D0I:10.13374/1.issnl00103.2008.12.008 第30卷第12期 北京科技大学学报 Vol.30 No.12 2008年12月 Journal of University of Science and Technology Beijing Dee.2008 Ag一AGe中温钎料的性能 李春元)王西涛)袁文霞 1)北京科技大学新金属材料国家重点实验室，北京1000832)北京科技大学应用科学学院，北京100083 摘要通过分析Ag一AuCe体系三元相图，根据其存在的共晶单变线eIe2,制备了两种接近共晶成分的Ag一AuCe钎料合 金(AAG1和AAG2),研究了钎料合金的熔点、润湿性等性能，观察了合金的显微组织以及合金与ASiC/Ni/Au基板的结合 界面.实验结果显示：AAG1合金的固相线和液相线的温度分别为410.0和449.8℃，AAG2相应的温度为401.1和441.0℃： 两种钎料合金的固液相间距较大，AAG1对基板的润湿性较好：两种合金与基板的接触性很好，界面没有发现金属间化合物 AAG1可以作为400~500℃的钎焊料使用. 关键词钎焊料：熔化特性：浸润性；中温 分类号TG136+.3:TG425 Properties of Ag-Au-Ge medium temperature solder LI Chunyuan),WANG Xitao),YUAN Wenxia2) 1)State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials.University of Science and Technology Beijing.Beijing 100083.China 2)School of Applied Science.University of Science and Technology Beijing.Beijing 100083.China ABSTRACT Two eutectic alloys,AAGl and AAG2.were selected as solder according to the Ag-Au-Ge ternary phase diagram.The solder alloys were prepared by vacuum melting The melting point,wettability,microstructure of the solder alloys and the interface between solder and Al-SiC/Ni/Au substrate were investigated.The results show that these two solder alloys have large temperature gap between solidus and liquidus.The temperature of solidus and liquidus are 410.0C and 449.8C for AAGl and 401.1C and 441.0C for AAG2.respectively.The alloy AAGI has good wettability to the substrate.Both two solder alloys have good adhesion with the substrate.No intermetallic phase was found at the interface.It is concluded that the alloy AAGI could be possibly used as the solder for 400-500C. KEY WORDS solder:melting property:wettability:medium temperature 由于铝基复合材料具有较高的热导率和较低的 生壳体与基座的焊接处熔化·理想的铝基复合材料 热膨胀系数，近几年被广泛应用于电子封装工业中， 的封装焊接温度为400~500℃之间，目前市场上应 尤其以A1/SiC为代表，在航空航天、微波集成电路、 用于此温度段的钎料较少，因此迫切需要开发满足 功率模块、军用射频系统芯片等封装方面极为突出， 此温度要求的钎料合金，满足工业应用要求 成为封装材料应用开发的重要趋势山，为保证所用 有研究者对Au一AgSi合金体系进行了研 材料的性能在焊接时不受影响，焊接温度必须低于 究[23]，Ge和Si是同一族元素，性质相似，所以推测 铝基材料的熔点(660℃)2].