人教A版高中数学必修4第二章 平面向量2.4 平面向量的数量积教案(4)

• 静矩和形心 • 惯性矩和惯性积 • 惯性矩和惯性积的 • 平行移轴和转轴公式 • 主惯性轴和主惯性矩 • 组合截面惯性矩的计算

人教A版高中数学必修4第二章 平面向量2.4 平面向量的数量积教案

（一）溶液的通性 非电解质溶液的通性 电解质溶液的通性 （二）水溶液中的单相离子平衡 酸和碱在水溶液中的离子平衡 配离子的解离平衡 （三）难溶电解质的多相离子平衡 多相离子平衡和溶度积 溶度积规则及其应用

1.设f(x)在[a,b]上可积,g(x)在[a,b]上定义,且在[a,b中除了有限个点之外,都有f(x)=g(x),证明g(x)在[a,b]上也可积,并且有

人教A版高中数学必修4第二章 平面向量2.4 平面向量的数量积教案(2)

一、关于积分表的说明 （1）常用积分公式汇集成的表称为积分表. （2）积分表是按照被积函数的类型来排列的. （3）求积分时，可根据被积函数的类型直接或经过简单变形后，查得所需结果. （4）积分表见《高等数学》（四版）上册（同济大学数学教研室主编）第452页．

◼ 半群与独异点  半群定义与性质  交换半群与独异点  半群与独异点的子代数和积代数  半群与独异点的同态 ◼ 群  群的定义与性质  子群与群的直积  循环群  置换群

人教A版高中数学必修4第二章 平面向量2.4 平面向量的数量积教案(1)

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质