3 R 2 有 b 生打 功自 没寄它就 ∽会受到严重破坏图3赵频髒铮效电路 低频寄生振荡 如果寄生振荡是在远低于工作频率上发生的,则 称为低频寄生振荡;低频寄生振荡的等效电路如图 3.8.1所示。 3.8.1
3.8※ 几种特殊的振荡现象 3.8.1寄生振荡（Parasitic Oscillation） 寄生反馈引起电路工作不稳定，在极端情况，即使没 有输入信号，也有交流输出，这叫做产生了寄生振荡。寄 生振荡不仅产生于振荡器中，而且还产生于放大器等其它 功能电路中，寄生振荡一旦产生，各种功能电路的性能就 会受到严重破坏，甚至不能正常工作。 一、低频寄生振荡 如果寄生振荡是在远低于工作频率上发生的，则 称为低频寄生振荡；低频寄生振荡的等效电路如图 3.8.1所示。 3.8.1 图3.8.1 低频寄生振荡的等效电路
超高频寄生振荡 单级功率放大器中,还可能因为大的非线性电容 C而产生参量寄生振荡,以及由于晶体管工作到雪崩击穿 区而产生的负阻寄生振荡。 在远高于工作频率上发生的寄生振荡。超高频寄生 户科学与工学 振荡的闭合环路是由电路中的分布参数(例如,引线电 感)、管子极间电容构成的。而某些元件的分布参数往 往会在很高频率时改变其性质,例如,大容量的电容器 会变成电感器。 3.8.1
单级功率放大器中，还可能因为大的非线性电容 区而产生的负阻寄生振荡。 Cbe 而产生参量寄生振荡，以及由于晶体管工作到雪崩击穿 3.8.1 二、超高频寄生振荡 在远高于工作频率上发生的寄生振荡。超高频寄生 振荡的闭合环路是由电路中的分布参数（例如，引线电 感）、管子极间电容构成的。而某些元件的分布参数往 往会在很高频率时改变其性质，例如，大容量的电容器 会变成电感器
三、寄生振荡的排除和防止措施 为了防止寄生振荡,首先应在实际线路结构工艺 方面予以注意:在电路安装时,元件的排列和布线必 须合理,采用集中接地或大面积接地,避免出现放大 器输入与输出回路之间的寄生耦合。高频接线应尽量 粗、短,不使其平行、远离作为“地”的底板,以减 小引线电感与对“地”的分布电容;接地和必要的屏 大酸要良好等等,此外,还需针对不同的奇生振荡情况, 采取相应的预防与排除措施。 3.8.1
三、寄生振荡的排除和防止措施 为了防止寄生振荡，首先应在实际线路结构工艺 方面予以注意：在电路安装时，元件的排列和布线必 须合理，采用集中接地或大面积接地，避免出现放大 器输入与输出回路之间的寄生耦合。高频接线应尽量 粗、短，不使其平行、远离作为“地”的底板，以减 小引线电感与对“地”的分布电容；接地和必要的屏 蔽要良好等等。此外，还需针对不同的寄生振荡情况， 采取相应的预防与排除措施。 3.8.1
3.8.2间歇振荡 所谓间歇振荡是指振荡器工作时,时而振荡,时而 停振的一种现象。这一现象产生的原因来自振荡器的自 偏压电路参数选择不当 利用偏置电路的自给偏置效应,可以有效地提高振 荡器的振幅稳定性。但是,如果旁路电容C或耦合电容C 取值过大,如图382示,偏置电压跟不上振荡振幅的 变化,就会产生周期性的起振和停振的现象,输出如图 3.8.3所示的断续振荡的波形,通常将这种振荡现象称为 振荡器的间歇振荡。 3.8.2
3.8.2 间歇振荡 所谓间歇振荡是指振荡器工作时，时而振荡，时而 停振的一种现象。这一现象产生的原因来自振荡器的自 偏压电路参数选择不当。 利用偏置电路的自给偏置效应，可以有效地提高振 荡器的振幅稳定性。但是，如果旁路电容 CE 或耦合电容 CB 取值过大，如图3.8.2所示。偏置电压跟不上振荡振幅的 变化，就会产生周期性的起振和停振的现象，输出如图 3.8.3所示的断续振荡的波形，通常将这种振荡现象称为 振荡器的间歇振荡。 3.8.2
为了避免产生间歇振荡,偏置电压的变化速度必须 比振荡振幅的变化速度快。为此,一方面应注意Rg的取值 不宜过大,另一方面应增大振荡回路的Q。,以减小振荡 振幅的变化遠度,因为大,回路的惯性就大,振荡建立 户科学与工学 后也就不容易间断。 3.8.2
