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第十三章 p区元素(一) § 13.3 碳族元素 § 13.2 硼族元素 § 13.1 p区元素概述
§13.1p区元素櫬述 周1 18 2 314151617 IIA IIIA IVA VA VIAⅧAHe 2 Li Be BC‖0FHe 3456789101112 3 Na Mg IIB IYB VB VIBⅦB 留IBⅡBA1 Si SC1 K Ca Sc Ti Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se BrKr 到50 SrY 2r Nb Tc Ru rh pd Ag cd In Sn Sb Te IXe 创‖6cB0/∠~ Reos Ir Pt Hg TI Pb Bi|Pn 7 Fx Ra lx rt pb sa助hBst H系 Pr Nd Pa Sa Eu Gd Tb Dy Ho Er Tn 铜系 Ac Th Pa Np pu an cn Bk cf Es n
§ 13.1 p区元素概述
p区元素性质的特征 各族元素性质由上到下呈现二次周期性 ①第二周期元素具有反常性(只有2s2p轨道) 形成配合物时,配位数最多不超过4 第二周期元素单键键能小于第三周期元 素单键键能(kJmo) E(NN)=159E(OO)=142E(FF)=141 川E(PP)=209E(SS)=264E(C1Cl)=199
①第二周期元素具有反常性 (只有2s,2p轨道) 形成配合物时，配位数最多不超过4； 第二周期元素单键键能小于第三周期元 素单键键能(kJmol-1 ) E(N—N)=159 E(O—O)=142 E(F—F)=141 E(P—P)=209 E(S—S)=264 E(Cl—Cl)=199 p区元素性质的特征 •各族元素性质由上到下呈现二次周期性
②第四周期元素表现出异样性(d区插入) 例如:溴酸、高溴酸氧化性分别比其 他卤酸(HCIO3,HO3)、高卤酸(HCO, H5IO)强。 Ee(CIO3 /Cl2)=1.458V Ee(BrO3 Br2)=1.513V 机邵学电國图 Ee(IO32)=1209V E (CIO4/CIO3=1.226V Ee(Broa/bro3=1.763V Ee(H5IO6/103=1.60V
②第四周期元素表现出异样性(d区插入) E (ClO3 /Cl2 ) =1.458V − (BrO /Br ) 1.513V 3 2 = − E (IO /I ) 1.209V 3 2 = − E (ClO4 /ClO3 ) =1.226V − − E 例如：溴酸、高溴酸氧化性分别比其 他卤酸(HClO3 ，HIO3 )、高卤酸(HClO4， H5 IO6 )强。 E (H5 IO6 /IO3 ) =1.60V − E (BrO4 /BrO3 ) =1.763V − −
③最后三种元素性质缓慢地递变 (d区、f区插入) K+ Ca2+ Ga3+ Ge4+ As r/pm13399 62 5347 Rb+ Sr2+ In3+ Sn+ Sb5+ 机邵学电國图 r/pm148113817162 Cst Ba2+ T1+ Pb4+ Bi5+ rpm16913595 8474
③最后三种元素性质缓慢地递变 K+ Ca2+ Ga3+ Ge4+ As5+ r/pm 133 99 62 53 47 Rb+ Sr2+ In3+ Sn4+ Sb5+ r/pm 148 113 81 71 62 Cs+ Ba2+ Tl3+ Pb4+ Bi5+ r/pm 169 135 95 84 74 (d区、f 区插入)
多种氧化值 价电子构型:ns3p5 例如:氯的氧化值有+1,+3,+5, +7,-1,0等。 机邵学电國图 惰性电子对效应 同族元素从上到下,低氧化值化合物 比高氧化值化合物变得更稳定
价电子构型：ns 2np 1~5 例如：氯的氧化值有 +1，+3，+5， +7，-1，0等。 惰性电子对效应： 同族元素从上到下，低氧化值化合物 比高氧化值化合物变得更稳定。 • 多种氧化值
例如: Si(npb(v) 机邵学电國图 价电子结构分别为Xe6s2,[Xe 电负性大,形成共价化合物
例如： Si(II) Pb(IV) 价电子结构分别为[Xe]6s2 ，[Xe] •电负性大，形成共价化合物
§13.2硼族元素 132.1硼族元素概述 1322硼族元素的单质 13.23硼的化合物 k-1324铝的化合物 3回
§ 13.2 硼族元素 13.2.4 铝的化合物 13.2.3 硼的化合物 13.2.2 硼族元素的单质 13.2.1 硼族元素概述
1321硼族元素概述 硼族(ⅢIA):B,A,Ga,In,T 价电子构型:ns2np 缺电子元素:价电子数<价层轨道数 缺电子化合物:成键电子对数<价层轨道数 會例如:BF3,H1BO3 注意:HBF4不是缺电子化合物
13.2.1 硼族元素概述 硼族(ⅢA)：B，Al，Ga，In，Tl 价电子构型：ns 2np 1 缺电子元素：价电子数<价层轨道数 缺电子化合物：成键电子对数<价层轨道数 例如：BF3，H3BO3。 注意： HBF4不是缺电子化合物
缺电子化合物特点: a.易形成配位化合物HBF4 HF→BF3 b.易形成双聚物Al2Cl 机邵学电國图 Cl∠ClCl Al cl
Cl Cl Al Cl Cl Cl Cl Al 缺电子化合物特点： b. 易形成双聚物Al2Cl6 HF BF3 a. 易形成配位化合物HBF4
