电子信息材料专业方向大型实验教学大纲（综合实践类） 综合实践名称：电子信息材料专业方向大型实验 英文名称：Electronic Information Material Open Experiments 课程编号：1200405 面向专业：材料科学与工程电子信息材料方向 课程总学时 3周课程学分： 3 本大纲主人：董岩，邵起越 Tel:52090634,Email:dongvan @seu.edu.cn) 一、综合实贱作用和具体目标 本综合实践环节是电子信息材料专业方向的必修环节，旨在训练学生的实验技能和实% 思路。通过专业实验，使学生逐步掌握电子信息材料制备、性能测试的基本原理，了解制备 与测试相关设备或仪器的工作原理和使用方法，同时对电子信息材料专业方向所学相关课程 的知识进行巩固，提高学生的专业综合素质。 二、实我内容，学时分与组织 1、实验名称及实验时间共三周 序号 实践项目 实验内容 实验类型实验时间每组人数备注 高温固相反应法制各荧光粉材料 其木刑 15天 必做 激光粒度仪法检测粉体材料粒度性能 基本型 0.5天 必做 电阻法检测粉体材料粒度性能 提高型 0.5天 3 必做 粉体材料比表面积测试 提高型 1天 必做 粉体材料制备及 体材料 合性能测试（松装密度，振 1 提高型 0.5天 必做 性能测试 实密度，安角等 粉体材料电泳性能测试 提高型 05天 3 必做 长余挥荧光粉发光性能测试 其木刑 1天 以做 荧光温度灭性能试 研究创新型1天 选做 发光材料激发光谱和发射光谱测试 研究创新型 选做 直流毯控溅射法制备海膜材料 基本型 1天 ≤10必做 射频磁控藏射法制各薄膜材料 其木刑 1天 三10以批 薄膜材料制及性 薄膜结合力性能测试 提高型 0.5天 必做 能测试 薄膜摩擦性能测试 提高型 05大 必做 原子力显微镜观察薄膜表面形貌 研究创新型 0.5天 必做 落胺凝胶法制各薄膜材料 1无 半导体衬底清洗工艺 基本 05 必倒 四探针法测量电阻率 基本型 0.5大 半导体霍尔效应实验 基本型 1天 必做 半导体工艺实验 热氧化法制各SO,薄膜 椭偏法测量S0薄膜折射率与厚 研究创新型 0.5天 必 光刻技术与工 基本型 15天 必做 半导体变温霍尔效应 研究创新型 1天 选做 总结 完成实验报告，PPT答辩 1
1 电子信息材料专业方向大型实验教学大纲（综合实践类） 综合实践名称：电子信息材料专业方向大型实验 英文名称：Electronic Information Material Open Experiments 课程编号：1200405 面向专业：材料科学与工程 电子信息材料方向 课程总学时 3 周 课程学分： 3 本大纲主撰人：董岩，邵起越 （Tel：52090634，Email：dongyan@seu.edu.cn） 一、综合实践作用和具体目标 本综合实践环节是电子信息材料专业方向的必修环节，旨在训练学生的实验技能和实验 思路。通过专业实验，使学生逐步掌握电子信息材料制备、性能测试的基本原理，了解制备 与测试相关设备或仪器的工作原理和使用方法，同时对电子信息材料专业方向所学相关课程 的知识进行巩固，提高学生的专业综合素质。 