1、如图所示的电容式传感器属于哪种传感器结构？ 2、误差分为几类？它们与准确度、精密度有什么关系？引用误差的定义和作用？

Introduction to Insulated Gate Bipolar Transistors Prepared by: Jack Takesuye and scott Deuty Motorola inc INTRODUCTION As power conversion relies more on switched applications The IGBT is, in fact, a spin-off from power MOSFET

一、定义 磁敏传感器是基于磁电转换原理的传感器。1856年发现磁阻效应， 1879年发现霍尔效应60年代初开始应用。 二、分类 体型：霍尔传感器，磁敏电阻 结型：磁敏二极管，磁敏晶体管

第一章 前言 参考文献 第二章 电感电容压控振荡器 第三章 硅基片上螺旋电感 第四章 可变电容特性分析 第五章 相位噪声分析 第六章 压控振荡器的优化 第七章 相位噪声降低技术 第八章 设计实例 第九章 总结和展望

第一章 引言 第二章 片上电感的物理模型与特性分析 第三章 片上电感的优化设计 第四章 测试与分析 第五章 结论

Voclin 1400 V Doc. No. 5SYA 1213-02 Aug 2000 Patented free-floating silicon technology Low on-state and switching losses Annular gate electrode Industry standard housing Cosmic radiation withstand rating Blocking

由亥姆霍兹定理，矢量场的散度和旋度决定其性质，因此，静电场的基本方 程即为电场的散度、旋度计算式

Schottky Power Rectifier employing the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features oN Semiconductor epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or http:/lonsemi.com

一、说明 1、课程的性质、地位和任务； 该课程是电气信息类专业的专业基础课，电磁场在卫星通信、计算机通信、移动通信等新兴学科领域得到了广泛的应用

The IPMTS.OAT1/T3 Series is designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high energy transients http:/lonsemi.com Excellent clamping capability, high surge capability, low zener impedance and fast response time. The advanced packaging technique provides for a highly efficient micro miniature, space PLASTIC SURFACE MOUNT saving surface mount with its unique heat sink design. The