第5章屏蔽技术
第5章 屏蔽技术
概述 1、屏蔽的目的和作用 目的：
一、概述 1、屏蔽的目的和作用 目的：
概述 1、屏蔽的目的和作用 目的：① 限制内部辐射的电磁能量泄露出该内部区域： ②防止外来的辐射干扰进入某一区域
一、概述 1、屏蔽的目的和作用 ① 限制内部辐射的电磁能量泄露出该内部区域； ② 防止外来的辐射干扰进入某一区域。 目的：
概述 1、屏蔽的目的和作用 作用：抑制以场的形式造成的干扰
一、概述 1、屏蔽的目的和作用 作用：抑制以场的形式造成的干扰
概述 2、屏蔽的分类 根据屏蔽的工作原理，分为三大类。 电屏蔽 磁屏蔽 电磁屏蔽
一、概述 2、屏蔽的分类 根据屏蔽的工作原理，分为三大类。 电屏蔽 磁屏蔽 电磁屏蔽
概述 2、屏蔽的分类 电屏蔽包含静电屏蔽和交变电场屏蔽 静电屏蔽 屏蔽体把电场终止于导体表面，通过地线中和导体表面 上的感应电荷。 静电屏蔽必须具备两个基本要求：完整的屏蔽导体和良好的 接地
一、概述 2、屏蔽的分类 电屏蔽包含静电屏蔽和交变电场屏蔽 静电屏蔽 屏蔽体把电场终止于导体表面，通过地线中和导体表面 上的感应电荷。 静电屏蔽必须具备两个基本要求：完整的屏蔽导体和良好的 接地
概述 2、屏蔽的分类 低频(30kHz以下)磁场的屏蔽常用高磁导率的铁磁材 料，对磁场产生分路作用而实现屏蔽。而高频时铁磁材料 的磁性损耗很大，导磁率明显下降。 高频磁场的屏蔽采用的是低电阻率的良导体材料，例如 铜、铝等。利用电磁感应现象在屏蔽体表面产生的涡流的 反磁场，抑制或抵消屏蔽体外的磁场
一、概述 2、屏蔽的分类 低频（30kHz以下）磁场的屏蔽常用高磁导率的铁磁材 料，对磁场产生分路作用而实现屏蔽。而高频时铁磁材料 的磁性损耗很大，导磁率明显下降。 高频磁场的屏蔽采用的是低电阻率的良导体材料，例如 铜、铝等。利用电磁感应现象在屏蔽体表面产生的涡流的 反磁场，抑制或抵消屏蔽体外的磁场
概述 2、屏蔽的分类 通常说的屏蔽，一般是指电磁屏蔽，即是指对电场和磁场 同时加以屏蔽。（电磁屏蔽通常用来防止高频电磁场的影 响。) 在交变场中，电场和磁场分量同时存在，只是在频率低时， 干扰一般发生在近场，近场随干扰源不同，电场和磁场区别 很大，如高压低电流源以电场为主，磁场分量可忽略，这时 可以只考虑电屏蔽
一、概述 2、屏蔽的分类 通常说的屏蔽，一般是指电磁屏蔽，即是指对电场和磁场 同时加以屏蔽。（电磁屏蔽通常用来防止高频电磁场的影 响。） 在交变场中，电场和磁场分量同时存在，只是在频率低时， 干扰一般发生在近场，近场随干扰源不同，电场和磁场区别 很大，如高压低电流源以电场为主，磁场分量可忽略，这时 可以只考虑电屏蔽
概述 3、屏蔽效能 屏蔽效能定义为空间某点上未加屏蔽时的电场强度E (或磁场强度H)与加屏蔽后该点的电场强度E(或磁场强度H1) 的比值，表示为 SE=E/E1或 SE=Ho/Hi 用分贝表示： Eo SE(dB)=20 SE(dB)=20 Ho
一、概述 3、屏蔽效能 屏蔽效能定义为空间某点上未加屏蔽时的电场强度E0 （或磁场强度H0）与加屏蔽后该点的电场强度E1（或磁场强度H1） 的比值，表示为 SE=E0/E1 或 SE=H0/H1 用分贝表示： 1 0 ( ) 20lg E E SE dB 1 0 ( ) 20lg H H SE dB
概述 3、屏蔽效能 SE(dB)=201g Eo SE(dB)=20 Ho P70表5-1 无屏蔽场强 有屏蔽场强 屏蔽效能SE(dB) 10 1 20 100 1 40 1000 1 60 10000 1 80 100000 1 100 1000000 1 120
一、概述 3、屏蔽效能 1 0 ( ) 20lg E E SE dB 1 0 ( ) 20lg H H SE dB P70表5-1 无屏蔽场强 有屏蔽场强 屏蔽效能SE（dB） 10 1 20 100 1 40 1000 1 60 10000 1 80 100000 1 100 1000000 1 120
