第2章STC15F2K60S2单片机的片内硬件结构
1 第2章 STC15F2K60S2单片 机的片内硬件结构
内容概要本章介绍STC89S52单片机和STC15系列单片机的片内硬件结构
2 内容概要 本章介绍STC89S52单片机和STC15系列单片机的片内硬 件结构
知识要点：11、I/O口有哪几种工作模式，如何设置工作模式。共需要几个SFR设置工作模式P1M1=10H，P1M0=56H，P1.0~P1.7分别工作在什么模式？P3M1=33H，P3M0=55H，P3.0~P3.7分别工作在什么模式？2、单片机上电复位时，I/O口默认为什么工作模式？除了P2.0可以设置以外，其余均为高电平还是低电平？2、准双向口模式下漏电流为？拉电流为？如需要读入数据需要先做什么工作？3、强推挽模式下，漏电流为？拉电流为？4、PWM输出时采用什么模式？5v到3V器件电平切换采用什么模式？5、掌握典型发光二极管驱动电路和PWM电路接法
知识要点： ◼ 1、I/O口有哪几种工作模式，如何设置工作模式。共需要几 个SFR设置工作模式。 ◼ P1M1=10H，P1M0=56H，P1.0~P1.7分别工作在什么模式？ ◼ P3M1=33H，P3M0=55H，P3.0~P3.7分别工作在什么模式？ ◼ 2、单片机上电复位时，I/O口默认为什么工作模式？除了 P2.0可以设置以外，其余均为高电平还是低电平？ ◼ 2、准双向口模式下漏电流为？拉电流为？如需要读入数据 需要先做什么工作？ ◼ 3、强推挽模式下，漏电流为？拉电流为？ ◼ 4、PWM输出时采用什么模式？5v到3V器件电平切换采用什 么模式？ ◼ 5、掌握典型发光二极管驱动电路和PWM电路接法
2.5并行I/O口2.5.1并行V/O口的工作模式■1、I/O功能STC15F2K60S2单片机最多有42个I/O口（LQFP）P0.0~P0.7,P1.0~P1.7,P2.0~2.7,P3.0~P3.7P4.0~P4.7,P5.4,P5.5STC15F2K60S2（PDIP-40）有38个I/O口P0.0~P0.7,P1.0~P1.7,P2.0~2.7,P3.0~P3.7P4.4,P4.4,P5.4,P5.5*均可作为I/O口使用，大多数具有两个以上功能
2.5 并行I/O口 2.5.1 并行I/O口的工作模式 ◼ 1、I/O功能 ◼ STC15F2K60S2单片机最多有42个I/O口（LQFP） ◼ P0.0~P0.7，P1.0~P1.7，P2.0~2.7，P3.0~P3.7 ◼ P4.0~P4.7，P5.4，P5.5 ◼ STC15F2K60S2（PDIP-40）有38个I/O口 ◼ P0.0~P0.7，P1.0~P1.7，P2.0~2.7，P3.0~P3.7 ◼ P4.4，P4.4，P5.4，P5.5 ◼ *均可作为I/O口使用，大多数具有两个以上功能
2.VO口工作模式STC15F2K60S2单片机所有I/O口均有四种工作模式：准双向口、推挽输出、仅为输入（高阻状态）、开漏模式。P0.O~PO.7POM1POMO
2. I/O口工作模式 ◼ STC15F2K60S2单片机所有I/O口均有四种工作模式：准双 向口、推挽输出、仅为输入（高阻状态）、开漏模式
2.VO口工作模式设置P0.0~P0.7POM1POMO一个端口需要两位来设置工作模式，一组8个端口需要2SFR来决定工作模式。共有六组I/O口，因此需要多少个SFR来确定工作模式呢？分别是POM1，POMO，P1M1,P1M0，P2M1，P2MO，P3M1，P3MO，P4M1，P4M0,P5M1, P5M0
2. I/O口工作模式设置 ◼ 一个端口需要两位来设置工作模式，一组8个端口需要 2SFR来决定工作模式。共有六组I/O口，因此需要多少个 SFR来确定工作模式呢？分别是P0M1，P0M0，P1M1， P1M0，P2M1，P2M0，P3M1，P3M0，P4M1，P4M0， P5M1，P5M0
2.1/O口工作模式PnM1.m和PnMO.m用来确定Pn.m的工作模式PnM1.m和PnMO.m的取值和对应模式如下：00：准双向模式，上电复位后默认为此模式灌电流可达20mA，拉电流150~230uA推挽输出，强上拉输出。常用于PWM01:7灌电流20mA，拉电流20mA10：仅为输入11：开漏输出，用于5V器件与3V器件电平切换值得注意的是，虽然每个I/O口的驱动能力为20mA，但是整个片子的驱动能力并不是引脚数乘以20mA，40个引脚整个芯片不超过120mA
2. I/O口工作模式 ◼ PnM1.m和PnM0.m用来确定Pn.m的工作模式。 ◼ PnM1.m和PnM0.m的取值和对应模式如下： ◼ 00：准双向模式，上电复位后默认为此模式。 ◼ 灌电流可达20mA，拉电流150~230μA。 ◼ 01：推挽输出，强上拉输出。常用于PWM ◼ 灌电流20mA，拉电流20mA ◼ 10：仅为输入 ◼ 11：开漏输出，用于5V器件与3V器件电平切换。 ◼ 值得注意的是，虽然每个I/O口的驱动能力为20mA，但是 整个片子的驱动能力并不是引脚数乘以20mA，40个引脚 整个芯片不超过120mA。 ◼
数字电路中，0.1均由电平表示。CMOS器件和TTL器件高低电平值。4.5-5.5VVCC4.5-5.5V5VCMOS5VTTIVCCDZVoHminVCC-0.2CnzCnZCnViHmin0.7XVCCDZDZVoHmin2.4VV0.5XVCCViHmincn2VViLmaxVT1.5VO.3XVCCDZDZDZDZ0.8VViLmaxVolmax0.5V0.4VOLmaxblog.csdn惠号气电子制作站
数字电路中，0,1均由电平表示。CMOS器件 和TTL器件高低电平阈值
灌电流和拉电流当引脚上为高电平时带负载的方式一般为灌通过负载接地。此时电流方向为从引脚泄出，叫做拉电流VCCMCU0当引脚上为低电平时带负载的方式一般为通过负载接高电平，电流方向为引脚灌入，叫灌电流。不同器件需要的工作电流时不同的，拉电拉流和灌电流的大小代表了带负载的能力
灌电流和拉电流 当引脚上为高电平时， 带负载的方式一般为 通过负载接地。此时 电流方向为从引脚泄 出，叫做拉电流。 当引脚上为低电平时， 带负载的方式一般为 通过负载接高电平，电 流方向为引脚灌入，叫 灌电流。 不同器件需要的工作 电流时不同的，拉电 流和灌电流的大小代 表了带负载的能力
拓展知识：拉电流与灌电流CMOS工艺的单片机中，场效应管是组成I/O口的重要器件，场效应管分为P沟道和N沟道两种。P沟道场效应管G极接高电平导通，N沟道场效应管G极接低电平导通，符号如下。BDDPDNCeSDDCOSP沟道S1N沟道结型场效应管结构和符号
*拓展知识：拉电流与灌电流 ◼ CMOS工艺的单片机中，场效应管是组成I/O口的重要器件 ，场效应管分为P沟道和N沟道两种。P沟道场效应管G极 接高电平导通，N沟道场效应管G极接低电平导通，符号 如下