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上海交通大学:《材料组织结构表征》课程教学资源(课件讲义)第四章 分析电子显微镜(书19章)

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第4章分析电子显微镜 4.1分析电子显微镜特点 4.2高分辨电子显微术的基本原理 4.3薄膜样品的X射线能谱分析 4.4微衍射花样与会聚束电子衍射 4.5分析电子显微镜及其分析新技术简介

第4章 分析电子显微镜 4.1分析电子显微镜特点 4.2 高分辨电子显微术的基本原理 4.3薄膜样品的X射线能谱分析 4.4微衍射花样与会聚束电子衍射 4.5 分析电子显微镜及其分析新技术简介

4.1分析电子显微镜特点 分析电子显微镜具有如下特点: (1)具有传统TEM特点:选区电子衍射、衍衬成像、高分辨结构 像; (2)纳米衍射和会聚束衍射, 获得纳米尺度区域的三维晶体学信息; (3)采用X射线能谱仪或电子能量损失谱仪可对纳米尺度的微区进 行元素的定性和定量分析; (4)若配有扫描电子显微镜功能,可使电子束对样品逐点扫描,可 观察扫描透射像,二次电子像、背散射电子像,采用X射线能谱仪或电 子能量损失谱仪可获元素的线分布和面分布图: (5)对真空度要求高,尤其用场发射电子枪(FEG)

4.1分析电子显微镜特点 分析电子显微镜具有如下特点: (1)具有传统TEM特点:选区电子衍射、衍衬成像、高分辨结构 像; (2)纳米衍射和会聚束衍射,获得纳米尺度区域的三维晶体学信息; (3)采用X射线能谱仪或电子能量损失谱仪可对纳米尺度的微区进 行元素的定性和定量分析; (4)若配有扫描电子显微镜功能,可使电子束对样品逐点扫描,可 观察扫描透射像,二次电子像、背散射电子像,采用X射线能谱仪或电 子能量损失谱仪可获元素的线分布和面分布图; (5)对真空度要求高,尤其用场发射电子枪(FEG)

4.1分析电子显微镜特点 高分辨电子显微术(HREM或HRTEM)是一种基于相位衬度原理的成 像技术。入射电子束穿过很薄的晶体试样,被散射的电子在物镜的背焦 面处形成携带晶体结构的衍射花样,随后衍射花样中的透射束和衍射束 的干涉在物镜的像平面处重建晶体点阵的像。这样两个过程对应着数学 上的傅里叶变换和逆变换

4.1分析电子显微镜特点 高分辨电子显微术(HREM 或HRTEM)是一种基于相位衬度原理的成 像技术。入射电子束穿过很薄的晶体试样,被散射的电子在物镜的背焦 面处形成携带晶体结构的衍射花样,随后衍射花样中的透射束和衍射束 的干涉在物镜的像平面处重建晶体点阵的像。这样两个过程对应着数学 上的傅里叶变换和逆变换

4.2高分辨电子显微术的基本原理 一、傅里叶变换 由电子枪发射的电子,在真空中行走时可视为波矢k(2π)的平面波 exp(ikr),当其入射到试样上将发生散射,试样对平面波的作用以9(x,y) 函数表示,如图6.1所示。 从试样上的(x,y)点到距离r的(s,)点的散射振幅可表示为 Gs.0=c∬gx,n9pik.dd (6.1) 式中c为常数。 (s,1) 图6.1电子散射示意图

4.2 高分辨电子显微术的基本原理 • 一、傅里叶变换 由电子枪发射的电子,在真空中行走时可视为波矢k(2π /λ)的平面波 exp(ik·r),当其入射到试样上将发生散射,试样对平面波的作用以q(x,y) 函数表示,如图6.1所示。 从试样上的(x,y)点到距离r的(s,t)点的散射振幅可表示为 (6.1) 式中c为常数。 x y r G s t c q x y d d exp(i ) ( , ) ( , )    k r 图6.1 电子散射示意图

4.2高分辨电子显微术的基本原理 由于>>x,y,因此可作如下近似处理: r=[R2+(s-x)2+(t-y2]2≈6-sx/6-y/6 (6.2) 这样,散射振幅可近似写成: G(h,kc(xy)exp[-2ni(hx+k)]dxdy (6.3) c'=cexp(ikn)/r,h=s/r,k=t/aro (6.4) 式(6.3)与傅里叶变换一致,这就表明Gh,)能够用9(x,y)的傅里叶变换来 得到,可简写为 G(h,k=Fig(x,y) (6.5)

4.2 高分辨电子显微术的基本原理 由于R>>x,y, 因此可作如下近似处理: (6.2) 这样,散射振幅可近似写成: (6.3) , , (6.4) 式(6.3)与傅里叶变换一致,这就表明G(h,k)能够用q(x,y)的傅里叶变换来 得到,可简写为 (6.5)   0 0 0 1/ 2 2 2 2 r  R  (s  x)  (t  y)  r  sx /r ty /r G(h k)  c  q(x y)exp[2πi(hx  k y)]dxdy  , , c cexp(ikr )/r  0  o h  s/ λr 0 k  t / λr G(h,k)  F{q(x, y)}

