• Why solid-state electrolyte (SSE)? • Requirements of SSE • History and Category of SSE • Examples of SSE in each type

• Why safety? • Origins of safety concerns • Thermal runaway process: 3 stages • Materials with improved battery safety • Materials to solve problems in 3 stages

• Introduction of TiO2 • Chemistry of TiO2 • Molecular structure and Li insertion • Synthesis and modification methods • Several literature examples

• Introduction of Tin • Chemistry of Tin • Molecular structure and Li insertion • Synthesis and modification methods • One literature example

• Introduction of silicon • Chemistry of silicon • Reaction mechanisms of silicon anode • Problems • Synthesis and modification methods • One literature example

1、掌握组合逻辑电路的分析和设计方法。 2、熟悉编码器、译码器、多路选择器、数值比较器、加法器等典型中规模组合逻辑器件的逻辑功能与应用

• Overview of anode materials • Introduction of graphite • Chemistry of graphite • Molecular structure and Li insertion • Synthesis and modification methods • One literature example

第二章半导体基本器件 2.1半导体二极管 PN结的单向导电原理,二极管的伏安特性 2.2半导体三极管 (1)三极管输出特性中的截止区、放大区和饱和区等概念。 (2三极管共发射极电流放大系数的概念 (3)三极管开关电路工作状态的分析方法 2.3MOS场效应管 (1)MOS场效应管的分类及符号 (2)增强型NMOS管的特性曲线

第七章存储器和可编程逻辑器件 1.随机存取存储器(RAM)RAM的特点和主要参数。 2.只读存储器(ROM)二极管或门,ROM的类型、特点及ROM的阵 列示意图,用ROM实现组合逻辑函数。 3.可编程逻辑器件(PLD)可编逻辑阵列(PLA),可编阵列逻辑(PAL)

7.1 氧化还原反应的基本概念 7.2 电化学电池 7.3 电极电势 7.4 电极电势的应用