CHAP.2 Triode and Field Effect Transistors 2.1 Bipolar Junction Transistor(BJT) 双极型晶体管 2.1.1结构特点 2.1.2特性曲线 2.1.3主要参数
2.1.1 结构特点 2.1.2 特性曲线 2.1.3 主要参数 2.1 Bipolar Junction Transistor(BJT) 双极型晶体管 CHAP.2 Triode and Field Effect Transistors
三极管图片
三极管图片
2.1.1结构特点(Structures and Character) 一、结构 两种：NPN 三极： PNP e(Emitter):发射极 b(Base) :基极 发射区 集电区 c(Collector): 集电极 NPN型 PNP型 b 发射结(Je) 集电结dc) 基区 两节：JeJc
2.1.1 结构特点(Structures and Character) 两种: NPN PNP 一、结构 e(Emitter) ：发射极 b(Base） ：基极 c(Collector)：集电极 发射结(Je) 集电结(Jc) 基区 发射区 集电区 三极: 三区: 两节: 特点:b区薄 e区掺杂多 c区面积大 e,b,c Je,Jc
二、符号 *Je箭头：P一N NPN型 PNP型 ■
二、符号 *Je箭头: P N
2.l.2特性曲线(Character Curve) 一、放大条件 二、内部载流子传输过程 三、电流分配关系 四、放大作用 五、特性曲线
2.1.2 特性曲线(Character Curve) 一、放大条件 二、内部载流子传输过程 三、电流分配关系 四、放大作用 五、特性曲线
一、放大条件 内部条件： 三区结构与掺杂 外部条件？ Je正偏， Jc反偏。 电位关系： NPN:VC>VB>VE PNP:Vc<VB <VE
外部条件？ 一、放大条件 内部条件： 三区结构与掺杂 Je正偏， Jc反偏。 电位关系： NPN：VC ＞ VB ＞ VE PNP：VC ＜ VB ＜ VE
二、内部载流子传输过程 N e EN 用 忽略支流： IE=Ic+IB b ·空穴 ·电子 ←一电流方向 (1) 扩散 (2) 漂移 (3) Ic 发射区 基区 集电区 Je Jc 正偏 复 反偏
发射区 基区 集电区 Je Jc IB (1) (2) (3) IE 扩散 漂移 IC 正偏 反偏 复 合 二、内部载流子传输过程 忽略支流： IE =IC+IB
P 三极管由二个PN结 组成，具有电流控 制作用。 正 向 0 U2 反向特性
P N U2 - + N I2 U1 - + U2 I2 0 I1 I1 三极管由二个PN 结 组成，具 有电流控 制作用。 反向特性 正 向 特 性
● EN+ EP ICN ● EN IBN EP ICBO UEE Ucc 发射极开路时集电结反向饱和电流，受温度影响。 w转化为集电极电流Icm。 转化为基极电流。 a= Ic IE IE BN 复合损失的电流。 共基极直流电流传输系数
UEE - + C B E N P N IEP ICBO 发射极开路时集电结反向饱和电流，受温度影响。 IEN IBN IEN 转化为集电极电流ICN 。 IEP 转化为基极电流。 IBN 复合损失的电流。 E C E CN I I I I = 共基极直流电流传输系数 ICN UCC - + C CN CBO I = I + I E I I I EN + EP = B EP BN CBO I = I + I − I ICBO
Ic CN 空穴 CBO N Rc B 12V N FN 电子 三极管中载流子的运动
C IC E I E N P N IB RC EC EB RB I CBO 12V B IBN IEP IEN I CN 3V UC UB 三极管中载流子的运动 空穴 电子