I If f(t)=100 for 04.(a) Calculate v at t=T/4.(b) Find the average power delivered by this waveform to a 5Q2 resistor 3 Let v(t)=3-3 cos(100 t-40)+4 sin(200 T t-10)+2.5 cos 300 tt V Find: (a)the average value Var;(b)the rms value V;(c)the period T; (d)v(18ms)

第六章不定积分 CThe indefinite integration 6-1原函数和不定积分 6-1-1原函数概念及性质 6-1-2不定积分概念及性质 5-1-3基本积分表及凑微分法 6-2不定积分方法 6-21变量置换法 6-2-2分部积分法 63有理函数的积分 6-3-1最简分式的积分 6-3-2有理函数的积分 6-4其他可积成有限形式的函数类 6-4-1三角有理式的积分 第十四讲原函数及不定积分 课后作业: 阅读:第六章61:pp206-210;6.2:p2ll-214 预习:第六章62:pp214-216;63:pp218-22:6.4:pp224-230 练习pp.210-21:2习题61 复习题全部;习题1;2;3(1)-(8)

1.页面设置 纸张大小 采用 A4; 正 文 上空：3cm；下空：3cm；左空：3cm；右空：2.4cm 2.文档设置 （1) 段落 行距：固定值为 16.5 磅；对齐方式：两端对齐 （2) 字体 中文：宋体；英文：Times New Roman （3) 字号 5 号

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

首先考虑围岩松动圈支护体的影响,在完全接触条件下,根据弹塑性力学理论,推导出深埋圆形隧道每层衬砌切向应力和径向应力分量的解析解;然后根据混凝土和围岩材料受力状态的不同,选用不同的破坏准则,引入功能梯度材料思想,构建了不同弹性模量双层混凝土圆形衬砌优化设计的目标函数,即当目标函数为最小值时,Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ层结构同时接近或达到预设破坏状态,在设计上才最为合理;最后对衬砌材料的弹性模量和衬砌厚度分别进行了优化设计.算例分析表明:(1)随着围岩应力的增大,E2/E1和E2/E3都减小.在相同大小的围岩应力作用下,总有E2/E1E2/E3时所求得的Ⅰ层衬砌最优厚度总是小于E2/E1