电工电子披术第1存器 碰酸 要如 随机存取存儲器RAM可编辑器件 制作曾令墨 200412月 返回 第二篇
制作 曾令琴 2004年12月 第二篇
电工电子披术第1存储器 事1存群 n帆睿取亭論器(RAM) n12可编程逻器斧 第二篇
11.2 可编程逻辑器件 11.1 随机存取存储器（RAM） 第二篇
电工电子披术第1存器 存储器学习要点 /0凯容取愉器RAM 的动能与结袍特点 口了解可编瞿輯鷃件的 胸、原理及编程方式 第二篇
存储器学习要点 了解随机存取存储器RAM 的功能与结构特点； 了解 可编程逻辑器件的结 构、原理及编程方式 第二篇
电工电子披术第1存储器 111随机存取存音器RAM 输出控制 n位 地址码 行地址译码器 on 读写控制器 m位 存储矩阵 数据 功能与结构 列地址译码器 CS R/W RAM电路抱框图 RAM电路是一种能够随时选择任一存储单元存入或 取出数据的存储器,通常称作“读/写存储器 第2页
存储矩阵 读 写 控 制 器 行 地 址 译 码 器 列地址译码器 m位 数据 2 n RAM电路结构框图 m CS R/W 输出控制 n位 地址码 RAM电路是一种能够随时选择任一存储单元存入或 取出数据的存储器，通常称作“读/写存储器”。 11.1 随机存取存储器RAM 1 功 能 与 结 构 第2页
电工电子披术第1存储器 地北码 RAM中的每个存器部有一个编号。聊 为地。每次/写信时,只能和一个指 定些的导亭器之阃行取出或是夸入。就 翟聊为訪同畬器。訪屙地的是机器识剔的 二选制教。鲐地址码器濞码后。由相应輸 出绕給出信号。控制敏端中的导存器与存储器 的O端子,谀其选行/操作。 第2页
RAM中的每个寄存器都有一个编号，称 为地址。每次读/写信息时，只能和某一个指 定地址的寄存器之间进行取出或是存入，此过 程称为访问存储器。访问地址的是机器识别的 二进制数，送给地址译码器译码后，由相应输 出线给出信号，控制被选中的寄存器与存储器 的I/O端子，使其进行读/写操作。 地址译码器 第2页
电工电子披术第1存储器 控制暴 /控制绕对RAM究竟是还是写进行 控制。例加RW=“0”时,孰行写操作, R/NW=“1”时,孰行操作;由地扯输入端 输入的位地址码经地批码器译码后端中 组(信息长度m位)单元,m位的二 选制代码经DO接口被写入或被溴出。 第2页
读写控制器 读/写控制线对RAM究竟是读还是写进行 控制。例如R/W＝“0”时，执行写操作， R/W＝“1”时，执行读操作；由地址输入端 输入的n 位地址码经地址译码器译码后选中 一组（信息长度m 位）存储单元，m位的二 进制代码经I/O 接口被写入或被读出。 第2页
电工电子披术第1存储器 为了节省器件引脚的数目。数辑的输入 和输出美用相同的引脚(I0)。懊出时它们 是諭出鳙。骂入时咆们又是输入。即一绕 二用,由渙/控制绕控制。ⅣO端子缴决 子一个地中岢亭器的位歙。通常RAM中号 亭器有五种諭入信号和一种輸出信号 入信号、渙/(RW)制输入信号、输 出挖制(OE)信号、并选(CS)挖制输入 信号、数竭諭入信号和竭出信号。 第2页
I/O控制 为了节省器件引脚的数目，数据的输入 和输出共用相同的引脚（I/O）。读出时它们 是输出端，写入时它们又是输入端，即一线 二用，由读/写控制线控制。I/O端子数决定 于一个地址中寄存器的位数。通常RAM中寄 存器有五种输入信号和一种输出信号：地址 输入信号、读/写（R/W）控制输入信号、输 出控制（OE）信号、片选（CS）控制输入 信号、数据输入信号和数据输出信号。 第2页
