半导体光电位置敏感器件(PSD) 及其应用
半导体光电位置敏感器件（PSD） 及其应用
一、 半导体光电位置敏感器件的结构 ■二、工作原理及特性分析 ■三、外界参数对器件性能影响 ■四、信号调理电路的设计 五、应用举例
◼ 一、半导体光电位置敏感器件的结构 ◼ 二、工作原理及特性分析 ◼ 三、外界参数对器件性能影响 ◼ 四、信号调理电路的设计 ◼ 五、应用举例
半导体光电位置敏感器件的结构 本部分要点： 1.半导体光电位置敏感器件简述 2.光电位置敏感器件特点 3.一维光电位置敏感器件结构 4.二维光电位置敏感器件结构
一、半导体光电位置敏感器件的结构 本部分要点： 1. 半导体光电位置敏感器件简述 2. 光电位置敏感器件特点 3. 一维光电位置敏感器件结构 4. 二维光电位置敏感器件结构
PSD实物图展 20163
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滤光片、半导体激光器 00 531 2010031
滤光片、半导体激光器
口1.半导体光电位置敏感器件简述 半导体光电位置敏感器件(Position Sensitive Detector简 称PSD)是一种对其感光面上入射光点位置敏感的光电 器件。即当入射光点落在器件感光面的不同位置时，将 对应输出不同的电信号，通过对此输出电信号的处理， 即可确定入射光点在器件感光面上的位置
◼ 1.半导体光电位置敏感器件简述 半导体光电位置敏感器件（Position Sensitive Detector 简 称 PSD）是一种对其感光面上入射光点位置敏感的光电 器件。即当入射光点落在器件感光面的不同位置时，将 对应输出不同的电信号，通过对此输出电信号的处理， 即可确定入射光点在器件感光面上的位置
2.特点 (1)位置分辨率高：分辨率可达微米级。 器件尺寸越大，PSD的位置分辨率越低，要提高PSD 的位置分辨率，除了增大PSD的分流层电阻、减小其 暗电流外，还要选择噪声系数小的放大器以及分辨率足 够高的测试仪表。 《2)响应速度快 PSD器件的响应频率由1/RC决定，R=Rs+RL,Rs是PSD 的分流层电阻，R是负载电阻，通常R<Rs,C是PSD的结 电容与分布电容之和。 一维PSD响应时间常数为：rG2/元2 二维PSD响应时间常数为：rc2(2π2) 是分流层的方块电阻 c是单位面积电容： 1是器件长度
2. 特点 （1)位置分辨率高：分辨率可达微米级。 器件尺寸越大，PSD的位置分辨率越低，要提高PSD 的位置分辨率，除了增大 PSD 的分流层电阻、减小其 暗电流外，还要选择噪声系数小的放大器以及分辨率足 够高的测试仪表。 （2)响应速度快 PSD器件的响应频率由1/RC决定，R=RS+RL,RS是 PSD 的分流层电阻，RL是负载电阻，通常RL<< RS,C是PSD的结 电容与分布电容之和。 一维PSD响应时间常数为： 二维PSD响应时间常数为： 2 2 rcl / /(2 ) 2 2 rcl 是器件长度 是单位面积电容； 是分流层的方块电阻； l c r
(3)光谱范围宽 般讲： (1)芯片尺寸：30mm； (2)光谱范围(nm):380-1100: (3)峰值响应度(Aw):典型值+20最大值+-70； (4)位置测量误差(m):±30~士120 (4)处理电路简单 运算放大器、除法器、电阻、电容等即可完成该 电路
（3)光谱范围宽 一般讲： (1)芯片尺寸：30mm ; (2)光谱范围（nm）：380-1100 ; (3)峰值响应度（A/w）：典型值:+-20 最大值 :+-70 ; (4)位置测量误差（μm）：±30~±120. （4)处理电路简单 运算放大器、除法器、电阻、电容等即可完成该 电路
3.一维光电位置敏感 4.二维光电位置敏感 器件结构 器件结构 输出电极 Y1输出 3 I X2输出 X1输出· I2 输出电极 I2 公共电极 Y2输出
◼ 3.一维光电位置敏感 器件结构 ◼ 4.二维光电位置敏感 器件结构 输出电极 I1 输出电极 I2 公共电极 Y1输出 Y2输出 X1输出 X2输出 I1 I2 I3 I4