由于铝基复合材料的Ag一AmGe合金体系可能有与Am一AgSi类似的性 熔点低于第一代的WCu、Kovar等合金材料，传统质，本文在分析Ag一AuGe体系相图的基础上，选 的高温银基钎料不再适用.目前，这些电子器件的 择熔点在400~500℃范围内的合金成分，研究合金 壳体与器件的焊接多采用AuSi、AuGe等低熔点 的熔化特性，观察其显微结构，测试合金在ASiC/ 钎料，其焊接温度在400℃以下.由于它们的熔点 Ni/Au基体上的浸润性及接触界面的显微组织形 温度偏低，在进行器件内芯片与基体焊接时容易发 貌，探讨其作为新型中温钎料使用的可能性， 收稿日期：2008-01-18修回日期：2008-03-13 基金项目：教育部新世纪人才计划资助项目(N。:NCET-050104):北京科技大学422人才计划资助项目(N。,200504) 作者简介：李春元(1983一)，男，硕士研究生；王西涛(1968一)，男，教授，博士生导师，Emai1l:xitaowang@gmai.com
Ag－Au－Ge 中温钎料的性能 李春元1） 王西涛1） 袁文霞2） 1） 北京科技大学新金属材料国家重点实验室北京100083 2） 北京科技大学应用科学学院北京100083 摘 要 通过分析 Ag－Au－Ge 体系三元相图根据其存在的共晶单变线 e1e2制备了两种接近共晶成分的 Ag－Au－Ge 钎料合 金（AAG1和 AAG2）研究了钎料合金的熔点、润湿性等性能观察了合金的显微组织以及合金与 Al－SiC／Ni／Au 基板的结合 界面．实验结果显示：AAG1合金的固相线和液相线的温度分别为410∙0和449∙8℃AAG2相应的温度为401∙1和441∙0℃； 两种钎料合金的固液相间距较大．AAG1对基板的润湿性较好；两种合金与基板的接触性很好界面没有发现金属间化合物． AAG1可以作为400～500℃的钎焊料使用． 关键词 钎焊料；熔化特性；浸润性；中温 分类号 TG136＋∙3；TG425 Properties of Ag-Au-Ge medium temperature solder LI Chunyuan 1）W A NG Xitao 1）Y UA N Wenxia 2） 1） State Key Laboratory for Advanced Metals and MaterialsUniversity of Science and Technology BeijingBeijing100083China 2） School of Applied ScienceUniversity of Science and Technology BeijingBeijing100083China ABSTRACT T wo eutectic alloysAAG1and AAG2were selected as solder according to the Ag-Au-Ge ternary phase diagram．T he solder alloys were prepared by vacuum melting．T he melting pointwettabilitymicrostructure of the solder alloys and the interface between solder and A-l SiC／Ni／Au substrate were investigated．T he results show that these two solder alloys have large temperature gap between solidus and liquidus．T he temperature of solidus and liquidus are410∙0℃ and 449∙8℃ for AAG1and 401∙1℃ and 441∙0℃ for AAG2respectively．T he alloy AAG1has good wettability to the substrate．Both two solder alloys have good adhesion with the substrate．No intermetallic phase was found at the interface．It is concluded that the alloy AAG1could be possibly used as the solder for400－500℃． KEY WORDS solder；melting property；wettability；medium temperature 收稿日期：2008-01-18 修回日期：2008-03-13 基金项目：教育部新世纪人才计划资助项目（No．