电工电子披术第1存储器 外控制 由于集成度的限制。通常要把许多片RAM组装 在一起构成一台计算机的存储器。当CPU访问存储器 时,存储器中只允许一片RAM中的一个地址与CPU 交换信息。其它片RAM不能与CPU发生联系。所谓 片选就是实现这种控制的。通常一片RAM有一根或 几片选绲,当某一片的片选线为有效电平时,则该 片被选中,地扯译码器的输出信号控制该片棊个地址 与CPU接通;片选线为无效电平时,与CPU之间呈 断开状态。例如片选信号CS=“1”时,RAM被禁止 读写,处于保狩状态,IO口的三态门处于高阻抗状 态;CS=“0”时,RAM可在读/写控制输入RW的作 用下作读出或写入操作。 第2页
片选控制 由于集成度的限制，通常要把许多片RAM组装 在一起构成一台计算机的存储器。当CPU访问存储器 时，存储器中只允许一片RAM中的一个地址与CPU 交换信息，其它片RAM不能与CPU发生联系，所谓 片选就是实现这种控制的。通常一片RAM有一根或 几根片选线，当某一片的片选线为有效电平时，则该 片被选中，地址译码器的输出信号控制该片某个地址 与CPU接通；片选线为无效电平时，与CPU之间呈 断开状态。例如片选信号CS＝“1”时，RAM被禁止 读写，处于保持状态，I/O口的三态门处于高阻抗状 态；CS＝“0”时，RAM可在读/写控制输入R/W的作 用下作读出或写入操作。 第2页
电工电子披术第1存储器 矩陈 RAM中的存储单元因排列成矩阵形式而 得名存储矩阵。地址译码器的輸出控制存储 矩阵与O0端的连接。凡是被选中的单元就接 通,没有选中的均处于断开状。 存储器的密量由地址码的位数n和字长的 位数m决定。当地址码的数为n、守长的 数为m时,存储器内含2Xm个存储单元。其 容量为2Xm。通常210=1024字称为1K个字 节。为了方便,存储器的容量常用几KX字长 表示。 第2页
存储矩阵 RAM中的存储单元因排列成矩阵形式而 得名存储矩阵。地址译码器的输出控制存储 矩阵与I/O端的连接，凡是被选中的单元就接 通，没有选中的均处于断开状态。 存储器的容量由地址码的位数n和字长的 位数m决定，当地址码的位数为n、字长的位 数为m时，存储器内含2 n×m个存储单元。其 容量为2 n×m 。通常2 10＝1024字称为1K个字 节。为了方便，存储器的容量常用几K×字长 表示。 第2页
电工电子技术第1章存储器 2.RAM的存储单元电路 存储单元是RAM的核心部分。按功能的不同可分为静态和 动态两类,按所用元件的类型又可分为双极型和单极型两种。双 极型存储单元速度高,单极型存储单元功耗低、容量大。在要求 存取速度快的场合常用双极型RAM电路,但对速度要求不高时 ,常用单极型存储器。我们以单极型存储器为例介绍RAM的工 作原理。 行选择线 静态 RAM 存储 6 单元 1位线 T2 T4 0位线 第2页 O包
2. RAM的存储单元电路 存储单元是RAM的核心部分。按功能的不同可分为静态和 动态两类，按所用元件的类型又可分为双极型和单极型两种。双 极型存储单元速度高，单极型存储单元功耗低、容量大。在要求 存取速度快的场合常用双极型RAM电路，但对速度要求不高时 ，常用单极型存储器。我们以单极型存储器为例介绍RAM的工 作原理。 控 制 电 路 Xi 静态 RAM 存储 单元 T6 T4 T3 T2 T1 T5 Q Q UDD 1位线 0位线 行选择线 第2页