模拟电子技术 第1章半导体二极管 1.4特殊二极管 iz/mA 1.4.1稳压二极管 特性 一、伏安特性 -U2 符号 平 工作条件：反向击穿 二、主要参数 U 一IZmax 1.稳定电压U2流过规定电压时稳压管两端的反向电压值。 2.稳定电流I越大稳压效果越好，小于Imm时不稳压。 3.最大工作电流IM;最大耗散功率PMPM=UzZ 4.动态电阻rz=△U2/△1z越小稳压效果越好，几2~几十2
1.4 特殊二极管 1.4.1 稳压二极管 一、伏安特性 iZ /mA O uZ/V −UZ − IZmin − IZmax UZ IZ − IZ 符号 特性 工作条件：反向击穿 二、主要参数 1. 稳定电压 UZ 流过规定电压时稳压管两端的反向电压值。 2. 稳定电流 IZ 越大稳压效果越好，小于Imin时不稳压。 3. 最大工作电流IZM ； 最大耗散功率PZM P ZM = UZ IZ 4. 动态电阻 rZ = UZ / IZ 越小稳压效果越好，几 几十。 第1章 半导体二极管
模拟电子技术 第1章半导体二极管 5.稳定电压温度系数Cv △U2/ 7Uzx100% △T 一般， Uz7V,Cv>0(为雪崩击穿)具有正温度系数； 4V<U2<7V,Cv很小
5. 稳定电压温度系数 CTV Z 100% Z TV = T U U C 一般， UZ 7V, CTV > 0 (为雪崩击穿) 具有正温度系数; 4V < UZ < 7V, CTV 很小。 第1章 半导体二极管
模拟电子技术 第1章半导体二极管 例1.4.1分析简单稳压电路的工作原理，R为限流电阻。 RR 当U波动时(R不变) U↑，Uo个→Iz个，R↑ Uo↓ 反之亦然 IR=Iz+IL Uo=UI-IRR 当R变化时（U不变) R↓WoN→I2↓→IB↓ 反之亦然
例1.4.1 分析简单稳压电路的工作原理，R为限流电阻。 IR = IZ + IL UO= UI – IR R 当UI 波动时(RL不变) → → → O L O Z R U R U I I UI → UO → I Z → I R UO 反之亦然 当 RL 变化时（ UI 不变） 反之亦然 UI UO R RL IR IL IZ 第1章 半导体二极管
模拟电子技术 第1章半导体二极管 1.4.2光电二极管 一、发光二极管LED(Light Emitting Diode) 1.符号和特性 符号 特性 i/mA 工作条件：正偏 般工作电流几十mA, 导通电压1~2V →u 2.主要参数 电学参数：IFM,U(BR),R 光学参数：峰值波长p,亮度L, 光通量① 发光类型：可见光：红、黄、绿 不可见光：红外光 显示类型：普通LED,七段LED,点阵LED
1.4.2 光电二极管 一、发光二极管 LED(Light Emitting Diode) 1. 符号和特性 工作条件：正偏 一般工作电流几十mA， 导通电压1 2V 2. 主要参数 电学参数：I FM , U（BR） , IR 光学参数：峰值波长 P，亮度 L，光通量 发光类型： 可见光：红、黄、绿 显示类型： 普通LED ， 不可见光：红外光 ，点阵LED 符号 u /V i /mA O 2 特性 七段LED 第1章 半导体二极管
模拟电子技术 第1章半导体二极管 发光二极管 发光二极管 型号：5133D 中8双色 规格：φ5 红光 符号：
第1章 半导体二极管
模拟电子技术 第1章半导体二极管 二、光敏二极管 符号 特性 1. 符号和特性 暗电流 工作条件：反偏 E=200 Ix 2.主要参数 E=400x 电学参数： 暗电流，光电流，最高工 光敏（电）二极管 光学参数： 型号：2CU2A 光谱范围，灵敏度，峰值 行号：
二、光敏二极管 1．符号和特性 符号 特性 u i O 暗电流 E = 200 lx E = 400 lx 工作条件：反偏 2. 主要参数 电学参数： 暗电流，光电流，最高工作范围 光学参数： 光谱范围，灵敏度，峰值波长 第1章 半导体二极管
模拟电子技术 第1章半导体二极管 补充：选择二极管限流电阻 R U 步骤 1.设定工作电压（如0.7V;2V(LED);Uz) 2.确定工作电流（如1mA;10mA;5mA) 3.根据欧姆定律求电阻R=(U-Uy)/Iv (R要选择标称值)
补充：选择二极管限流电阻 步骤： 1. 设定工作电压（如0.7 V; 2 V (LED); UZ） 2. 确定工作电流（如1 mA; 10 mA; 5 mA） 3. 根据欧姆定律求电阻R =（UI − UV）/ IV （R要选择标称值） R UI UV IV 第1章 半导体二极管