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为了研究性能稳定的低碳钢板坯连铸用无氟保护渣,在测试传统的板坯连铸用高氟保护渣(F- ≥ 3%)性能的基础上,采用单纯形法,设计了CaO-SiO2-Al2O3-Fe2O3-MgO-Li2O-TiO2-Na2O-MnO-B2O3渣系中满足保护渣组成条件的基本实验点.通过逐步固定各组分含量,将多维空间的渣系组成转化为二维平面网格.测试无氟渣样的熔点、黏度、转折温度、玻璃体比例及转折温度时的黏度,并作性能与组成关系的等值线图.通过比较高氟保护渣和无氟渣样性能,确定了碱度、熔点、黏度、转折温度较低,且凝固后呈玻璃体的低碳钢板坯连铸用无氟保护渣的三个生成区域,其中之一的典型成分的质量分数范围是:CaO 31.2%,SiO2 36.8%,Al2O3 3%,Fe2O3 1%,MgO 2%,Li2O 2%,TiO2 6%,Na2O 7%~12%,MnO 3%~8%,B2O3 0~3%
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在局部腐蚀微区中,金属离子水解而造成PH下降的事实虽已由不少研究工作证实,但因研究技术上的困难,这方面原位的、定量的测量数据尚不充分,现在的数据多为模拟实验提供。本文把生理学上曾得到应用的钨电极引入局部腐蚀中来,较为系统地究究了钨电极的电位与溶液pH值的线性关系,钨电极的电位随温度、时间的变化,以及腐蚀介质和某些腐蚀研究中常见的离子对钨电极的电位的影响。证明:在PH值为0.5~5.0的范围内,钨电极的电位与溶液PH值有良好的线性关系:EP=+a×pH。式中a、b为与电极表面状态有关的常数,但a的数值一般在f0mv/pH左右。温度系数<2mv/度。Cl-、SO42-、NH4+、Na+、Mg2+、Mn2+、Zn2+、Al2+、Ni2+对测定干扰很少,Cr3+及Fe3+在浓度不大时干扰也较小,因此钨电极与微参比电极配合,可以应用在局部腐蚀的微区测量中
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针对高温含水条件下非氧化物材料经常面临的性能失效问题,以六方BN粉体(平均粒度为1.2μm)为研究对象,利用高温热重分析、X射线衍射以及扫描电镜等手段,考察了BN粉体在不同温度(1273-1373K)含水条件下f水和空气的体积比为3:7)的反应行为,并与其在干燥空气下的反应行为进行对比.BN粉体在含水条件下的反应有如下特点:在反应初期,试样质量增加率快速增加;在反应后期,试样质量增加率变缓.结合热力学分析探讨了BN材料在高温含水条件下的反应机理:质量快速增加阶段主要发生BN与O2之间的氧化反应,试样质量增加率变缓阶段主要是由于氧化产物B2O3与H2O反应生成了挥发性产物.随着温度的升高,两反应阶段试样的质量增加率均有所提高.利用周模型对BN材料在高温含水条件下的反应动力学进行了较为精确且定量的拟合,结果与实验数据吻合良好
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第一部分 ICETEK–VC5509-AE 评估板硬件使用指导 第一章 ICETEK–VC5509-AE 评估板技术指标. 第二章 ICETEK–VC5509-AE 原理图和实物图 . 第三章 接插件位置和拨档开关设置. 第四章 二次开发扩展总线(P1,P2,P3,P4)的定义与应用 第五章 TMS320VC5509 的存储空间和评估板的存储器映射 第六章 ICETEK–VC5509-AE评估板 I/O 寄存器的设计和使用. 第二部分 ICETEK-VC5509-AE 教学系统软件使用指导 实验设备安装 一.开发环境 . 二.ICETEK-DSP 教学实验箱的硬件连接 . 三.构造 DSP 开发软件环境 . 四.启动和设置 CCS 一.CCS 软件应用实验 实验 1 :Code Composer Studio 入门 . 实验 2 :编写一个以 C 语言为基础的 DSP 程序 . 实验 3 :编写一个以汇编(ASM)语言为基础的 DSP 程序 实验 4 :编写一个汇编和 C 混合的 DSP 程序 . 二.基于 DSP 芯片的实验 . 实验 :DSP 数据存取实验 三.基于 DSP 系统的实验 . 实验 :指示灯实验 . 实验 :拨码开关控制实验 . 第三部分 ICETEK-VC5509-AE 教学实验指导 . 实验 :单路,多路模数转换(AD) . 实验 :外中断 . 实验 :DSP 的定时器
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1.1 单片机简介 1.2 单片机的发展历史 1.3 单片机的特点 1.4 单片机的应用 1.5 单片机的发展趋势 1.6 MCS-51系列与AT89S5x系列单片机 1.6.1 MCS-51系列单片机 1.6.2 AT89S5x系列单片机简介 1.7 各种衍生品种的8051单片机 1.7.1 STC系列单片机 1.7.2 C8051F×××单片机 1.7.3 ADµC812单片机11 1.7.4 华邦W77系列、W78系列单片机 1.8 PIC系列单片机与AVR系列单片机 1.8.1 PIC系列单片机 1.8.2 AVR系列单片机 1.9 其他的嵌入式处理器简介 1.9.1 嵌入式DSP处理器 1.9.2 嵌入式微处理器
