例1.有一硅样品,施主浓度为D=2,受主浓度为=10cm,已知 施主电离能△ED=E-E=0.05eV,试求99%的施主杂质电离时的温度。 思路与解:令N和NA表示电离施主和电离受主的浓度,则电中性方程为:

7.1 说明类氢杂质能级以及电离能的物理意义，为什么受主能级，施主能级分别位于价带之上或导带之下

例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化

例1.半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为n=0.97m, mm=0.19m和mp=0.16m,mp=0.53m。,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能 (2)基态电子轨道半径

一、掌握一般杂质检查的原理、方法和计算。 二、熟悉特殊杂质检查的方法和原理

第一节概述 第二节般杂质的检查方法 第三节特殊杂质的检查方法

理想的半导体材料是没有缺陷或没有杂质,半导体中的载流子只能是激发到导带中的电子和价带中的空穴

1. 杂质电阻 2. 热导率 3. 热电势 4. Hall系数和磁阻

1. 杂质电阻 2. 热导率 3. 热电势 4. Hall系数和磁阻

1. 杂质电阻 2. 热导率 3. 热电势 4. Hall系数和磁阻