NCET－05－0104）；北京科技大学422人才计划资助项目（No．200504） 作者简介：李春元（1983－）男硕士研究生；王西涛（1968－）男教授博士生导师E-mail：xitaowang＠gmail．com 由于铝基复合材料具有较高的热导率和较低的 热膨胀系数近几年被广泛应用于电子封装工业中 尤其以 Al／SiC 为代表在航空航天、微波集成电路、 功率模块、军用射频系统芯片等封装方面极为突出 成为封装材料应用开发的重要趋势［1］．为保证所用 材料的性能在焊接时不受影响焊接温度必须低于 铝基材料的熔点（660℃） ［2］．由于铝基复合材料的 熔点低于第一代的 W－Cu、Kovar 等合金材料传统 的高温银基钎料不再适用．目前这些电子器件的 壳体与器件的焊接多采用 Au－Si、Au－Ge 等低熔点 钎料其焊接温度在400℃以下．由于它们的熔点 温度偏低在进行器件内芯片与基体焊接时容易发 生壳体与基座的焊接处熔化．理想的铝基复合材料 的封装焊接温度为400～500℃之间目前市场上应 用于此温度段的钎料较少因此迫切需要开发满足 此温度要求的钎料合金满足工业应用要求． 有研究者对 Au－Ag－Si 合金体系进行了研 究［2－3］Ge 和 Si 是同一族元素性质相似所以推测 Ag－Au－Ge 合金体系可能有与 Au－Ag－Si 类似的性 质．本文在分析 Ag－Au－Ge 体系相图的基础上选 择熔点在400～500℃范围内的合金成分研究合金 的熔化特性观察其显微结构测试合金在 Al－SiC／ Ni／Au 基体上的浸润性及接触界面的显微组织形 貌探讨其作为新型中温钎料使用的可能性． 第30卷 第12期 2008年 12月 北 京 科 技 大 学 学 报 Journal of University of Science and Technology Beijing Vol．30No．12 Dec．2008 DOI:10．13374／j．issn1001－053x．2008．12．008
第12期 李春元等：Ag一Au一Ge中温钎料的性能 1403 1实验 成见表1. 表1实验合金的组成（原子分数） 1.1合金成分设计 Table 1 Composition of investigated alloys % 文献[56]对Ag一AuCe相图进行了研究，发 合金 Ag Au Ge 现AgGe、AGe两个二元系均存在共晶反应，共 AAGI 19.5 58.5 22.0 晶温度分别为651℃和361℃，AgAu能无限互溶 AAG2 15.0 60.0 25.0 根据相图的基本原理，初步推断Ag一AuGe三元体 1.2实验方法 系的相图将形成一个具有三相平衡的共晶反应L→ AgAu(a)十Ge(P)的单变量线e1e2,如图1所示，其 采用扫描电镜(SUPRA55,德国)观察所制备 温度变化在361~651℃之间.共晶型合金熔化温 的合金试样的组织均匀性，并同时观察合金熔化后 度区间小，因此其熔液流动性好，凝固后容易形成集 与基板间的接触界面，利用X射线能谱确定合金中 中缩孔，使合金致密，有利于提高焊缝的质量，钎料 各相的组成，采用综合热分析仪(NETZSCH STA 通常选择共晶点配比的合金体系，本研究根据相图 409C)测定合金的熔化特性，实验合金质量约为 选择设计了AAG1和AAG2两个合金试样，合金组 9mg,升温速率为5Kmin,高纯氩气保护. 实验测定了合金在Al-SiC/Ni/Au基板上的润 Ge 湿性，基板尺寸为20mm×15mm×1mm,测定炉气 氛为流动的高纯氩气，实验中拍摄了动态熔化下的 20 80 照片，用AutoCAD处理照片以获得润湿角. 30 70 Au原子分数 0 60 2实验结果与讨论 50 50 分数 A 40 2.1合金试样的组织观察 0X 30 图2为两种合金的微观组织照片，可以看到， 20 两种合金的微观组织很相似，都是由两相组成： 9000010 灿象。 AgAu固溶体和在晶界处分布的Ge相，由微观组织 1020 30405060708090 还可以看到，在AgAu固溶体的晶界处呈明显的共 Ag原子分数% 晶组织形貌，AgAu固溶体和Ge相交替析出，两种 图1Ag一ACGe三元系液相面投影图 合金与镀Ni/Au的Al-SiC基板的接触界面如图3 Fig.1 liquidus projection phase diagram of Ag-Au-Ge ternary phase 所示，可以看到界面处没有明显的其他金属间化合 system 物的形成 (a) 20μm 20μm 图2两种合金的显微组织.(a)AAG1:(b)AAG2 Fig.2 SEM micrographs of two solder alloys:(a)AAGl:(b)AAG2 2.2合金试样的熔化特性测定 为共晶或者接近共晶，因为当组成接近共晶成分时， 图4为两个合金试样的DSC曲线，由图可见， 能够防止在凝固过程中产生偏析，熔化温度对于钎 每种合金的DSC曲线都只存在一个吸热峰，表明合 料而言是一个非常重要的参数，因为太高的熔点将 金的组成接近共晶成分，通常希望钎料的化学组成 提高电子封装焊接过程中的回流温度[门
