南京邮电大学：《电磁感应》习题三

电磁感应习题三 例∞载流圆柱导体,半径为R,电流Ⅰ均匀流过导体截 面,求(1)m~r关系;(2)导体上l段内磁能。 解导体的磁导率≈山 r<R时 ,Bd=o2I =Ho -dD2.r 内 元

电磁感应习题三 作者：杨茂田 R r r 例 ∞载流圆柱导体，半径为 R ，电流 I 均匀流过导体截 面，求 (1) wm~ r 关系；(2) 导体上 l 段内磁能。 解 导体的磁导率≈μ 0 r < R 时：   =  l内 i l B dl I 0   2 0 2 r R I   =   I

电磁感应习题三 例∞载流圆柱导体,半径为R,电流Ⅰ均匀流过导体截 面,求(1)m~r关系;(2)导体上l段内磁能。 解导体的磁导率≈山 r<R时 ,Bd=o2I =Ho -dD2.r 内 元 B 2rr=Po r2 B=- pol 2T 2 'p

电磁感应习题三 作者：杨茂田 R r r 例 ∞载流圆柱导体，半径为 R ，电流 I 均匀流过导体截 面，求 (1) wm~ r 关系；(2) 导体上 l 段内磁能。 解 导体的磁导率≈μ 0 r < R 时：   =  l内 i l B dl I 0   2 0 2 r R I   =   2 0 2 2 r R I B  r =   r R I B =  2 0 2  I

电磁感应习题三 r>R 时:4=B2xr=A=A一B=m r (rr 8丌2r B 2nr= Po r2 B 2丌R 2

电磁感应习题三 作者：杨茂田 2 0 2 2 r RI B  r =   r RI B =  2 0 2  Rr r r >R 时：   =  = l内 i l B d l B r I 2 0   I = 0 rI B 0 2   = = = 2 2 B w m  2 2 4 2 0 8 r RI  ( r  R ) 2 2 2 0 1 8 r I    (r  R ) I rr

电磁感应习题三 r>R 时:4=B2xr=A=A一B=m (rr 8丌 导体上l段内磁能: R 2mrr·l 8丌2R 16兀 the end

电磁感应习题三 作者：杨茂田 R r >R 时：   =  =  l内 i l B dl B r I 2 0   I = 0 r I B 0 2  = r r = = 2 2 B wm  2 2 4 2 0 8 r R I   2 2 2 0 1 8 r I    (r  R) (r  R) 导体上 l 段内磁能：  = V Wm wm dV r dV R I  = 2 2 4 2 0 8  2 rdrl 0 2 16 I l Wm   = ( the end ) I 0 R

电磁感应习题三 例柱形电容器的单位长度上电量= sin ot,求其内 部位移电流密度及h段内“流到”外筒的位移电流。 解在其内部作一高斯面:封闭园柱面 于D4s=∑→D27h=Ah S内 D a 2元r 2Tr otnatet

电磁感应习题三 作者：杨茂田 例 柱形电容器的单位长度上电量 ，求其内 部位移电流密度及 h 段内“流到”外筒的位移电流。   sint = 0 r h 解   = S内 i S D dS q0   在其内部作一高斯面：封闭圆柱面 D2 rh =  h r D 2  = t r    sin 0 2 = r e   r e 

电磁感应习题三 例柱形电容器的单位长度上电量= sin ot,求其内 部位移电流密度及h段内“流到”外筒的位移电流。 解在其内部作一高斯面:封闭园柱面 于D4s=∑→D27h=Ah S内 D a 2元r 2Tr otnatet 位移电流密度: ad n d cos ot Ot2丌r

电磁感应习题三 作者：杨茂田 例 柱形电容器的单位长度上电量 ，求其内 部位移电流密度及 h 段内“流到”外筒的位移电流。   sint = 0 解   = S内 i S D dS q0   在其内部作一高斯面：封闭圆柱面 D2 rh =  h r D 2  = t r    sin 0 2 = r e   r e  位移电流密度： dt dD j d   = t D    t r     cos 0 2 = r e   r h

电磁感应习题三 如=Dds 侧面 D·dS 元.h=xnh- sin ot 位移电流密度: D cos ot at 2Tr

电磁感应习题三 作者：杨茂田 =  h =  hsint 0 r h  D =   S侧面 D dS    =  S D dS   位移电流密度： dt dD j d   = t D    t r     cos 0 2 = r e  

电磁感应习题三 如=Dds 侧面 D·dS 几·h= noh. sin at h段内“流到”外筒的位移电流: a= d t moha cos ot the end

电磁感应习题三 作者：杨茂田 r h =  h =  hsint 0 h 段内“流到”外筒的位移电流：  D =   S侧面 D dS    =  S D dS   dt d i D d  = =  h cost 0 ( the end )

电磁感应习题三 例如图所示,平板电容器从q=0开始充电,试画出充 电过程中,极板间1、2两点处的电场强度和磁场强度 的方向。 dD D=Ee dt E dt E d D=nlo· cos ot dt the end)

电磁感应习题三 作者：杨茂田 例 如图所示，平板电容器从q＝0开始充电，试画出充 电过程中，极板间 1、2 两点处的电场强度和磁场强度 的方向。 E  E  dt dD j d   = D E   0 =  dt dE j d   0 =  dt d i D d  = =  h cost 0 ( the end ) i i • 1 2 • + + + + + + + + + － － － － － － － － －

电磁感应习题三 例如图所示,平板电容器从q=0开始充电,试画出充 电过程中,极板间1、2两点处的电场强度和磁场强度 的方向。 dD D=Ee dt 于+十 E B B dt ⑧1 E q个→E个 ja与E同向

电磁感应习题三 作者：杨茂田 E  例 如图所示，平板电容器从q＝0开始充电，试画出充 电过程中，极板间 1、2 两点处的电场强度和磁场强度 的方向。 i i • 1 2 • E  dt dD j d   = D E   0 =  dt dE j d   0 =  q  E  d j  与 E 同向。  d j  B1  Bb + + + + + + + + +  － － － － － － － － －