第1章 VLSI概论 第1部分 硅片逻辑 第2章 MOSFET逻辑设计 第3章 CMOS集成电路的物理结构 第4章 CMOS集成电路的制造 第5章 物理设计的基本要素 第2部分 从逻辑到电子电路 第6章 MOSFET的电气特性 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 第8章 高速CMOS逻辑电路设计 第9章 CMOS逻辑电路的高级技术 第3部分 VLSI系统设计 第10章 用Verilog硬件描述语言描述系统 第11章 常用的VLSI系统部件 第12章 CMOS VLSI引运算电路 第13章 存储器与可编程逻辑 第14章 系统级物理设计 第15章 VLSI时钟和系统设计 第16章 VLSI电路的可靠性与测试

主要为从事微电子材料抛光液与清洗剂的开发应用、生产以及销售。改进微电子产品生产工艺、提高其产品质量、降低其生产成本为目的。 生产产品主要包括： ➢ 以“FA/O 超大规模集成电路（ULSI）多层布线介质及铜布线化学机械全局平面化（CMP）纳米磨料抛光液”为代表的国际首例高技术产品； ➢ 以“FA/O 集成电路衬底硅片纳米磨料抛光液”、“FA/O 电子材料清洗剂、半导体材料切削液、倒角液、磨削液、活性剂”为代表的高技术更新换代产品。 产品主要应用于超大规模集成电路（ULSI）衬底半导体材料、半导体器件、正扩大应用于电视机玻壳，液晶显示屏、液晶显示屏基片玻璃、高档金属材料加工、蓝宝石、不锈钢模具及增加二次采油率等领域

一、选择题 1.第三代计算机所使用的电子器件是 A)继电器 B)电子管 C)中小规模集电路 D)大规模和超大规模集成电路

中国科学技术大学：《超大规模集成电路设计（VLSI）》课程教学资源（设计实验）Cadence IC 设计实验（Diva Interactive Verification）

2.1 理想开关 2.2 MOSFET开关 2.3 基本的CMOS逻辑门 2.4 CMOS复合逻辑门 2.5 传输门电路 2.6 时钟控制和数据流控制

4.1 硅工艺概述 4.2 材料生长与淀积 4.3 刻蚀 4.4 CMOS工艺流程 4.5 设计规则

6.1 MOS物理学 6.2 nFET电流-电压方程 6.3 FET的RC模型 6.4 pFET特性 6.5 小尺寸MOSFET模型

8.1 门延时 8.2 驱动大电容负载 8.3 逻辑努力(Logical Effort) 8.4 BiCMOS驱动器

11.1 多路选择器 11.2 二进制译码器 11.3 相等检测器和比较器 11.4 优先权编码器 11.5 移位和循环操作 11.6 锁存器 11.7 D触发器 11.8 寄存器 11.9 综合的作用

12.1 一位加法器电路 12.2 串行进位加法器 12.3 超前进位加法器 12.4 其他高速加法器 12.5 乘法器