1 实验 1∙1 合金成分设计 文献［5－6］对 Ag－Au－Ge 相图进行了研究发 现 Ag－Ge、Au－Ge 两个二元系均存在共晶反应共 晶温度分别为651℃和361℃Ag－Au 能无限互溶． 根据相图的基本原理初步推断 Ag－Au－Ge 三元体 系的相图将形成一个具有三相平衡的共晶反应 L→ AgAu（α）＋Ge（β）的单变量线 e1e2如图1所示其 温度变化在361～651℃之间．共晶型合金熔化温 度区间小因此其熔液流动性好凝固后容易形成集 中缩孔使合金致密有利于提高焊缝的质量钎料 通常选择共晶点配比的合金体系．本研究根据相图 选择设计了 AAG1和 AAG2两个合金试样合金组 图1 Ag－Au－Ge 三元系液相面投影图［4］ Fig．1 liquidus projection phase diagram of Ag-Au-Ge ternary phase system 成见表1． 表1 实验合金的组成（原子分数） Table1 Composition of investigated alloys ％ 合金 Ag Au Ge AAG1 19∙5 58∙5 22∙0 AAG2 15∙0 60∙0 25∙0 1∙2 实验方法 采用扫描电镜（SUPRA－55德国）观察所制备 的合金试样的组织均匀性并同时观察合金熔化后 与基板间的接触界面．利用 X 射线能谱确定合金中 各相的组成．采用综合热分析仪（NETZSCH STA 409C）测定合金的熔化特性实验合金质量约为 9mg升温速率为5K·min －1高纯氩气保护． 实验测定了合金在 Al－SiC／Ni／Au 基板上的润 湿性基板尺寸为20mm×15mm×1mm测定炉气 氛为流动的高纯氩气．实验中拍摄了动态熔化下的 照片用 AutoCAD 处理照片以获得润湿角． 2 实验结果与讨论 2∙1 合金试样的组织观察 图2为两种合金的微观组织照片．可以看到 两种合金的微观组织很相似都是由两相组成： AgAu固溶体和在晶界处分布的 Ge 相．由微观组织 还可以看到在 AgAu 固溶体的晶界处呈明显的共 晶组织形貌AgAu 固溶体和 Ge 相交替析出．两种 合金与镀 Ni／Au 的 Al－SiC 基板的接触界面如图3 所示．可以看到界面处没有明显的其他金属间化合 物的形成． 图2 两种合金的显微组织．（a） AAG1；（b） AAG2 Fig．2 SEM micrographs of two solder alloys：（a） AAG1；（b） AAG2 2∙2 合金试样的熔化特性测定 图4为两个合金试样的 DSC 曲线．由图可见 每种合金的 DSC 曲线都只存在一个吸热峰表明合 金的组成接近共晶成分．通常希望钎料的化学组成 为共晶或者接近共晶因为当组成接近共晶成分时 能够防止在凝固过程中产生偏析．熔化温度对于钎 料而言是一个非常重要的参数因为太高的熔点将 提高电子封装焊接过程中的回流温度［7］． 第12期 李春元等： Ag－Au－Ge 中温钎料的性能 ·1403·
.1404, 北京科技大学学报 第30卷 40m 20m 图3合金与基板界面处的显微组织.(a)AAG1;(b)AAG2 Fig.3 SEM micrographs of the interface between solder and substrate:(a)AAGI:(b)AAG2 0.65 0.55|ex0 449.8℃ (a) exo (b) 441.0℃ 0.60 0.50 0.55 管 0.50 0.40 0.45 爱 0.35 装040 0.30 410.0℃ 0.35 401.1℃ 0.2380400420440460480500 0.30 80400420440 460480 温度/℃ 温度/℃ 图4合金试样的DSC曲线，(a)AAG1:(b)AAG2 Fig-4 DSC curves of the solder alloys:(a)AAGl;(b)AAG2 在DSC曲线上作切线确定固相线的温度，两 种合金的固相线与液相线的温度如表2所示，由表 中数据可以看出，两个合金的熔点都在400~500℃ 之间，但是熔化区间相对较大，DSC曲线的形状表 