二、实践内容，学时分配与组织 1、实验名称及实验时间(共三周) 序号 实践项目 实验内容 实验类型 实验时间 每组人数 备注 1 粉体材料制备 及 性能测试 高温固相反应法制备荧光粉材料 基本型 1.5 天 1 必做 激光粒度仪法检测粉体材料粒度性能 基本型 0.5 天 3 必做 电阻法检测粉体材料粒度性能 提高型 0.5 天 3 必做 粉体材料比表面积测试 提高型 1 天 3 必做 粉体材料综合性能测试（松装密度，振 实密度，安息角等） 提高型 0.5 天 1 必做 粉体材料电泳性能测试 提高型 0.5 天 3 必做 长余辉荧光粉发光性能测试 基本型 1 天 1 必做 荧光粉温度猝灭性能测试 研究创新型 1 天 1 选做 发光材料激发光谱和发射光谱测试 研究创新型 1 天 1 选做 2 薄膜材料制及性 能测试 直流磁控溅射法制备薄膜材料 基本型 1 天 ≤10 必做 射频磁控溅射法制备薄膜材料 基本型 1 天 ≤10 必做 薄膜结合力性能测试 提高型 0.5 天 3 必做 薄膜摩擦性能测试 提高型 0.5 天 3 必做 原子力显微镜观察薄膜表面形貌 研究创新型 0.5 天 3 必做 溶胶凝胶法制备薄膜材料 提高型 1 天 3 必做 3 半导体工艺实验 半导体衬底清洗工艺 基本型 0.5 天 1 必做 四探针法测量电阻率 基本型 0.5 天 1 必做 半导体霍尔效应实验 基本型 1 天 3 必做 热氧化法制备 SiO2 薄膜 提高型 1 天 3 必做 椭偏法测量 SiO2薄膜折射率与厚度 研究创新型 0.5 天 3 必做 光刻技术与工艺 基本型 1.5 天 3 必做 半导体变温霍尔效应 研究创新型 1 天 1 选做 4 总结 完成实验报告，PPT 答辩 1 天
2、综合实贱项目一“粉体材料制备及性能检测”的安排 ①选用材料 高纯碳酸锶、高纯氧化铝 、高纯氧化铕等 ②工艺路线 备料 配料05天)一高温灼烧及还原2为一后处理05天)一各种性能测 试(4天·讨论(1天) 3、综合实贱项目二“薄膜材料制备及性能检测”的安排 ①选用材料单晶硅片，高纯Ti、A1靶，高纯氨气，高纯氩气等 ②工艺路线备料一直流磁控溅射法(1天)一射频磁控溅射法(1天)一薄膜性能测试1~2 胶 薄膜材科1天) 1天) 4、综合实践项目 半导体工艺实验”的安排 ①选用材料单晶硅片（锗片），高纯氮气，氧气等 ②工艺路线备料→半导体衬底清洗工艺(0.5天)→半导体性能测试1~2天)→S02薄 膜制备及性能测试1一2天)→光刻技术与工艺(12天)，讨论1天) 三、敕学管理模式与注意事项 1、电子信息材料专业方向学生需完成全部“必做实验”。根据综合实践项目的内容和难易 程度，学生自由组合分组，每组人数1一3人，并由指导教师认可。根据自已能力强弱 和兴趣爱好，自主选择完成“选做实验”，选做实验在课余时间或双休日进行，需事先 与指导教师预约。 2、学生在实验前必须认真预习，明确实验原理和目的，熟悉实验步骤及工艺参数 3、实验室在 实 检学生 点支持，实行开放的管理模式， 双休日也可安排进行试 验。高温炉、大型设备、高精设备由专人负贵操作，并填写使用记录。 4、学生须严格遵守实验室管理条例和安全规范，开始实验前进行一次集中安全教育。 