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第 1 章 简介 1-1 第 2 章 CPU 2-1 第 3 章 数据存储器 3-1 第 4 章 程序存储器 4-1 第 5 章 闪存和 EEPROM 编程 5-1 第 6 章 复位中断 6-1 第 7 章 振荡器 7-1 第 8 章 复位 8-1 第 9 章 低压检测 (LVD) 9-1 第 10 章 看门狗定时器和低功耗模式 10-1 第 11 章 I/O 端口 11-1 第 12 章 定时器 12-1 第 13 章 输入捕捉 13-1 第 14 章 输出比较 14-1 第 15 章 电机控制 PWM 15-1 第 16 章 正交编码器接口 (QEI) 16-1 第 17 章 10 位 A/D 转换器 17-1 第 18 章 12 位 A/D 转换器 18-1 第 19 章 UART 19-1 第 20 章 串行外设接口 (SPITM) 20-1 第 21 章 I2CTM 模块 21-1 第 22 章 数据转换器接口 (DCI) 22-1 第 23 章 CAN 模块 23-1 第 24 章 器件配置 24-1 第 25 章 开发工具支持 25-1 第 26 章 附录 26-1
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第一章 统计和统计数据的收集 第二章 统计数据的整理和展示 第三章 数据的描述性分析 一、绝对数和相对数 二、集中趋势的测定 三、离散趋势的测定 四、数据的形态测定 第四章 概率基础——随机变量及其概率分布 第一节 随机变量的概念及数字特征 第二节 常见的离散型分布 一、两点分布 二、二项分布 第三节 常见的连续型分布 正态分布 x2分布 t分布 F分布 第四节 中心极限定理 第五章 区间估计和假设检验 第六章 相关与回归 多元线性回归 非线性回归模型 第八章 时间数列分析 时间数列的种类和编制方法 时间数列传统分析指标 长期趋势的测定 季节变动、循环变动和剩余变动的测定 时间数列的预测方法
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3.1 氢分子离子 3.1.1 分子轨道表示为原子轨道的线性组合 3.1.2 Hଶ ା的线性变分处理 3.1.3 积分 α,β 和 S 的计算 3.1.4 Hଶ ା的共价键 3.2 分子轨道理论 3.2.1 Born-Oppenheimer 近似和非相对论近似 3.2.2 单电子近似(轨道近似) 3.2.3 LCAO 近似 3.2.4 电子的填充规则 3.3 形成共价键的条件 3.3.1 能量相近原则 3.3.2 最大重迭原则 3.3.3 对称性匹配原则 3.4 同核双原子分子 3.4.1 双原子分子的分子轨道的类型和符号 3.4.2 从 H 到 F 的原子轨道能量和基电子组态 3.4.3 第一周期的同核双原子分子和离子. 3.4.4 第二周期的同核双原子分子 3.5 异核双原子分子 3.5.1 异核分子轨道的形成和键矩 3.5.2 异核双原子分子的成键情况举例 3.6 双原子分子的光谱项 3.6.1 双原子分子的分子轨道分类 3.6.2 双原子分子的光谱项 3.6.3 常见电子组态的光谱项 3.6.4 分子状态的对称性 3.6.5 双原子分子的光谱项举例 3.7 价键理论及其对 H2 分子的处理 3.7.1 海特勒-伦敦(Heitler-London)对 H2 的处理 3.7.2 价键理论的要点
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1学科基础课平台必修课 《高等数学 A1》 《高等数学 A2》 《概率论与数理统计 B》 《线性代数》 《大学物理 A1》 《大学物理 A2》 《大学物理实验》 《理论力学 A》(土木类) 《材料力学 A》(土木类) 《画法几何与机械制图》 《电工电子技术 C》 《结构力学》 2学科基础课平台选修课 《地下工程综合实验 1》 《地下工程综合实验 2》 《工程化学 A》 《工程地质》 《城市地下空间工程导论》 《土力学 A》 《岩体力学与工程》 《土木工程材料 A》 《流体力学 F》 《测量学 C》 《爆破工程》 《爆破课程设计》 《混凝土结构设计原理 A》 《混凝土结构设计原理课程设计》 《钢结构设计原理 A》 《地下结构可靠度》 《有限单元法及其应用》 3 专业课平台必修课 《城工认识实习》 《城工生产实习》 《城工毕业实习》 《城工毕业设计(论文)》 《基础工程》 《深基坑工程》 《地铁工程 A》 《地下工程施工技术》 《地下工程施工技术课程设计》 《隧道工程》 《AUTOCAD 辅助绘图》 《工程 BIM 技术及应用》 4 专业课平台选修课 《弹性力学》 《城工专业英语》 《地下通风与环境工程》 《地下管网工程》 《建筑法规》 《施工组织与概预算》 《概预算课程设计》 《地下工程测试与监测》 《建筑工程经济与项目管理》 《城市地下空间规划》 《砌体结构》 《地下辐射防护》 《地下结构抗震》 《地下防护工程》
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以嗜酸氧化亚铁硫杆菌T.f6优势菌株为原始菌,采用盐酸羟胺对其进行化学诱变,重点研究了化学诱变对菌种活性、生长繁殖以及尾矿浸出体系的影响.结果表明,羟胺诱变能使菌种产生明显变异,能很好地提高菌种活性和生物浸出能力.盐酸羟胺质量分数1.0%时所得诱变菌的氧化活性最高,32h后Fe2+氧化率达到100%,而在相同条件下原始菌的Fe2+氧化率达到100%则延迟32h.尾矿浸出30d,诱变菌的铜浸出率比原始菌提高了20.7%,比酸浸铜浸出率提高了85%;同时,到达浸出终点的时间比原始菌提前了5~8d.说明诱变菌浸出效果好于原始菌,远优于化学浸出.菌种诱变前后扫描电镜测试表明,诱变菌种的形态没有变化,但细胞大小有所改变,表面变得光滑且出现胞外分泌物,同时细胞间聚团现象明显
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