明在合金完全熔化前存在一个三相区和两相区，这 一结果与文献[56]的研究相吻合 表2合金的固相线与液相线 Table 2 Solidus and liquidus of the alloys 合金 固相线/℃ 液相线/℃ 熔化区间/℃ 图5合金润湿后的截面照片 AAGI 410.0 449.8 39.8 Fig-5 Cross"section photo of the alloy after wetting AAC2 401.1 441.0 39.9 表3合金试样的浸润角 2.3合金试样的润湿性的测定 Table 3 Wetting angles of the alloys 对于不同的合金试样，分别测量其液相点及其 合金 温度/心 am/( ）6/90my/0 450.2 29 26.0 以上20,40和60℃四个温度下在Al-SiC/Ni/Au 470.1 22 15 18.5 基板上的浸润角 AAGI 489.8 18 12 15.0 实验中对不同温度下试样的熔化状态进行了动 508.5 18 8 13.0 态拍摄，然后用AutoCAD进行处理，测量浸润角， 441.0 66 69 67.5 润湿后的截面形貌照片如图5所示，实验中分别读 461.1 59 56.5 AAC2 取熔化状态下合金左右两侧的浸润角，取其平均值 481.2 46 51 48.5 具体实验结果见表3， 501.6 42 46 44.0
图3 合金与基板界面处的显微组织．（a） AAG1；（b） AAG2 Fig．3 SEM micrographs of the interface between solder and substrate：（a） AAG1；（b） AAG2 图4 合金试样的 DSC 曲线．（a） AAG1；（b） AAG2 Fig．4 DSC curves of the solder alloys：（a） AAG1；（b） AAG2 在 DSC 曲线上作切线确定固相线的温度．两 种合金的固相线与液相线的温度如表2所示．由表 中数据可以看出两个合金的熔点都在400～500℃ 之间但是熔化区间相对较大．DSC 曲线的形状表 明在合金完全熔化前存在一个三相区和两相区这 一结果与文献［5－6］的研究相吻合． 表2 合金的固相线与液相线 Table2 Solidus and liquidus of the alloys 合金 固相线／℃ 液相线／℃ 熔化区间／℃ AAG1 410∙0 449∙8 39∙8 AAG2 401∙1 441∙0 39∙9 2∙3 合金试样的润湿性的测定 对于不同的合金试样分别测量其液相点及其 以上2040和60℃四个温度下在 Al－SiC／Ni／Au 基板上的浸润角． 实验中对不同温度下试样的熔化状态进行了动 态拍摄然后用 AutoCAD 进行处理测量浸润角． 润湿后的截面形貌照片如图5所示．实验中分别读 取熔化状态下合金左右两侧的浸润角取其平均值． 具体实验结果见表3． 图5 合金润湿后的截面照片 Fig．5 Cross-section photo of the alloy after wetting 表3 合金试样的浸润角 Table3 Wetting angles of the alloys 合金 温度／℃ Θleft／（°） Θright／（°） Θaverage／（°） 450∙2 29 23 26∙0 AAG1 470∙1 22 15 18∙5 489∙8 18 12 15∙0 508∙5 18 8 13∙0 441∙0 66 69 67∙5 AAG2 461∙1 59 54 56∙5 481∙2 46 51 48∙5 501∙6 42 46 44∙0 ·1404· 北 京 科 技 大 学 学 报 第30卷
第12期 李春元等：Ag一Au一Ge中温钎料的性能 ,1405 对于纤料来说，能否与基板形成较好的浸润，是 浸润性较差，润湿角很大，不能应用于工业之中， 能否顺利地完成焊接的关键.如果一种合金不能浸 (4)综合分析所有的实验结果，可以推断 润基板材料，则会因浸润不良而在界面上产生空隙， AAG1合金可以作为400~500℃间钎料使用 易使应力集中而在焊接处发生开裂.这种合金即使 致谢感谢中国科学院过程工程研究所李晶博 其力学性能很优越，也不能用作焊料. 士在浸润性测定方面给予的帮助， 由实验数据看出，在氩气气氛下，随着温度的升 高，试样在实验用基板上的浸润角逐渐减小，AAG1 参考文献 浸润角都比较小，说明与基板的浸润性很好，AAG2 [1]Long L.AlSiC metal matrix composites and its application in mi- 的浸润角相对而言比较大，浸润性较差.