4.2高分辨电子显微术的基本原理 如果把振幅为Gh,)的衍射波视为次级波源,再进行一次傅里叶变 换,即逆变换,便得到物镜像平面上的散射振幅(x,y),即 g(x,y)=FG(h,k) (6.6) 由此可见,通过傅里叶逆变换,在像平面上获得了晶体试样中的全 部结构信息。需要说明的是,在本节中入射电子的波函数采用exp(ikr), 其中k=2π/九,并定义三维函数fr)的傅里叶变换G为: G(k)=f(r)ejMdr (6.7) 其逆变换为 fr)=∫G(k)edr (6.8)

4.2 高分辨电子显微术的基本原理 如果把振幅为G(h,k)的衍射波视为次级波源,再进行一次傅里叶变 换,即逆变换,便得到物镜像平面上的散射振幅q(x,y),即 (6.6) 由此可见,通过傅里叶逆变换,在像平面上获得了晶体试样中的全 部结构信息。需要说明的是,在本节中入射电子的波函数采用exp(ik·r), 其中|k|=2/,并定义三维函数f(r)的傅里叶变换G(k)为: (6.7) 其逆变换为 (6.8) q(x, y)  F{G(h,k)}   V kr G(k) f (r)e dr i    V kr f (r) G(k)e dr i

4.2高分辨电子显微术的基本原理 在高分辨成像的数学处理中,最重要的数学概念是傅里叶变换和卷 积。理解它们的数学含意,有利于理解高分辨成像的物理图像。下面以 几种重要的函数图像来说明。 1.fx)eiar)的图形 (a) 6 图6.2eia、fx)和x)e(ia)的图形 x)的傅里叶变换f(x)edr表示被积函数曲线下的面积

4.2 高分辨电子显微术的基本原理 在高分辨成像的数学处理中,最重要的数学概念是傅里叶变换和卷 积。理解它们的数学含意,有利于理解高分辨成像的物理图像。下面以 几种重要的函数图像来说明。 1. f(x)e (ikx)的图形 图6.2 e (ikx)、f(x)和f(x)e(ikx) 的图形 f(x)的傅里叶变换  表示被积函数曲线下的面积。   f x x kx ( )e d i

4.2高分辨电子显微术的基本原理 2.“顶盖”函数 - 0<x<-X0 f(x)=0 定义: If(x) F( -X。<x<+Xo f(x)=h Xo<x<w f(x)=0 2hXo fx)的傅里叶变换定义为 h k=f(x)edx -Xo +Xo =2hXo"KXo sin kXo 图63顶盖函数及其傅里叶变换

4.2 高分辨电子显微术的基本原理 2. “顶盖”函数 定义: f(x)的傅里叶变换定义为 F(k)=                  X x X x X x X 0 0 0 0 ( ) 0 ( ) ( ) 0    f x f x h f x    f x x kx ( )e d i 0 0 0 sin 2 kX kX  hX 图6.3 顶盖函数及其傅里叶变换

4.2高分辨电子显微术的基本原理 3.δ函数 定义为: 在点x=x处的一个δ函数,写作δ(x-x), 当x=x,δ(x-x0)=1 f(x) 当x≠x0,δ(x-x)=0 1 对于一维情况: [f(x)8(x-x)dx=f(xo) 对于三维情况: 图6.4ō函数 ∫fr)δr-)d=f)

4.2 高分辨电子显微术的基本原理 3.δ函数 定义为: 在点x= x0处的一个δ函数,写作δ(x-x0 ), 当x= x0,δ(x-x0 )=1 当x≠x0,δ(x-x0 )=0 对于一维情况: 对于三维情况: ( )δ( )d ( ) 0 0 f x x  x x  f x    ( )δ( )d ( ) 0 0 f r r  r r  f r  图6.4 δ函数

4.2高分辨电子显微术的基本原理 (a)一个δ函数的傅里叶变换 f() F(k F(k)=δ(x)edx=1 f(x)=8(x) F()=1 (a) (b) 图6.5一个δ函数及其傅里叶变换 (b)两个δ函数的傅里叶变换 (x) F f(x)=δ(x+x)+δ(x-x) -/Xo /xo 0 F(k)=f(x)edx=2coskx 0 -3π/2x0 3π/2x0 图6.6两个δ函数及其傅里叶变换

4.2 高分辨电子显微术的基本原理 (a)一个δ函数的傅里叶变换 (b) 两个δ函数的傅里叶变换 ( ) δ( )e d 1 i      F k x x kx 图6.5 一个δ函数及其傅里叶变换 0 i 0 0 ( ) ( )e d 2cos ( ) δ( ) δ( ) F k f x x k x f x x x x x kx          图6.6 两个δ函数及其傅里叶变换

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