为了避免产生间歇振荡，偏置电压的变化速度必须 比振荡振幅的变化速度快。为此，一方面应注意 RE 的取值 不宜过大，另一方面应增大振荡回路的 Qe ，以减小振荡 振幅的变化速度，因为 Qe 大，回路的惯性就大，振荡建立 后也就不容易间断。 3.8.2
3.83频率占据现象 Frequency Occupancy 定义 1、频率占据(或牵引) 频率占据(或牵引)现象是指外加电动势频率与 振荡器自激频率接近到一定程度时,可以使振荡频率随 大外电动频率的改变而改变,这时振荡器频率完全受外 电动势控制,不再取决于回路参数。 3.83
3.8.3频率占据现象 （Frequency Occupancy） 一、定义 1、频率占据（或牵引） 频率占据（或牵引）现象是指外加电动势频率与 振荡器自激频率接近到一定程度时，可以使振荡频率随 外电动势频率的改变而改变。这时振荡器频率完全受外 电动势控制，不再取决于回路参数。 3.8.3
2、牵引频带 外加信号可以是人为加入的,也可能来自周围的、 较强的干扰。能产生占据现象的振荡频率与外加频率的 最大频差称为“占据频带”或“牵引频带” 3、频率占据(或牵引)过程的解释 如图3.84所示。当外加信号未加入时,基极 高频电压等于反馈电压 在平衡状态下,振荡频率为: OSC 2n√LC
2、牵引频带 外加信号可以是人为加入的，也可能来自周围的、 较强的干扰。能产生占据现象的振荡频率与外加频率的 最大频差称为“占据频带”或“牵引频带”。 3、频率占据（或牵引）过程的解释 如图3.8.4所示。当外加信号 Vs 未加入时，基极 高频电压 Vb 等于反馈电压 Vf 。 在平衡状态下，振荡频率为： 1 2 osc f LC =
当注入后不仅与V有关,而且也与有关,后者使 与V之间出现一相位差。这时为了维持振荡,系统的振 荡频率将随之变化,直到谐振回路产生一新相移,抵消上 述相位差,相位平衡条件重新满足。 出现占据现象时电路的相位平衡条件和占据现 象的条件、牵引频带的计算 犬1、出现占据现条时电路的相位平衡条件和产生占 据现象的条件 3.8.3
当注入 Vs 后， Vb 不仅与 Vf 有关，而且也与 Vs 有关，后者使 Vb 与 Vf 之间出现一相位差。这时为了维持振荡，系统的振 荡频率将随之变化，直到谐振回路产生一新相移，抵消上 述相位差，相位平衡条件重新满足。 二、出现占据现象时电路的相位平衡条件和占据现 象的条件、牵引频带的计算 1、出现占据现象时电路的相位平衡条件和产生占 据现象的条件 3.8.3
设振荡器原来的振荡频率为,外来牵引信号电压为 ,频率为f。甚极电压V为反馈电压和牵引电压的矢 量和,即 + 户科学与工学 其矢量图如图384(b所示。图中 0为牵引电压V与反馈电压之间的瞬时相位差; 0为基极电压V与反馈电压之间的瞬时相位差;
设振荡器原来的振荡频率为 osc f ，外来牵引信号电压为 Vs ，频率为 s f 。基极电压 Vb 为反馈电压 Vf 和牵引电压 Vs 的矢 量和，即 V V V b s f = + 其矢量图如图3.8.4(b)所示。图中 s 为牵引电压 Vs 与反馈电压 Vf 之间的瞬时相位差； f 为基极电压 Vb 与反馈电压 Vf 之间的瞬时相位差；
显然,在无牵引信号时,=0p=0,9=0 基极电压与反馈电压同幅同相。 考虑影响后与v间相位差为9它与、和 的关系为 sin( 9 户科学与工学 tan rv+V cos ps /1+5cos ps 在一般情况下JV于是上式简化为 tan p,≈nsin 当很小时,如=,则9=m 3.83
显然，在无牵引信号时， 0 Vs = ， 0 s = ， 0 f = 基极电压 Vb 与反馈电压 Vf 同幅同相。 考虑 Vs 影响后， Vb 与 Vf 间相位差为 f 它与 Vs 、 Vf 和 s 的关系为 tan cos 1 cos s s s s f s f s s f s f V sin V sin V V V V V = = + + 在一般情况下， V V s f 于是上式简化为 tan s f s f V sin V 当 f 很小时，tan f f ，则 s f s f V sin V 3.8.3