电子封装 croelectronics packaging Electron Packag.2006.6(6):16 工业中通常要求浸润角<208]；由此推断，AAG2 (龙乐.电子封装中的铝碳化硅及其应用.电子与封装，2006,6 (6):16) 合金不能作为钎料使用， [2]Mo W J.Wang Z F.Wang HS.et al.A primary study of the 实验中所用的装置是临时设计的，如图6所示， Au-Ag Si solder.Precious Met.2004.25(4):45 采用的是流动氩气气氛，没有满足实际钎焊过程中 (莫文剑，王志法，姜美圣，等.Au-Ag Si钎料合金的初步研究 的氢气气氛，可能会存在一定的偏差，工业中通常 贵金属，2004,25(4)：45) 采用氢气气氛焊接，还原性气氛会降低固体的表面 [3]Mo W J.Wang Z F.Jiang GS,et al.Study of a new type of Au 张力，有助于钎料与母材的润湿]，所以推断在氢 Ag Si intermediate temperature eutectic solder.Rare Met Mater Eng,2005,34(3):497 气气氛下，实验用的合金试样的浸润性比在氩气条 (莫文剑，王志法，姜美圣，等.Au-Ag Si新型中温共晶钎料的研 件下会更好. 究.稀有金属材料与工程，2005,34(3)：497) 控温热电偶 控温仪表 [4]He C X.Phase Diagram of Precious Metal Alloys.Beijing:Met- 管式电炉 allurgical Industry Press.1983:167 保护气出口 高纯氯气进口 (何纯孝.贵金属合金相图.北京：治金工业出版社，1983： 放大镜头数码 口相机 167) [5]Hassam S.Gambino M,Gaune-Escard M,et al.Experimental 测温热电偶 and calculated Ag-Au-Ge phase diagram.Metall Trans A.1988. 石英管 19A(3):409 计算机处理系统 [6]Borzone C.Hassam S.Bros JP.A note on the Ag-Au-Ge cqui- 图6润湿性实验装置示意图 librium phase diagram.Metall Trans A.1989.20A(10):2167 Fig.6 Schematic diagram for wetting experiment [7]Chang T C.Wang J W.Wang M C.et al.Solderability of Sn- 9Zn-0.5Ag-lIn lead-free solder on Cu substrate:Part I.Ther- mal properties,microstructure,corrosion and oxidation resis- 3结论 tance.J Alloys Compd.2006.422:239 [8]Wu B S.Yang X H.Chen WZ.Review of applying of lead-free (1)实验中两种合金的熔点都在400~500℃ soldering technology in the electronic packaging industry.Phys 之间，但熔化区间相对较大 Test Chem Anal Part A.2005.41(Suppl):77 (2)显微组织表明两种合金的组成接近共晶组 (吴本生，杨晓华，陈文哲无铅焊接技术在微电子封装工业中 成，存在典型的共晶组织，两种合金与基板间有较 的应用综述∥理化检验：物理分册.2005,41（增刊）：77) [9]Zhang Q Y,Zhuang HS.Brazing and Soldering Manual.Bei- 好的接触性，界面间没有明显的金属间化合物形成， jing:China Machine Press,1999:14 (3)AAG1合金对Al-SiC/Ni/Au基板的浸润 (张启运，庄鸿寿，钎焊手册.北京：机械工业出版社，1999： 性较好，润湿角相对较小；而AAG2合金对基板的 14)
