一、氧化还原反应平衡 Redox equilibrium 二、氧化还原反应进行的程度 Reaction completeness 三、氧化还原反应的速率与影响因素 Rate of reaction and influencing factors 四、氧化还原滴定指示剂 Redox indicators 五、氧化还原滴定原理 Oxidimetric principle 六、氧化还原滴定前的预处理 Pretreatment 七、常用的氧化还原滴定法 Common used titration

§６-1 氧化还原反应平衡 §６-2 氧化还原反应进行的程度 §６-3 氧化还原反应的速度与影响反应速度的因素 §６-4 氧化还原滴定曲线及终点的确定 §６-5 氧化还原滴定法中的预处理 §６-6 高锰酸钾法 §６-7 重铬酸钾法 §６-8 碘量法 §６-9 其他氧化还原滴定法 §６-10 氧化还原滴定结果的计算

§６-1 氧化还原反应平衡 §６-2 氧化还原反应进行的程度 §６-3 氧化还原反应的速度与影响反应速度的因素 §６-4 氧化还原滴定曲线及终点的确定 §６-5 氧化还原滴定法中的预处理 §６-6 高锰酸钾法 §６-7 重铬酸钾法 §６-8 碘量法 §６-9 其他氧化还原滴定法 §６-10 氧化还原滴定结果的计算

第一节 绪论 第二节 氧化还原反应 一、电极电位 二、条件电位及影响因素 三、氧化还原反应进行的程度 四、氧化还原反应的速度 第三节 氧化还原滴定 一、滴定曲线 二、指示剂 三、氧化还原预处理 第三节 氧化还原滴定法的应用 一、碘量法 二、KMnO4法 三、K2Cr2O7法 四、其他氧化还原方法

6.1 氧化还原反应平衡 6.2 氧化还原反应进行的程度 6.3 氧化还原反应的速率与影响因素 6.4 氧化还原滴定曲线及终点的确定 6.5 氧化还原滴定的预处理 6.6 KMnO4法 6.7 重铬酸钾法 6.8 碘量法 6.9 其他氧化还原滴定法 6.10 氧化还原滴定的计算

第一节 绪论 第二节 氧化还原反应 一、电极电位 二、条件电位及影响因素 三、氧化还原反应进行的程度 四、氧化还原反应的速度 第三节 氧化还原滴定 一、滴定曲线 二、指示剂 三、氧化还原预处理 第三节 氧化还原滴定法的应用 一、碘量法 二、KMnO4法 三、K2Cr2O7法 四、其他氧化还原方法

第一节 氧化还原平衡 第二节 氧化还原反应的速率 第三节 氧化还原滴定曲线 第四节 氧化还原滴定中的指示剂 第五节 氧化还原滴定前的预处理 第六节 常用的氧化还原滴定方法 第七节 氧化还原滴定结果的计算

一、条件电位 氧化剂和还原剂的强弱，可以用有关电对的标 准电极电位（简称标准电位）来衡量。电对的标准电 位越高，其氧化型的氧化能力就越强；反之电对的标 准电位越低，则其还原型的还原能力就越强。因此， 作为一种还原剂，它可以还原电位比它高的氧化剂。 根据电对的标准电位，可以判断氧化还原反应进行的 方向、次序和反应进行的程度

7-1 氧化还原平衡 7-2 氧化还原反应的速度 7-3 氧化还原滴定曲线 7-4 氧化还原中的指示剂 7-5 氧化还原滴定结果的计算 7-6 氧化还原滴定前的预处理 7-7 氧化还原滴定法应用

用气固相反应原理分析了单晶硅热氧化机理。在氧化中期,考虑到热应力对扩散系数的影响,从而得出了硅氧化的一个新模型,即化学反应控速——四次方混合控速——扩散控速模型。用该模型处理了文献[4]中的数据与本实验结果均得到满意的相关系数。另外,用扫描电镜和透射电镜对氧化膜进行了观察,分析了单晶硅的氧化膜生长机理