四、设备与器材配置 1、可可供洗超的仪设名 ①各类小型制样设备 各类化学药品等耗材（高纯原料，单品硅片，光刻胶等 ②大型制样设备（磁控溅射仪，高温烧结炉，光刻机等） ③各类检测分析仪器（粒度仪，比表面仪，电泳仪，亮度仪，原子力显微镜，微磨损 仪，薄膜结合力分析仪，椭偏仪，四探针仪，霍尔效应仪，体视显微镜等) 2、实验耗材 ①常规化学药品（酒精，硝酸，盐酸，氨水等 ②高纯或昂贵原料（荧光级高纯粉体原料，单品硅片及锗片，光刻胶，高纯、A1靶 高纯氮气，高纯氩气，液氮等) 五、考核与成绩评定 按实验考勤、实验预习情况、实验动手能力的强弱、实验报告成绩、综合设计实验多媒 体报告等方面综合考评，本综合实践最终成绩以优、良、中、及格、不及格（对应百分制： 90及以上、80-89、70-79、60-69、小于60)五档评定。选做实验视难度和完成情况由指 导老师综合评定，加分不超过10分。 六、教材与参考资料 1、董岩，邵起越等，电子信息材料专业方向大型实验，东南大学讲义，2007.3
2 2、综合实践项目一 “粉体材料制备及性能检测”的安排 ① 选用材料 高纯碳酸锶、高纯氧化铝、高纯氧化铕等 ② 工艺路线 备料→配料(0.5 天)→高温灼烧及还原(2 天)→后处理(0.5 天)→各种性能测 试(4 天)→讨论(1 天) 3、综合实践项目二 “薄膜材料制备及性能检测”的安排 ① 选用材料 单晶硅片，高纯 Ti、Al 靶，高纯氮气，高纯氩气等 ② 工艺路线 备料→直流磁控溅射法(1 天)→射频磁控溅射法(1 天)→薄膜性能测试(1～2 天)→溶胶凝胶法制备薄膜材料(1 天) →讨论(1 天) 4、综合实践项目三 “半导体工艺实验”的安排 ① 选用材料 单晶硅片（锗片），高纯氮气，氧气等 ② 工艺路线 备料→半导体衬底清洗工艺 (0.5 天)→半导体性能测试(1～2 天)→SiO2 薄 膜制备及性能测试 (1～2 天)→光刻技术与工艺（1～2 天）→讨论(1 天) 三、教学管理模式与注意事项 1、电子信息材料专业方向学生需完成全部“必做实验”。根据综合实践项目的内容和难易 程度，学生自由组合分组，每组人数 1－3 人，并由指导教师认可。根据自己能力强弱 和兴趣爱好，自主选择完成“选做实验”，选做实验在课余时间或双休日进行，需事先 与指导教师预约。 2、学生在实验前必须认真预习，明确实验原理和目的，熟悉实验步骤及工艺参数。 3、实验室在三周中对实验学生重点支持，实行开放的管理模式，双休日也可安排进行试 验。高温炉、大型设备、高精设备由专人负责操作，并填写使用记录。 4、学生须严格遵守实验室管理条例和安全规范，开始实验前进行一次集中安全教育。 四、设备与器材配置 1、可供选择的仪器设备 ① 各类小型制样设备，各类化学药品等耗材（高纯原料，单晶硅片，光刻胶等） ② 大型制样设备（磁控溅射仪，高温烧结炉，光刻机等） ③ 各类检测分析仪器（粒度仪，比表面仪，电泳仪，亮度仪，原子力显微镜，微磨损 仪，薄膜结合力分析仪，椭偏仪，四探针仪，霍尔效应仪，体视显微镜等） 2、实验耗材 ①常规化学药品（酒精，硝酸，盐酸，氨水等） ②高纯或昂贵原料（荧光级高纯粉体原料，单晶硅片及锗片，光刻胶，高纯 Ti、Al 靶 高纯氮气，高纯氩气，液氮等） 五、考核与成绩评定 按实验考勤、实验预习情况、实验动手能力的强弱、实验报告成绩、综合设计实验多媒 体报告等方面综合考评，本综合实践最终成绩以优、良、中、及格、不及格（对应百分制： 90 及以上、80~89、70~79、60~69、小于 60）五档评定。选做实验视难度和完成情况由指 导老师综合评定，加分不超过 10 分。 六、教材与参考资料 1、董岩，邵起越等，电子信息材料专业方向大型实验，东南大学讲义，2007.3