复合和扩散:发射区电子→基区 ①少数与空穴复合—IBP ②大多数在基区中继续扩散到达靠近集电 结的一侧—ICN1 3) 收集: ①集电结反偏阻止集电区多子电子向基区 ②有利于基区扩散过来的电子收集到集电区 而形成ICN(ICN1) 少子漂移电流 ICBO (=ICP+ICN2)
2)静态直流电流 E ENEN EN >> EP CPCN2CN1CNICBO CN CBO CBO CPCN2 为反向饱和电流 e leN ICNTIBPICTIB *VB增加,I增加,I增加 ⅣB增加,IB略减小基区宽度调制效应 (集电结电压调制效) C主要受VB控制
2) 静态直流电流 IE=IEN+IEP≈ IEN (IEN﹥﹥IEP) IC=ICP+ICN2+ICN1= ICN1+ICBO = ICN+ICBO ICBO =ICP+ICN2 为反向饱和电流 IE= IEN= ICN+IBP = IC+IB * VBE增加, IB增加,IC增加 |VBC|增加, IB略减小——基区宽度调制效应 (集电结电压调制效) IC主要受VBE控制