对于钎料来说能否与基板形成较好的浸润是 能否顺利地完成焊接的关键．如果一种合金不能浸 润基板材料则会因浸润不良而在界面上产生空隙 易使应力集中而在焊接处发生开裂．这种合金即使 其力学性能很优越也不能用作焊料． 由实验数据看出在氩气气氛下随着温度的升 高试样在实验用基板上的浸润角逐渐减小．AAG1 浸润角都比较小说明与基板的浸润性很好．AAG2 的浸润角相对而言比较大浸润性较差．电子封装 工业中通常要求浸润角＜20°［8］；由此推断AAG2 合金不能作为钎料使用． 实验中所用的装置是临时设计的如图6所示 采用的是流动氩气气氛没有满足实际钎焊过程中 的氢气气氛可能会存在一定的偏差．工业中通常 采用氢气气氛焊接还原性气氛会降低固体的表面 张力有助于钎料与母材的润湿［9］所以推断在氢 气气氛下实验用的合金试样的浸润性比在氩气条 件下会更好． 图6 润湿性实验装置示意图 Fig．6 Schematic diagram for wetting experiment 3 结论 （1） 实验中两种合金的熔点都在400～500℃ 之间但熔化区间相对较大． （2） 显微组织表明两种合金的组成接近共晶组 成存在典型的共晶组织．两种合金与基板间有较 好的接触性界面间没有明显的金属间化合物形成． （3） AAG1合金对 Al－SiC／Ni／Au 基板的浸润 性较好润湿角相对较小；而 AAG2合金对基板的 浸润性较差润湿角很大不能应用于工业之中． （4） 综 合 分 析 所 有 的 实 验 结 果可 以 推 断 AAG1合金可以作为400～500℃间钎料使用． 致谢 感谢中国科学院过程工程研究所李晶博 士在浸润性测定方面给予的帮助． 参 考 文 献 ［1］ Long L．AlSiC metal matrix composites and its application in microelectronics packaging．Electron Packag20066（6）：16 （龙乐．电子封装中的铝碳化硅及其应用．电子与封装20066 （6）：16） ［2］ Mo W JWang Z FWang H Set al．A primary study of the Au-Ag-Si solder．Precious Met200425（4）：45 （莫文剑王志法姜美圣等．Au-Ag-Si 钎料合金的初步研究． 贵金属200425（4）：45） ［3］ Mo W JWang Z FJiang G Set al．Study of a new type of AuAg-Si intermediate temperature eutectic solder．Rare Met Mater Eng200534（3）：497 （莫文剑王志法姜美圣等．Au-Ag-Si 新型中温共晶钎料的研 究．稀有金属材料与工程200534（3）：497） ［4］ He C X．Phase Diagram of Precious Metal Alloys．Beijing：Metallurgical Industry Press1983：167 （何纯孝．贵金属合金相图．北京：冶金工业出版社1983： 167） ［5］ Hassam SGambino MGaune-Escard Met al．Experimental and calculated Ag-Au-Ge phase diagram．Metall T rans A1988 19A（3）：409 ［6］ Borzone GHassam SBros J P．A note on the Ag-Au-Ge equilibrium phase diagram．Metall T rans A198920A（10）：2167 ［7］ Chang T CWang J WWang M Cet al．Solderability of Sn- 9Zn-0∙5Ag-1In lead-free solder on Cu substrate：Part Ⅰ．Thermal propertiesmicrostructurecorrosion and oxidation resistance．J Alloys Compd2006422：239 ［8］ Wu B SYang X HChen W Z．Review of applying of lead-free soldering technology in the electronic packaging industry．Phys Test Chem A nal Part A200541（Suppl）：77 （吴本生杨晓华陈文哲．无铅焊接技术在微电子封装工业中 的应用综述∥理化检验：物理分册．200541（增刊）：77） ［9］ Zhang Q YZhuang H S．Brazing and Soldering Manual．Beijing：China Machine Press1999：14 （张启运庄鸿寿．钎焊手册．北京：机械工业出版社1999： 14） 第12期 李春元等： Ag－Au－Ge 中温钎料的性能 ·1405·