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《固体物理学》课程教学资源(讲义)第六章 金属电子论(6.1)费密统计和电子热容量
文档格式:PDF 文档大小:1.1MB 文档页数:9
经典力学对金属中电子的处理 特鲁特一洛伦兹金属电子论:金属体中的电子和分子气体一样,在一定温度下达到热平衡,电子气 体可以用确定的平均速度和平均自由程来描述。这样不考虑电子与电子之间、电子与离子之间的相 互作用,由此建立起来的是自由电子模型。 应用经典力学和电子气体服从经典麦克斯一玻尔兹曼统计分布规律,对金属中的电子进行计算
中国科学技术大学:《固体物理》课程教学资源(课件讲稿)第四章 金属电子论 Free electron gas 4.1 经典自由电子论(Drude-Lorentz)、4.2 量子自由电子论(Sommerfeld)
文档格式:PDF 文档大小:1.56MB 文档页数:60
4.1 经典自由电子论(Drude-Lorentz) 4.2 量子自由电子论(Sommerfeld) : 一. 金属中自由电子的运动状态 二. 能态密度 三. 基态能量 四. T>0K 时电子的分布和能量
《固体物理学》课程教学资源(讲义)第七章 半导体电子论(7.3)半导体中电子的费密统计分布
文档格式:PDF 文档大小:401.51KB 文档页数:4
1.半导体载流子的近似玻耳兹曼统计 半导体中的电子和金属中的电子一样服从费密一一狄拉克统计。在金属中,电子填充空带的部分形 成导带,相应的费密能级位于导带中。 对于掺杂不太多的半导体,在热平衡下,导带中有从施主能级激发到导带中的电子,价带中还有少量的空穴
《固体物理学》课程教学资源(讲义)第六章 金属电子论(6.2)功函数和接触势差
文档格式:PDF 文档大小:828.93KB 文档页数:4
6.2功函数和接触势差 1.热电子发射和功函数 实验指出,热电子发射电流密度:j~e-W:功函数金属中,电子处于势阱高度为X(正离子的吸引),如图XCH006008所示,当电子从外界获得足够的能量,有可能脱离金属,产生热电子发射电流
《固体物理学》课程教学资源(讲义)第七章 半导体电子论(7.5)非平衡载流子
文档格式:PDF 文档大小:417.37KB 文档页数:4
N型半导体中的主要载流子是电子,同时也有少量的空穴载流子,电子被称为多数载流子一一多子。 空穴被称为少数载流子一一少子。 P型半导体中的主要载流子是空穴,同时也有少量的电子载流子,空穴被称为多数载流子一一多子。 电子被称为少数载流子一一少子。 在热平衡下,半导体中的杂质电子,或价带中的电子通过吸收热能,激发到导带中(载流子的产生), 同时电子又可以回落到价带中和空穴发生复合(载流子的复合),最后达到平衡时,载流子的产生率 和复合率相等,电子和空穴的浓度有了一定的分布
山东大学:《固体物理》课程教学资源(习题解答)第六章 自由电子论和电子的输运性质思考题
文档格式:DOC 文档大小:108KB 文档页数:6
1.如何理解电子分布函数f(E)的物理意义是:能量为E的一个量子态被电子所占据的平均 几率? [解答] 金属中的价电子遵从费密-狄拉克统计分布,温度为T时,分布在能级E上的电子数目 n二 e(E-Ep)/kg g为简并度,即能级E包含的量子态数目.显然,电子分布函数 f(e (E-EF)/kg!+1 是温度7时,能级E的一个量子态上平均分布的电子数.因为一个量子态最多由一个电子所 据,所以f(E)的物理意义又可表述为:能量为E的一个量子态被电子所占据的平均几
中国科学技术大学:《固体物理》课程教学资源(课件讲稿)第四章 金属电子论 Free electron gas 4.5 金属的热电子发射和接触电势、4.6 金属的交流电导率和光学性质
文档格式:PDF 文档大小:1.05MB 文档页数:51
4.5 金属的热电子发射和接触电势 一. 功函数 二. 热电子发射 三. 接触电势 4.6 金属的交流电导率和光学性质 一. 交流电导率 二. 金属的介电系数 三. 金属的光学性质
复旦大学:《固体物理导论》教学课件_第五章 金属电子论(黄高山)
文档格式:PDF 文档大小:4.11MB 文档页数:93
5.1 费米分布函数和自由电子气比热容 5.2 金属的费米面 5.3 费米面的实验测定 5.4 输运现象 5.5 金属的电导率 5.6 弛豫时间与碰撞概率的关系 5.7 电子-声子相互作用与金属电阻率 5.8 等离激元与准电子
《固体物理》课程PPT教学课件(Solid State Physics)第四章 金属电子论——电子的费米统计
文档格式:PPT 文档大小:3.98MB 文档页数:42
《固体物理》课程PPT教学课件(Solid State Physics)第四章 金属电子论——电子的费米统计
《固体物理学》课程教学资源(讲义)第七章 半导体电子论(7.2)半导体中的杂质
文档格式:PDF 文档大小:2.09MB 文档页数:6
理想的半导体材料是没有缺陷或没有杂质,半导体中的载流子只能是激发到导带中的电子和价带中的空穴
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